KR970051212A - 메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로에 관한 것으로, 종래에는 메모리의 읽기 동작시 모든 센스 앰프를 구동함으로 센스 앰프의 정력 소모가 증가하는 문제점이 있다. 이러한 종래의 문제점을 개선하기 위하여 본 발명은 디램(DRAM)의 읽기 동작시 로우 어드레스에 의해 임의로 선택할 수 있도록 창안한 것으로, 본 발명은 하나의 메모리의 칼럼이 n-비트로 구성된 디램(DRAM)에서 고속 페이지가 X-비트만큼 액세스하도록 된 경우 센스 앰프 구동시 n/X배만큼의 전력 소모를 줄일 수 있고 또한, 선택된 워드 라인에 해당하는 셀만을 선택하므로 선택되지 않은 다른 셀의 데이타 손실을 방지할 수 있다.

Description

메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 센스 앰프 구동 제어 회로의 블럭도.

Claims (3)

  1. 로우 디코더 수단에 의해 워드 라인이 선택되고 컬럼 디코더 수단의 비트라인 선택 신호에 의해 비트라인이 선택되는 메모리 수단과, 이 메모리 수단에서 선택된 셀 데이타를 소정 레벨 증폭하는 센스 앰프 수단과, 상기 컬럼 디코더 수단의 비트 라인 선택 신호에 의해 상기 메모리 수단의 해당 셀 데이타를 상기 센스 앰프 수단에 전송하는 센스앰프 선태 수단으로 구성하여 상기 센스 앰프 수단중 해당 센스 앰프만이 선택하도록 한 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로.
  2. 제1항에 있어서, 센스앰프 선택 수단은 메모리 수단과 센스 앰프 수단 사이에 모스 트랜지스터를 각기 접속하여 그 모스 트랜지스터를 임의로 분할하여 그 각각의 분할된 모스 트랜지스터에 컬럼 디코더 수단의 출력에 의해 센스 앰프 수단중 해당센스 램프가 선택적으로 인에이블되도록 구성한 것을 특징으로 하는 메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로.
  3. 제1항에 있어서, 센스앰프 선택 수단은 로우 디코더 수단의 각 출력이 메모리 수단에 분할되어 인가되도록 모스 트랜지스터를 접속하고 그 모스 트랜지스터가 컬럼 디코더 수단의 출력에 의해 상기 메모리 수단의 분할된 워드 라인을 선택적으로 센스 앰프 수단에 접속되도록 구성한 것을 특징으로 하는 메모리의 센스앰프 구동 제어 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950053426A 1995-12-21 1995-12-21 메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로 KR0186105B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780947B1 (ko) * 2006-02-24 2007-12-03 삼성전자주식회사 Ｄｒａｍ 구조의 메모리를 구비하는 디스플레이용 구동집적회로 및 디스플레이 구동방법

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