KR930020443A - 데이타 리텐션(dr)모드 컨트롤 회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 데이타 리텐션(DR:data retention)모드를 제어하는 장치인 센스앰프 제어신호 발생장치에 관한 것으로, 본 발명에 의한 센스앰프 제어신호 발생장치를 워드라인의 인에이블 시점부터 엔형센스앰프 또는 피형센스앰프가 동작하기 시작하는 시점까지의 시간을 노멀동작모드보다 데이타 리텐션 동작 모드를 더 길게 조절하기 위하여 소정의 데이타 리텐션 모드 검출신호에 의해 제어되는 스위칭회로를 구비함을 특징으로 하는 센스앰프 제어신호 발생장치로 구성하여, 노멀동작 모드와 데이타 리텐션 동작모드시에 각각 지연시간이 다른 센스앰프 제어신호를 출력하므로서, 동작속도에 영향을 받지 않고 데이타 리텐션 모드를 수행하며 데이타 리텐션 동작시에 차아지 셰어링동작이 충분히 이루어지며 또한 데이타 리텐션 동작시에 직류전류의 발생이 방지되는 반도체 메모리 장치를 제공할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 센스앰프 제어신호 발생장치.
제7도는 제6도에 의한 제1도의 데이타 리텐션 모드시의 센스앰프 동작파형도.
Claims (4)
- 소정의 데이타를 계속 유지하기 위한 데이타 리텐션 기능을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 워드라인의 인에이블 시점부터 엔형센스앰프 또는 피형센스앰프가 동작하기 시작하는 시점까지의 시간을 노멀동작모드보다 데이타 리텐션 동작모드에서 더 길게 조절하기 위하여 소정의 데이타 리텐션 모드 검출신호에 의해 제어되는 스위칭회로를 구비함을 특징으로 하는 센스앰프 제어신호 발생장치.
- 소정의 데이타를 계속 유지하기 위한 데이타 리텐션 기능을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 엔형센스앰프의 동작을 시작하는 시점과 피형센스 앰프의 동작을 시작하는 시점까지의 시간을 노멀동작모드보다 데이타 리텐션 동작모드에서 더 길게 조절하기 위하여 소정의 데이타 리텐션 모드 검출신호에 의해 제어되는 스위칭회로를 구비함을 특징으로 하는 센스앰프 제어신호 발생장치.
- 소정의 워드라인신호를 입력하고 엔형 센스앰프 제어신호 발생장치(100)와 피형 센스앰프 제어신호 발생장치(200)를 가지는 센스앰프 제어신호 발생장치에 있어서, 상기 엔형 센스앰프 제어신호 발생장치(100)가 상기 워드 라인 신호를 입력하여 이를 소정시간 지연하기 위한 지연회로(31,32,33)로 이루어지는 노멀모드 인에이블회로(100A)와 상기 워드라인 신호를 입력하여 지연하고 소정의 데이타 리텐션 모드 검출신호(øDR)에 의해 제어되는 스위칭회로(35)를 구비하는 데이타 리텐션모드 인에이블회로(100B)와 상기 노멀모드 인에이블회로(100A)의 출력신호와 상기 데이타 리텐션모드 인에이블회로(100B)의 출력신호를 노아연산하여 앤형센스앰프 제어신호를 출력하는 출력회로(39,40,41)로 이루어짐과, 상기 피형 센스앰프 제어신호 발생장치(200)가 상기 엔형센스앰프 제어신호를 입력하여 이를 소정시간 지연하기 위한 지연회로(51,52,53)로 이루어지는 노멀모드 인에이블회로(200A)와, 상기 엔형 센스앰프 제어신호를 입력하여 지연하고 상기 데이타 리텐션 모드 검출신호(øDR)에 의해 제어되는 스위칭회로(55)를 구비하는 데이타 리텐모드 인에이블회로(200B)와 상기 노멀모드 인에이블회로(200A)의 출력신호와 상기 데이타 리텐션모드 인에이블회로(200B)의 출력신호를 노아연산하여 앤형센스앰프 제어신호를 출력하는 출력회로(59,60)로 이루어짐을 특징으로 하는 센스앰프 제어신호 발생장치.
- 제3항에 있어서, 데이타 리텐션모드시에는 상기 엔형 센스앰프 제어신호 발생장치(100)의 데이타 리텐션모드 인에이블회로(100B)의 출력이 인에이블됨과, 상기 피형 센스앰프 제어신호 발생장치(200)이 데이타 리텐션모드 인에이블회로(200B)의 출력이 인에이블됨을 특징으로 하는 센스앰프 제어신호 발생장치.※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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