KR900019043A - 집적 전계 효과 트랜지스터 메모리 - Google Patents

집적 전계 효과 트랜지스터 메모리 Download PDF

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프레데릭 얀 스미트
엔. 브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

집적 전계 효과 트랜지스터 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 센스 증폭기의 실시예.

Claims (4)

  1. 행렬형태로 배열되고, 메모리 셀의 각 열은 선택수단에 의해 비트선 및 논-비트선에 접속된 메모리 셀과, 그리고 비트선 및 열의 관련 논-비트선에 결합하기 위한 첫번째 및 두번째 입력을 포함하는 적어도 하나의 센스 증폭기를 구비하며, 상기 각 비트선은 부하를 경유해 공급 터미날에 접속되고, 상기 센스 증폭기는 첫번째 및 두번째 전류 입력측상에서 정보를 판독하는 동안 첫번째 및 두번째 전류 측정을 행하며, 상기 센스 증폭기는 첫번째 및 두번째 브랜치와 병렬 접속부를 구비하고, 각 전류 브랜치는 게이트, 소스 및 드래인 단자를 가지는 제어 트랜지스터를 포함하며, 상기 첫번째 및 두번째 전류 브랜치의 제어 트랜지스터의 소스 단자는 상기 첫번째 및 두번째 입력 단자에 각각 접속되는 구성으로 된 집적 전계효과 트랜지스터 메모리에 있어서, 센스 증폭기는 전류 측정 동안에 첫번째 및 두번째의 전압을 동일하게하고, 각 전류 브랜치 내에서 제어 트랜지스터 게이트 단자는 다른 전류 브랜치의 제어 트랜지스터의 드래인 단자에 접속되며, 게이트, 소스 및 드랜인 단자를 포함하는 부하 트랜지스터의 채널은 관련된 제어 트랜지스터의 드레인과 각 전류 브랜치의 공급 터미날 사이에 접속되며, 상기 부하 트랜지스터는 상기 관련된 전류 브랜치에서 제어 트랜지스터와 동일한 도전형이고, 상기 부하 트랜지스터의 결합된 게이트 단자는 상기 센스 증폭기의 선택적인 활성을 위한 선택 신호를 수신하는 것을 특징으로 하는 집적 전계효과 트랜지스터 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부하 트랜지스터 및 각 전류 브랜치의 제어 트랜지스터는 P-형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 집적 전계효과 트랜지스터 메모리.
  3. 상기 제1항 또는 제2항에 있어서, 수개의 센스 증폭기는 출력측에서 동일한 데이타 버스에 접속되며, 상기 데이타 버스와 공급 터미날 사이에 다이오드로서 결합된 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적 전계효과 트랜지스터 메모리.
  4. 상기 제1, 제2 또는 제3항에 있어서, 각 전류 브랜치에서 상기 부하 트랜지스터의 폭/길이 비(W/L)가 실제적으로 상기 제어 트랜지스터의 폭/길이 비(W/L)와 동일한 것을 특징으로 하는 집적 전계효과 트랜지스터 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900007832A 1989-05-31 1990-05-30 집적 전계 효과 트랜지스터 메모리 KR0155374B1 (ko)

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