KR950020703A - 반도체 기억 장치(Semiconductor Memory Device) - Google Patents
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Abstract
본 발명은 센스 증폭기의 독출 동작 속도를 빠르게 하는 것을 목적으로 한다.
반전 증폭기 IV31과 함께 레벨 유지 회로를 형성하는 트랜지스터 Tr32의 소스와 전원 전위 Vdd점과의 사이에 트랜지스터 Tr32보다 충분히 큰 온 저항 및 동일 정도의 전류 구동 능력을 갖고 있는 트랜지스터 Tr33을 설치한다. 트랜지스터 Tr32의 게이트 길이를 제작가능한 범위에서 최대한 짧게 한다.
트랜지스터 Tr32의 게이트 용량 즉 반전 증폭기 IV31의 부하 용량이 적게 되어 독출 동작 속도가 빠르게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 도시하는 회로도.
Claims (2)
- 복수의 디지트 선, 이들 복수의 디지트 선과 절연되어 교차하는 복수의 워드선, 및 상기 복수의 디지트 선 및 워드선의 교차부에 설치되어 한단을 대응하는 디지트 선에 다른 단을 기준 전위점에 각각 접속하여 대응하는 워드선이 선택 레벨일 때 한단 및 다른 단 사이가 도통 상태인지 비도통 상태인지에 따라 2값 정보를 기억하는 복수의 메모리 셀을 구비한 메모리 셀 어레이, 열 선택 신호에 따라 상기 복수의 디지트 선 중 하나를 선택하는 열 선택 회로, 및 이 열 선택 회로에 의해 디지트 선을 프리챠지 신호에 따라 소정의 타이밍에서 소정 전위로 프리챠지하는 제1트랜지스터, 입력단에 상기 선택된 디지트 선의 신호를 수신하여 이 신호와 대응한 레벨 반전 신호를 출력하는 반전 증폭기, 게이트를 이 반전 증폭기의 출력단과 접속하고, 드레인을 반전 증폭기의 입력단과 접속하여 상기 반전 증폭기와 함께 이 반전 증폭기의 입력단, 출력단의 신호 레벨을 유지하는 제2트랜지스터, 및 소스에 소정 레벨의 전위를 수신하고, 드레인을 상기 제2트랜지스터의 소스와 접속하여 도통 상태로 하여 상기 제2트랜지스터보다 충분히 큰 온 저항으로 또한, 이 제2트랜지스터와 동일 정도의 전류 구동 능력으로 상기 제2트랜지스터의 소스에 상기 소정 레벨의 전위를 전달하는 제3트랜지스터를 구비한 센스 증폭기를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 센스 증폭기에 소정 레벨의 전류를 발생하는 정전류원 회로, 및 소스에 소정 레벨의 전위를 수신하여 드레인 및 게이트에 상기 정전류원 회로로부터의 전류를 수신하고, 제3트랜지스터와 함께 전류 미러회로를 형성하여 상기 제3트랜지스터에 흐르는 전류를 제어하는 제4트랜지스터를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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