KR890001095A - 전류전압 변환회로를 갖는 센스회로 및 그 반도체 메모리 - Google Patents

전류전압 변환회로를 갖는 센스회로 및 그 반도체 메모리 Download PDF

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KR890001095A
KR890001095A KR1019880006790A KR880006790A KR890001095A KR 890001095 A KR890001095 A KR 890001095A KR 1019880006790 A KR1019880006790 A KR 1019880006790A KR 880006790 A KR880006790 A KR 880006790A KR 890001095 A KR890001095 A KR 890001095A
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요시노브 나가고메
마사가즈 아오기
마사시 호리구찌
기요오 이도우
신이찌 이게나가
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미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

전류전압 변환회로를 갖는 센스회로 및 그 반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예를 도시하는 회로도.
제4도는 본 발명의 실시예를 설명하는 신호 타이밍도.
제5도는 본 발명에 사용되는 전류전압 변환회로.

Claims (11)

  1. 적어도 1개의 절연게이트 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 여러개의 메모리 셀로되는 메모리 셀 어레이(1), 메모리 셀이 접속되는 여러개의 데이타선, 여러개의 메모리 셀 어레이중의 1개의 메모리 셀을 선택하여 데이타선에 접속하는 어드레스 선택기구(5), 데이타선에 접속되고 그 전압을 메모리 셀의 정보에 따라서 증폭하는 수단 (2), 칼럼 어드레스로 선택되는 칼럼 스위치(3)을 거쳐서 데이타선에 접속한 공통선(6A,6B), 공통선(6A,6B)에 접속한 주증폭기에 있어서 상기 주증폭기가 적어도 공통선의 전압을 안정화하는 기구(11) 및 증폭기(12)를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리의 센스회로.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 전압을 안정화하는 기구로서는 공통선을 입력으로 하는 전류전압 변환기구(11)을 적어도 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리의 센스회로.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 전류전압 변환기구(11)로서는 공통선의 전압을 한쪽의 입력으로 하고 기준전압원을 다른쪽의 입력으로 하는 차동증폭기와 상기 차동증폭기의 출력에 의해서 제어되어 공통선에 전류를 공급하는 전압 제어 전류 구동소자를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리의 센스회로.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 전압제어 전류 구동소자로서는 절연게이트(MIS)형의 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리의 센스회로.
  5. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 전류전압 변환기구(11)로서는 공통선의 전압을 입력으로 하는 반전증폭기(인버터)와 상기 반전증폭기의 출력에 의해서 제어되어 공통선에 전류를 공급하는 전압제어전류구동소자를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리의 센스회로.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 전압제어 전류 구동소자로서는 절연게이트(MIS)형의 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리의 센스회로.
  7. 여러개의 워드선, 상기 워드선과 직교하도록 마련된 여러개의 메모리셀, 상기 여러개의 워드선중 적어도 1개를 선택하기 위한 제1의 디코드 수단(5), 상기 여러개의 데이타선중 적어도 1개를 선택하여 공통선에 접속하기 위한 제2의 디코드 수단(55) 및 상기 공통선에 리드된 상기 메모리셀의 정보를 센스하는 전류전압 변환회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 전류전압 변환기구(11)로서는 공통선의 전압을 한쪽의 입력으로 하고 기준전압원을 다른쪽의 입력으로 하는 차동증폭기와 상기 차동증폭기의 출력에 의해서 제어되어 공통선에 전류를 공급하는 전압 제어전류 구동소자를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 전압제어 전류구동 소자로서는 절연게이트(MIS)형의 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  10. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 전류전압 기구(11)로서는 공통선의 전압을 입력으로 하는 반전 증폭기(인버터)와 상기 반전 증폭기의 출력에 의해서 제어되어 공통선에 전류를 공급하는 전압제어 전류 구동 소자를 적어도 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 전압제어 전류 구동소자로서는 절연게이트(MIS)형의 트랜지스터를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880006790A 1987-06-19 1988-06-07 전류전압 변환회로를 갖는 센스회로 및 그 반도체메모리 KR960013844B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010079084A (ko) * 2001-06-12 2001-08-22 이은진 칼슘의 왕인 멸치가루를 첨가한 김
KR20030059733A (ko) * 2002-01-04 2003-07-10 정경희 영양 혼합포
KR20040027203A (ko) * 2002-09-27 2004-04-01 박종호 녹차김 및 그 제조방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5325001A (en) * 1992-07-02 1994-06-28 Brooktree Corporation Negative feedback sense pre-amplifier
JP3004177B2 (ja) * 1993-09-16 2000-01-31 株式会社東芝 半導体集積回路装置
US6292117B1 (en) * 1999-09-01 2001-09-18 Hewlett-Packard Company Integrated adjustable current to voltage converter and digital quadrature generator in a printer paper positioning system
US7813199B2 (en) * 2008-04-22 2010-10-12 Micron Technology, Inc. Current mode data sensing and propagation using voltage amplifier
CN103222002B (zh) * 2010-11-19 2018-04-24 慧与发展有限责任合伙企业 用于读取阵列中的电阻开关器件的电路和方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4150441A (en) * 1978-03-20 1979-04-17 Microtechnology Corporation Clocked static memory
JPS6032912B2 (ja) * 1979-09-13 1985-07-31 株式会社東芝 Ｃｍｏｓセンスアンプ回路
JPS61224192A (ja) * 1985-03-29 1986-10-04 Sony Corp 読出し増幅器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010079084A (ko) * 2001-06-12 2001-08-22 이은진 칼슘의 왕인 멸치가루를 첨가한 김
KR20030059733A (ko) * 2002-01-04 2003-07-10 정경희 영양 혼합포
KR20040027203A (ko) * 2002-09-27 2004-04-01 박종호 녹차김 및 그 제조방법

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