KR950012457A - 반도체 기억소자의 어드레스 입력장치 - Google Patents

반도체 기억소자의 어드레스 입력장치 Download PDF

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KR950012457A
KR950012457A KR1019930022159A KR930022159A KR950012457A KR 950012457 A KR950012457 A KR 950012457A KR 1019930022159 A KR1019930022159 A KR 1019930022159A KR 930022159 A KR930022159 A KR 930022159A KR 950012457 A KR950012457 A KR 950012457A
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현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 어드레스 입력장치에 입력 어드레스 신호의 변화를 감지할 수 있는 어드레스 전이 검출회로를 구현하여, 소자 외부로부터 입력되는 어드레스 신호의 변화가 없는 경우에는 내부의 어드레스 신호 발생회로에서 출력된 어드레스 신호를 내부회로로 전달하여 반도체 기억소자가 니블 모드로 동작하게 하고, 소자외부로부터 입력되는 어드레스 신호의 변화가 있는 경우에는 외부로부터 입력되는 어드레스 신호를 내부회로로 전달하여 반도체 기억소자가 페이지 모드로 동작하도록 함으로써, 하나의 워드라인을 인에이블시킨 상태에서 빠른 동작속도로 많은 양의 데이타를 출력할 수 있게 한 반도체 기억소자의 어드레스 입력장치에 관한 것이다.

Description

반도체 기억소자의 어드레스 입력장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 어드레스 입력장치를 도시한 블럭구성도.

Claims (1)

  1. 소자 외부로부터의 어드레스 신호를 받아들이는 어드레스 버퍼와, 소자 외부에서 입력된 이전의 어드레스 신호를 기억하고 있다가 내부어드레스 신호를 발생시키는 어드레스 신호 발생회로와, 상기 어드레스 버퍼로 입력되는 어드레스 신호의 변화를 감지할 수 있는 어드레스 전이 검출회로와, 상기 어드레스 전이 검출회로의 출력에 의해 제어되어 소자 외부로부터 받아들인 어드레스 신호를 내부회로에 전달할 것인지 아니면 상기 어드레스 신호 발생회로에서 출력된 어드레스 신호를 내부회로에 전달할 것인지를 선택하는 제어회로와, 상기 제어회로에서 선택하여 출력한 어드레스 신호를 필요한 시간 동안 래치시키는 어드레스 래치회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 어드레스 입력장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930022159A 1993-10-25 1993-10-25 반도체 기억소자의 어드레스 입력장치 KR960006273B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030071347A (ko) * 2002-02-28 2003-09-03 김용은 광섬유 자수 장치

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