KR950001777A - 반도체 기억 장치 - Google Patents

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KR950001777A
KR950001777A KR1019940014422A KR19940014422A KR950001777A KR 950001777 A KR950001777 A KR 950001777A KR 1019940014422 A KR1019940014422 A KR 1019940014422A KR 19940014422 A KR19940014422 A KR 19940014422A KR 950001777 A KR950001777 A KR 950001777A
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야스히로 호따
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쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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    • G11C7/1027—Static column decode serial bit line access mode, i.e. using an enabled row address stroke pulse with its associated word line address and a sequence of enabled bit line addresses
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract

본 발명의 반도체 기억장치에는 통상 액세스모드와 고속 액세스모드가 제공된다. 본 반도체 기억장치는 어드레스신호의 변화를 검출하기 위해 어드레스 신호의 일부인 각 비트신호를 위해 제공되는 변화검출수단; 상기 변화검출수단이 어드레스 신호의 변화를 검출할때 소정의 시간 동안 어드레스의 변화를 나타내는 신호를 발생하기 위한 타이머 수단; 및 각 액세스 모드에 있어서 액세스의 웨이트를 제어하는 신호로서 상기 타이머 수단에 의해 발생되는 신호를 출력하기 위한 출력수단을 포함한다.

Description

반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 어드레스변화 검출회로의 구성을 도시한 블럭도, 제2도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체 기억장치의 구성을 도시한 블럭도.

Claims (3)

  1. 어드레스신호의 변화를 검출하기 위해 어드레스 신호의 일부인 각 비트신호를 위해 제공되는 변화검출수단; 상기 변화검출수단이 어드레스 신호의 변화를 검출할때 소정의 시간 동안 어드레스의 변화를 나타내는 신호를 발생하기 위한 타이머 수단; 및 상기 타이머 수단에 의해 발생되는 신호를 각 액세스 모드에 있어서 액세스의 웨이트를 제어하는 신호로서 출력하기 위한 출력수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 변화검출수단은 비트신호가 입력되는 지연회로, 및 상기 비트신호와 상기 지연회로에서 소정 시간만큼 지연되는 비트 신호를 비교하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고속 액세스 모드는 페이지 모드인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940014422A 1993-06-22 1994-06-21 반도체 기억장치 KR0148430B1 (ko)

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JP93-150852 1993-06-22
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