KR940010090A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

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KR940010090A
KR940010090A KR1019920019988A KR920019988A KR940010090A KR 940010090 A KR940010090 A KR 940010090A KR 1019920019988 A KR1019920019988 A KR 1019920019988A KR 920019988 A KR920019988 A KR 920019988A KR 940010090 A KR940010090 A KR 940010090A
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이정혁
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

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Abstract

본 발명은 듀얼 포트 기능을 가진 반도체 메모리 장치의 입출력 제어회로를 공개한다. 그 회로는 데이타라인에 전송된 데이타를 저장하거나 저장된 데이타를 상기 데이타라인에 전송하기 위한 메모리 셀들, 열 어드레스 신호를 디코드하는 열 어드레스 디코더, 라이트 마스크 신호와 플래쉬 디코드하는 열 어드레스 디코더, 라이트 마스크 신호와 플래쉬 라이트 인에이블 신호를 입력하여 플래쉬 라이트 인에이블 신호를 발생하는 플래쉬 라이트 인에이블 신호 발생수단, 상기 열 어드레스 디코더의 출력신호와 상기 플래쉬 라이트 인에이블 신호 발생 수단으로 부터의 플래쉬 라이트 인에이블 신호에 응답하는 게이트들, 상기 게이트들의 출력신호에 의해서 온되는 전송게이트들, 상기 전송게이트들에 전송할 데이타들을 선택하는 선택회로로 구성되어 있다. 따라서, 열 선택통로를 제어하기가 용이하고 동작시간이 빨라진다.

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 메모리장치의 구성을 나타내는 것이다.

Claims (3)

  1. 데이타라인에 전송된 데이타를 저장하거나 저장된 데이타를 상기 데이타라인에 전송하기 위한 메모리 셀들; 열 어드레스 신호를 디코드하는 열 어드레스 디코더; 라이트 마스크 신호와 플래쉬 라이트 인에이블 신호를 입력하여 플래쉬 라이트 인에이블 신호를 발생하는 플래쉬 라이트 인에이블 신호 발생수단; 상기 열 어드레스 디코더의 출력신호와 상기 플래쉬 라이트 인에이블 신호 발생 수단으로 부터의 플래쉬 라이트 인에이블 신호에 응답하는 게이트들; 상기 게이트들의 출력신호에 의해서 온되는 전송게이트들; 상기 전송게이트들에 전송할 데이타들을 선택하는 선택회로로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플래쉬 라이트 인에이블 신호 발생수단은 반전 플래쉬 라이트 인에이블 신호와 상기 라이트 마스크 신호를 입력하여 논리합하는 게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 게이트들은 상기 플래쉬 라이트신호와 상기 어드레스 디코더의 출력신호들을 각각 입력하여 상기 전송 게이트들을 온하기 위한 게이트들로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920019988A 1992-10-29 1992-10-29 반도체 메모리장치 KR950003396B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100494201B1 (ko) * 1996-06-19 2005-08-24 씨러스 로직 인코포레이티드 메모리시스템,i/o서브시스템장치,및메모리장치를동작시키는방법

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KR100494201B1 (ko) * 1996-06-19 2005-08-24 씨러스 로직 인코포레이티드 메모리시스템,i/o서브시스템장치,및메모리장치를동작시키는방법

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