KR970051221A - 시분할 워드라인 구동 회로를 구비한 반도체 메모리 장치 - Google Patents

시분할 워드라인 구동 회로를 구비한 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

순간 최대 전류 소모를 최소화하고, 파워 소모를 분산시킬 수 있는 시분할 워드선 구동 회로를 구비한 반도체 메모리 장치를 개시한다.
워드라인 전압 제너레이터, 프리 디코더 및 로우 디코더를 포함하는 워드라인 구동회로에 있어서, 상기 프리디코더와 프리 디코더 사이에 지연회로를 매개하여 리프레쉬 모드 혹은 테스트 모드에서 선택되는 워드라인들을 순차적으로 활성화시키는 시분할 워드선 구동 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
따라서, 본 발명에 의하면 워드라인을 순차적으로 구동함으로써 다수의 워드라인을 선택하였을지라도 순간 최대 전류를 줄이고 비트라인 센싱시 발생하는 기파 노이즈 및 파워 라인의 링잉(RINGING)을 최소화할 수 있다.

Description

시분할 워드라인 구동 회로를 구비한 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6 도 내지 제7도는 본 발며에 의한 비트라인 센싱 구동회로와 지연회로를 나타낸다.

Claims (6)

  1. 워드라인 전압 제너레이터, 프리 디코더 및 로우 디코더를 포함하는 워드라인 구동회로에 있어서, 상기 프리 디코더와 프리 디코더 사이에 지연회로를 매개하여 리프레쉬 모드 혹은 테스트 모드에서 선택되는 워드라인들을 순차적으로 활성화시키는 시분할 워드선 구동 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 지연회로는 워드라인 전압신호와 리프레쉬/테스트 모드신호를 입력으로 하는 NAND게이트, 상기 NAND게이트의 출력을 입력으로 하는 소정의 지연수단, 상기 지연 수단의 출력을 입ㄹ겨으로 하는 제1레벨 쉬프터, 상기 제1레벨 쉬프터의 출력을 입력으로 하는 릴레이, 상기 워드라인 전압 신호와 상기 릴레이의 출력을 전송하는 한쌍의 전송 게이트 및 워드라인 전압 신호와 리프레쉬/테스트 모드신호를 입력으로 상기 한쌍의 전송게이트의 개폐를 한쌍의 릴레이로 제어하는 제2레벨 쉬프터로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 시분할 워드선 구동 회로를 구비한 반도체 메모리 장치는 센스앰프 사이에 지연회로를 매개하여 리프레쉬 혹은 테스트 모드에서 선택되는 비트라인들을 순차적으로 감지할 수 있는 비트라인 센싱 인에이블 지연회로를 더 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 비트라인 센싱 인에이블 지연회로는 센스앰프 인에이블 입력으로 하고 리프레쉬/테스트 모드신호를 제어 신호로 하는 한쌍의 전송 게이트, 상기 한쌍의 전송게이트중 하나의 출력은 소정의 지연회로에 입력되고, 다른 하나의 출력은 직접 데이터를 출력하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  5. 시분할 워드선 구동회로를 구비한 반도체 메모리 장치는 워드라인이 순차적으로 인에이블된 후 일정한 시간뒤에 비트라인 센싱을 순차적으로 실행하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 시분할 워드선 구동방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 시분할 워드선 구동회로를 구비한 반도체 메모리 장치는 어드레스 사이클링 횟수를 바꿀 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 시분할 워드선 구동 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950054694A 1995-12-22 1995-12-22 반도체 메모리장치의 시분할 워드라인 구동회로 KR100200692B1 (ko)

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