KR970029806A - 비트라인 감지 증폭기 - Google Patents

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KR970029806A
KR970029806A KR1019950039983A KR19950039983A KR970029806A KR 970029806 A KR970029806 A KR 970029806A KR 1019950039983 A KR1019950039983 A KR 1019950039983A KR 19950039983 A KR19950039983 A KR 19950039983A KR 970029806 A KR970029806 A KR 970029806A
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이재진
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 반도체 기억장치의 비트라인 감지 증폭기에 관한 것으로, 풀-업/풀-다운 구동 그라이버단과 감지 증폭기 사이에 각각 병렬로 2개씩의 스위치 소자를 첨가하여 라이트 동작신호 및 컬럼디코더출력신호에 의해 그 동작이 각각 제어되도록 구현하여 두개 이상의 데이타를 동시데 라이트하는 동작에서 상기 감지 증폭기의 구동 능력이 작아 지도록 상기 스위치 소자를 제어함으로써, 라이트 동작속도를 향샹시키는 효과가 있다.

Description

비트라인 감지 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 비트라인 감지 증폭기를 도시한 회로도.

Claims (6)

  1. 반도체 기억장치 있어서, 적어도 두개 이상의 셀에 저장된 데이타를 각각 감지 증폭하기 위한 감지 증폭기와, 상기 감지 증폭기 및 데이타버스라인 사이에 각각 접속되고 컬럼디코더출력신호에 의해 그 동작이 각각 제어되는 데이타 전달 수달 수단과, 상기 감지 증폭기에 구동시키기 위한 진위 바이어스 전위를 공급하는 풀-업 드라이버 수단과, 상기 감지 증폭기를 구동시키기 의한 보수 바이어스 전위를 공급하는 풀-다운 드라이버 수단과, 상기 풀-업 드라이버 수단 및 감지 증폭기 사이에 병렬로 접속된 제1, 제2 스위치 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 풀-다운 드라이버 수단 및 감지 증폭기 사이에 병렬로 접속된 제3, 제4 스위치 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 비트라인감지 증폭기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제3 및 제4 스위치 수단은 NMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제3 스위치 수단은 컬럼 디코더 출력신호에 의해 그 동작에 제어되는 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
  5. 제1항에 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 및 제4 스위치 수단은 라이트 동작 인에이블 신호에 의해 그 동작이 제어되는 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 스위치 수단은 PMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 비트라인 감지 증폭기.
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