KR930005199A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR930005199A
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KR
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semiconductor memory
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KR1019920015431A
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English (en)
Inventor
마사오 미즈카미
요우이치 사토우
사토시 시나가와
유키오 나하노
Original Assignee
가나이 쓰토무
가부시키가이샤 히타치 세이사쿠쇼
오오노 미노루
히타치쬬오엘·에스·아이·엔지니아링 가부시키가이샤
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
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    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
    • G11C11/412—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using field-effect transistors only

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 다포트 메모리의 제1실시예를 나타내는 블럭도,
제2도는 제1도의 다포트 메모리에 포함된 메모리 어레이 및 더미어레이의 일실시예를 나타내는 회로도,
제3도는 제2도의 메모리 어레이에 포함된 메모리셀의 일실시예를 나타내는 회로도.

Claims (5)

  1. 메모리셀이 격자상으로 배치되게 되는 메모리 어레이를 구비한 반도체 기억장치에 있어서, 각 메모리셀열에 각각 대응해서 설치되고, 기록 데이터선으로 겸용하는 열선택신호선과, 열선택용 어드레스 신호와 기록데이터에 의해서 상기 열선택 신호선에 공급되는 신호를 형성하는 회로로 이루어진 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 각열선택 신호선은 한쌍의 신호선이고, 사이 메모리셀은 한쌍의 인버터가 교차 결합되게 되는 랫치회로와 상기 랫치회로의 비반전 또는 반전압출력 노드와 제1의 전원전압과의 사이에 설치되어 상기 열선택 신호선에 결합되는 한쌍의 제1스위치 수단을 포함하는 반도체 기억장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 메모리셀은 상기 제1의 스위치 수단과 직렬형태로 설치된 기록용 행선택 신호에 따라서 선택적으로 온상태로 되는 한쌍의 제2스위치수단을 포함하는 반도체 기억장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 메모리셀은 상기 랫치회로의 비반전 또는 반전 입출력노드와 판독용 데이터선과의 사이에 설치되어 판독용 행선택신호에 따라서 선택적으로 온상태로 되는 제3의 스위치 수단을 포함하는 반도체 기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 더미셀이 선택적으로 접속되는 더미데이터선과 그 한쪽의 입력단자가 상기 판독용 데이터선에 접속되어 그 다른쪽의 입력단자가 상기 더미데이터선에 접속되는 타동형 센스앰프로 더 구성되는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015431A 1991-08-30 1992-08-26 반도체 기억장치 KR930005199A (ko)

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JP24485191 1991-08-30

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