SU1277208A1 - Запоминающее устройство - Google Patents

Запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU1277208A1
SU1277208A1 SU843731670A SU3731670A SU1277208A1 SU 1277208 A1 SU1277208 A1 SU 1277208A1 SU 843731670 A SU843731670 A SU 843731670A SU 3731670 A SU3731670 A SU 3731670A SU 1277208 A1 SU1277208 A1 SU 1277208A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
elements
output
bit
outputs
Prior art date
Application number
SU843731670A
Other languages
English (en)
Inventor
Андрей Сергеевич Березин
Валерий Алексеевич Лапшинский
Евгений Михайлович Онищенко
Original Assignee
Отделение Всесоюзного научно-исследовательского института электромеханики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Отделение Всесоюзного научно-исследовательского института электромеханики filed Critical Отделение Всесоюзного научно-исследовательского института электромеханики
Priority to SU843731670A priority Critical patent/SU1277208A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1277208A1 publication Critical patent/SU1277208A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть ис пользовано при построении ОЗУ с перестраиваемой разр дной организацией. Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой .ющности. Поставленна  цель достигаетс  за счет введени  формирователей импульсов, групгы элементов И, элементов 2ШШ-И, элемента ИЛИ, элемента И и инвертора с соответствующими св з ми. При однораз-:, р дной организации в устройстве функционирует лишь один блок пам ти,включающий накопитель 2, усилитель 3, дешифратор 4, а при многоразр дном варианте - все блоки пам ти. 1 ил. (Л to to о 00

Description

Изобретение относитс  к вычи(ли- тельной технике, в .частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано при построении оперативных запоминающих устройств с перестраиваемой разр дной организацией.
Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности устройства .
На чертеже приведена функциональна  схема предлагаемого устройства.
Запоминающее устройство содержит адресный дешифратор 1, накопители 2, усилители 3, разр дные дешифраторы 4, инвертор 5, основные элементы И 6, дополнительный элемент И 7, формирователи 8 импульсов, дешифратор 9 выбора разр дности, элементы Zl-tJlH-H 10, элемент ИЛИ 11, шину 12 выбора разр дности, шину 13 записи-считывани , основные входы 14 устройства, дополнительный вход 15 устройства, основные выходы 16 устройства, дополнительный выход 17 устройства и управл ющие входы 18 и 19 устройства,
Устройство работает следуюо им образом .
В случае многоразр дной организации и при наличии на входе 19 нуле- (Вого сигнала формирователи 8 наход тс  во включенном состо нии и усилители 3 и дешифраторы 4 подключены к источнику питани  (не показан). По- в режиме записи информахщ  с
сигнал. Данные поступают через вход 15 одноразр дной записи устройства через элемент И 7 на вторые входы всех элементов 2И,ПИ-И 10. Но воспри5 нимаютс  записываемые данные лишь с выхода одного из элементов 2ИЛИ-И 10, соединенного с входом усилител  3, подключенного к источнику питани . Таким образом, в случае одноразр дfO ной организации в устройстве функционирует лишь один блок пам ти, включающий накопитель 2, усилитель 3, один разр дньй дешифратор 4, а в мно- -горазр дном варианте - все блоки па 5 м ти. По сравнению с известным устройством при числе разр дов равном 4 потребл ема  мощность в предлагаемом устройстве уменьшена в два раза.
20

Claims (1)

  1. Изобретение относитс  к вычи(лительной технике, в .частности к запоминающим устройствам, и может быть использовано при построении оператив ных запоминающих устройств с перестраиваемой разр дной организацией. Целью изобретени   вл етс  уменьшение потребл емой мощности устройства . На чертеже приведена функциональна  схема предлагаемого устройства. Запоминающее устройство содержит адресный дешифратор 1, накопители 2, усилители 3, разр дные дешифраторы 4 инвертор 5, основные элементы И 6, дополнительный элемент И 7, формирователи 8 импульсов, дешифратор 9 выбора разр дности, элементы Zl-tJlH-H 10, элемент ИЛИ 11, шину 12 выбора разр дности, шину 13 записи-считывани , основные входы 14 устройства, дополнительный вход 15 устройства, основные выходы 16 устройства, допол нительный выход 17 устройства и управл ющие входы 18 и 19 устройства, Устройство работает следуюо им образом . В случае многоразр дной организации и при наличии на входе 19 нуле (Вого сигнала формирователи 8 наход т с  во включенном состо нии и усилители 3 и дешифраторы 4 подключены к источнику питани  (не показан). Поэтo fy в режиме записи информахщ  с основных входов 14 поступает на одни из входов элементов 2ИЛИ-И 10 и при считывании она по вл етс  на выходах 16 устройства, т.е. устройство работает в обычном режиме. В случае одноразр дной организации на входе 20 устройства по вл етс  единичный сигнал. При этом во включенном состо нии оказываетс  лиш один из формирователей В, определ емый единичным сигналом с соответствующего выхода дешифратора 9. Соответственно , к источнику питани  подключены один из усилителей 3 и один из разр дных дешифраторов 4. В режиг ме считывани  все усилители 3, кроме одного, отключены от источника питани  и на их выходах присутствуют нулевые сигналы. Поэтому с выхода усилител  3, подключенного к источнику питани , данные считываютс  через элемент ИЛИ 11 на выходе 17 одноразр дного считывани . В режиме записи на шине 13 присутствует единичный сигнал. Данные поступают через вход 15 одноразр дной записи устройства через элемент И 7 на вторые входы всех элементов 2И,ПИ-И 10. Но воспринимаютс  записываемые данные лишь с выхода одного из элементов 2ИЛИ-И 10, соединенного с входом усилител  3, подключенного к источнику питани . Таким образом, в случае одноразр дной организации в устройстве функционирует лишь один блок пам ти, включающий накопитель 2, усилитель 3, один разр дньй дешифратор 4, а в многоразр дном варианте - все блоки пам ти . По сравнению с известным устройством при числе разр дов равном 4 потребл ема  мощность в предлагаемом устройстве уменьшена в два раза. Формула изобретени  Запоминающее устройство, содержащее накогштели, адресные входы которых соединены с выходами адресного дешифратора, усилители, информационные входы которых соединены с выходами накопителей, разр дные дешифраторы , одни входы которых  вл ютс  первой группой адресных входов устройства , входы адресного дешифратора  вл ютс  второй группой адресных входов устройства, д€;шифратор выбора разр дности , входы которого  вл ютс  третьей группой адресных входов устРОиства , шину разрешени  записи-считывани , шину выбора разр дности. отличающеес  тем, что, с целью уменьшени  потребл емой мощности устройства, в него введены формирователи импульсов, группа элементов И, элементы 2ИЛИ-И, элемент ИЛИ, элемент И и инвертор, вход которого соединен с шиной выбора разр дности, выход инвертора соединен с первыми входами формирователей импульсов, вторые входы которых соединены с выходами дешифратора выбора разр дности , выходы формирователей импульсов соединены с вторыми входами разр дных дешифраторов и с первыми управл ющими входами ус:ш1ителей, выходы которых соединены с первыми входами элементов И группы, вторые входы которых соединены с выходом инвертора, выходы элементов И группы  вл ютс  выходами устройства, выходы элементов 2ИЛИ-И соединены с вторыми управл ющими входами усилителей, первые входы элементов 2 ИЛИ-И соединены с
    3 1277208
    шиной разрешени  записи-считывани ,выбора разр дности, третьи входы элевторые входы элементов 2ИЛИ-И соеди-ментов 2ИЛИ-Н  вл ютс  другими инфорнены с выходом элемента И, первыймационными входами устройства, выховход которого  вл етс  одним из ин-Ды усилителей соединены с входами
    формационных входов устройства, вто-5 элемента ИЛИ, выход которого  вл етс 
    рой вход элемента И соединен с щинойвыходом устройства.
SU843731670A 1984-04-18 1984-04-18 Запоминающее устройство SU1277208A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843731670A SU1277208A1 (ru) 1984-04-18 1984-04-18 Запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843731670A SU1277208A1 (ru) 1984-04-18 1984-04-18 Запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1277208A1 true SU1277208A1 (ru) 1986-12-15

Family

ID=21115519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843731670A SU1277208A1 (ru) 1984-04-18 1984-04-18 Запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1277208A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Карахан н Э.Р. и др. Динамические интегральные схемы пам ти, Изд-вс Радио М.: 1984, с. 12-13. Патент US № 4854256, кл.365/189, опублик. 1982. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3317187B2 (ja) 半導体記憶装置
US5796660A (en) Memory device and serial-parallel data transform circuit
US4879692A (en) Dynamic memory circuit with improved sensing scheme
US5978246A (en) Content addressable memory device
GB1438861A (en) Memory circuits
US4718043A (en) Memory circuit with improved power-down control
KR890001085A (ko) 레지스터를 구비한 반도체 메모리 장치
EP0121726A3 (en) Multi-port memory cell and system
US5003542A (en) Semiconductor memory device having error correcting circuit and method for correcting error
JPH0760600B2 (ja) 同期型記憶装置
KR20000009375A (ko) 기입 시간을 최소화하는 메모리장치 및 데이터 기입방법
JPH05250872A (ja) ランダム・アクセス・メモリ
SU1277208A1 (ru) Запоминающее устройство
KR100219008B1 (ko) 고속 판독 반도체 메모리
US5329494A (en) Memory cell array divided type semiconductor memory device
KR100313514B1 (ko) 하이브리드 메모리 장치
JPS63184987A (ja) 半導体記憶装置
JPH0652680A (ja) 半導体記憶装置
KR0138975B1 (ko) 반도체 메모리 장치
SU1062787A1 (ru) Запоминающее устройство
KR970051212A (ko) 메모리의 센스 앰프 구동 제어 회로
SU765878A1 (ru) Долговременное запоминающее устройство
US4719597A (en) Driving circuit for a shared sense amplifier with increased speed clock generation circuit for reading addressed memory cells
JPH06119793A (ja) 読み出し専用記憶装置
JPH06105554B2 (ja) 半導体記憶装置