KR980004961A - 디램 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 센싱 동작이후에 전원전위와 접지전위로 되어 있는 센스앰프 바이어스 전위를 다음에 동작하는 센스앰프 바이어스로 전달한 이후에 동화 동작을 수행하도록 함으로써, 다음 센스앰프가 동작할 때의 전류소모를 줄인 디램에 관한 것으로, 로오 어드레스에 의해 워드라인을 선택 구동하는 로오 디코더와, 상기 선택된 워드라인에 접속된 비트라인에 데이타를 감지·증폭하는 센스앰프와, 상기 센스앰프를 구동시키는 풀-업/풀-다운 바이어스 전위신호를 만드는 센스앰프 드라이브와, 상기 센스앰프가 동작을 하지 않을때 센스앰프 구동 바이어스 전위를 등작시키는 등화 수단과, 상기 비트라의 데이타를 컬럼 디코더 출력신호에 의해 데이타 버스라인으로 전달하는 데이타 전달 수단을 각각 구비한 제1, 제2 어레이와, 상기 제1 어레이의 센스앰프 바이어스 전위와 상기 제2 어레이의 센스앰프 바이어스 전위 사이에 접속되며 상기 두개의 바이어스 전위의 연결을 스위칭하는 신호 전달 수단과, 상기 신호 전달 수단과 센스앰프 드라이브 및 등화 수단의 동작을 각각 제어하는 신호를 발생시키는 제어신호 발생 수단을 구비하였다.

Description

디램
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실싱예에 의한 디램의 부분회로도이다.

Claims (4)

  1. 다수개의 메모리 셀로 구성된 메모리 셀 어레이와, 로오 어드레스에 의해 워드라인을 선택 구동하는 로오다코더와, 상기 선택된 워드라인에 접속된 비트라인의 데이타를 감지·증폭하는 센스앰프와, 상기 센스앰프를 구동시키는 풀-업/풀-다운 바이어스 전위신호를 만드는 센스 앰프 드라이브와, 상기 센스앰프가 동작을 하지 않을때 센스앰프 구동 바이어스 전위를 동화시키는 동화 수단과, 상기 비트라인의 데이타를 컬럼 디코더 출력 신호에 의해 데이타 버스라인으로 전달하는 데이타 전달 수단을 각각 구비한 제1, 제2 어레이를 갖는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 제1어레이의 센스앰프 바이어스 전위와 상기 제2어레이의 센스앰프 바이어스 전위 사이에 접속되며 상기 두개의 바이어스 전위의 연결을 스위칭하는 신호 전달 수단과, 상기 신호 전달 수단과 센스엠프 드라이브 및 동화 수단의 동작을 각각 제어하는 신호를 발생시키는 제어신호 발생 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 디램.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1어레이의 센스엠프 바이어스 전위 등화 수단은 상기 신호 전달 수단이 일정구간 턴-온되고 난 이후에 동작하고, 상기 제2어레이의 센스앰프 드라이브는 상기 신호 전달 수단이 일정구간 턴-온되고 난 이후에 동작하는 것을 특징으로 하는 디램.
  3. 제1항에 있어서 상기 신호 전달 수단은 MOS로 이루어진 것을 특징으로 하는 디램.
  4. 제3항에 있어서 상기 MOS는 PMOS와 NMOS로 이루어진 것을 특징으로 하는 디램.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100298443B1 (ko) * 1998-08-18 2001-08-07 김영환 센스앰프제어회로

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1619688A1 (en) * 2004-07-21 2006-01-25 Dialog Semiconductor GmbH Dynamical biasing of memory sense amplifiers
JP2006054017A (ja) 2004-08-13 2006-02-23 Micron Technology Inc メモリディジット線のキャパシタ支持によるプレチャージ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943944A (en) * 1987-11-25 1990-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory using dynamic ram cells
JPH04258875A (ja) * 1991-02-14 1992-09-14 Sharp Corp 半導体メモリ装置
US5280452A (en) * 1991-07-12 1994-01-18 International Business Machines Corporation Power saving semsing circuits for dynamic random access memory
KR950009234B1 (ko) * 1992-02-19 1995-08-18 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 비트라인 분리클럭 발생장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100298443B1 (ko) * 1998-08-18 2001-08-07 김영환 센스앰프제어회로

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