KR960025764A - 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기 - Google Patents
반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기에 관한 것으로, 셀 어레이의 선택에 따라 상기 감지 증폭기를 구동시키는 감지 증폭기 인에이블 신호의 지연 시간을 다르게 갖도록 함으로써, 파워의 소모 및 동작 속도를 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 감지 증폭기의 회로도, 제5도는 제4도의 동작 타이밍도.
Claims (3)
- 반도체 기억 소자에 있어서, 어드레스로 구변 가능한 두개 이상의 메모리 셀 어레이와, 상기 각 메모리 셀 어레이를 선택하기 위한 블럭 선택 어드레스 신호 및 어드레스 신호를 입력하는 입력 수단과, 상기 메모리 셀 어레이에 공통으로 사용되는 컬럼 선택 신호를 출력하는 컬럼 디코더 수단과, 상기 메모리 셀 어레이로부터의 데이타 신호를 전달하는 데이타 라인과, 상기 데이타 라인의 신호의 감지 증폭하기 위한 감지 증폭 수단과, 상기 감지 증폭 수단의 동작을 제어하는 신호를 만들어 내는 장치가 상기 동작하는 셀 어레이가 변함에 따라서 서로 다른 두개 이상의 지연 시간을 갖고 동작하도록 하기 위해, 상기 블럭 선택 어드레스 신호가 제1의 상태일 때는 제1지연 시간을 갖고, 제2의 상태일 때는 제2지연 시간을 갖는 신호를 발생하는 감지 증폭 수단 인에이블 신호 발생수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 감지 증폭기 인에이블 신호 발생수단은, 상기 컬럼 디코더로 입력되는 에드레스 신호를 입력 신호로 하고, 블럭 선택 어드레스 신호에 의하여 서로 다른 동작 시간에 제어 신호가 발생되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 감지 증폭기 인에이블 신호 발생수단은, 상기 선택된 셀 어레이 블럭에 따라 서로 다른 지연 신호를 만드는 장치와 상기 지연 신호를 이용하여 펄스 신호를 만드는 수단으로 구성되어 제어 신호로 펄스 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940040548A KR960025764A (ko) | 1994-12-31 | 1994-12-31 | 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940040548A KR960025764A (ko) | 1994-12-31 | 1994-12-31 | 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960025764A true KR960025764A (ko) | 1996-07-20 |
Family
ID=66648216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940040548A KR960025764A (ko) | 1994-12-31 | 1994-12-31 | 반도체 기억 소자의 글로벌 데이타 감지 증폭기 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960025764A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384061B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치에 적용되는 센스 증폭기의 제로 마진인에이블 조절 장치 및 방법 |
-
1994
- 1994-12-31 KR KR1019940040548A patent/KR960025764A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100384061B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2003-05-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치에 적용되는 센스 증폭기의 제로 마진인에이블 조절 장치 및 방법 |
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