KR920010625A - 반도체 집적회로 및 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 집적회로 및 반도체 기억장치 Download PDF

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KR920010625A
KR920010625A KR1019910020409A KR910020409A KR920010625A KR 920010625 A KR920010625 A KR 920010625A KR 1019910020409 A KR1019910020409 A KR 1019910020409A KR 910020409 A KR910020409 A KR 910020409A KR 920010625 A KR920010625 A KR 920010625A
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야수히로 후지이
히로히꼬 모히즈끼
유끼노리 고다마
아끼라 수기우라
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세끼자와 다다시
후지쓰 가부시끼가이샤
하니 도시유끼
후지쓰 브이엘 에스아이 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
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    • G11C—STATIC STORES
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 집적회로 및 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 원리의 개통도,
제8도는 번지 확장회로의 회로도,
제9도는 본 발명의 반도체장치의 원리도.

Claims (10)

  1. p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터를 갖는 단일의, 또는 다중 스텝 상보형트랜지스터회로와; 상기 상보형 트랜지스터 회로의 출력부에 접속된 콘덴서 및; 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터간에 직렬 접속된 저항으로 구성돼 있고, 정보 스토리지 번지를 지정하는데 사용되는 복수의 번지중 1번지의 비반전 번지신호를 상기 저항을 사용하여 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터 또는 상기 n-채널형 전계효과 트랜지스터의 전류를 제한함으로써 보정하여 상기 비반전 번지를 지연시키는 비반전 보정번지신호로서 출력하여, ON/OFF 전환시 상승과 하강간에 상이한 시정수를 부여하는 제1번지 확장회로와; p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터를 갖는 단일의, 또는 다중 스텝 상보형 트랜지스터 회로와; 상기 상보형 트랜지스터 회로의 출력부에 접속된 콘덴서 및; 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터간에 직렬 접속된 저항으로 구성돼 있고, 상기 1번지의 반전 번지신호를 보정하여 반전 보정 번지신호로서 출력하는 제2번지확장회로와; 상기 비반전 번지신호와, 비반전 보정 번지신호와, 반전 번지신호와, 반전 보정신호를 수신하여, 번지값의 변화를 나타내는 번지전이 검출신호를 출력하는 신호발생회로로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 직접회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1번지 확장회로와 제2번지 확장회로를 구성하는 콘덴서가, 상기 상보형 트랜지스터회로의 p-채널형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속된 것이 특징인 반도체 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1번지 확장회로와 제2번지 확장회로를 구성하는 콘덴서가, 상기 상보형 트랜지스터회로의 n-채널형전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속된 것이 특징인 반도체 집적회로,
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1번지 확장회로의 상기 상보형 트랜지스터회로가 반전 로직을 포함하고 있고, 2스탭 구성으로된 것이 특징인 반도체 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1번지 확장회로의 상기 콘덴서가 , 제1스탭의 상보형 트랜지스터를 구성하는 p-채널형 전계형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속돼 있고, 제2스탭의 상보형 트랜지스터를 구성하는 n-채널형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속된 것이 특징인 반도체 집적회로.
  6. 제1항에 있어서,상기 제2번지 확장회로의 상기 콘덴서가, 제1스텝의 상보형 트랜지스터를 구성하는 p-채널형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속돼 있고, 제2스텝의 상보형 트랜지스터를 구성하는 n-채널형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속된 것이 특징인 반도체 집적회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2번지 확장회로의 상기 콘덴서가, 제1스텝의 상보형 트랜지스터를 구성하는 p-채널형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속돼 있고, 제2스탭의 상보형 트랜지스터를 구성하는 n-채널형 전계효과 트랜지스터측의 출력부에 접속된 것이 특징인 반도체 집적회로.
  8. 제4항에 있어서, 상기 번지전이 검출수단의 저항의 구성재료가, 상기 상보형 트랜지스터 회로의 p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널전계효과 트랜지스터의 게이트의 구성재료와 동일한 것이 특징인 반도체 집적회로.
  9. p-채널형 전계효과 트랜지스터와, 이 트랜지스터와 셀영역이 다른 n-채널형 전계효과 트랜지스터를 갖는 단일의 또는 다중스텝 상보형 트랜지스터회로와; 상기 상보형 트랜지스터회로의 출력부에 접속된 콘덴서로 구성돼있고, 정보 스토리지 번지를 지정하는데 사용되는 복수의 번지중 1번지의 비반전 번지신호를 사용하여, 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터 또는 n-채널형 전계효과 트랜지스터의 전류를 제한함으로써 보정하여 , 상기 비반전 번지를 지연시키는 비반전 보정번지신호로서 출력하여, ON/OFF 전환시 상승과 하강간에 상이한 시정수를 부여하는 제1번지 확장회로와; P-채널형 전계효과 트랜지스터와, 이 트랜지스터와 셀영역이 다른n-채널형 전계효과 트랜지스터를 갖는 단일의, 또는 다중스텝 상보형 트랜지스터와; 상기 상보형 트랜지스터회로의 출력부에 접속된 콘덴서로 구성돼 있고, 상기 1번지의 반전 번지신호를 , 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터 또는 상기 n-채널형 전계효과 트랜지스터의 전류를 제한함으로써 보정하여, 상기 비반전 번지를 지연시키는 반전 보정번지신호로서 출력하여 ON/OFF 시 상승과 하강간에 상이한 시정수를 부여하는 제2번지 확장회로와; 상기 비반전 번지신호, 비반전 보정번지신호, 반전 번지신호 및 반전 보정번지 신호를 수신하여, 번지값의 변화를 나타내는 번지전이 검출신호를 출력하는 신호발생회로로 구성된 것이 특징인 반도체 집적회로.
  10. 정보를 기억하는 스토리지수단과; 상기 스토리지 수단의 컬럼방향의 신호라인을 선택하는 컬럼 선택수단과; 상기 정보의 기입/독출을 제어하는 정보 출력수단과; 상기 스토리지 수단의 로우방향의 신호라인을 선택하는 로우선택수단과; 상기 컬럼선택수단과 로우선택수단에 번지를 공급하는 번지 입/출력수단과; 번지전이 검출수단을 구비하며; 상기 번지전이 검출수단이, p-채널형 전계효과 트랜스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터를 갖는 단일의 또는 다중 스텝상보형 트랜지스터회로와; 상기 상보형 트랜지스터 회로의 출력부에 접속된 콘덴서 및; 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터간에 직렬 접속된 저항으로 구성돼 있고, 정보 스토리지 번지를 지정하는데 사용되는 복수의 번지중 1번지의 비반전 번지신호를 보정하여, 비반전 보정 번지신호로서 출력하는 제1번지확장회로와, p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터를 갖는 단일의 또는 다중 스텝상보형 트랜지스터회로와; 상기 상보형 트랜지스터회로의 출력부에 접속된 콘덴서 및; 상기 p-채널형 전계효과 트랜지스터와 n-채널형 전계효과 트랜지스터간에 직렬 접속된 저항으로 구성돼 있고, 상기 1번지의 반전 번지신호를 보정하여 반전보정 번지신호로서 출력하는 제2번지 확장회로와; 상기 반전 번지 신호와, 비반전 보정 번지신호와, 반전 번지신호와, 반전 보정 번지신호를 수신하여, 번지값의 변화를 나타내는 번지전이 검출신호를 출력하는 신호발생회로로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019910020409A 1990-11-16 1991-11-16 반도체 집적회로 및 반도체 기억장치 KR950014557B1 (ko)

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5418756A (en) * 1993-09-30 1995-05-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Edge transition detection disable circuit to alter memory device operating characteristics
US5696463A (en) * 1993-11-02 1997-12-09 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Address transition detecting circuit which generates constant pulse width signal
JP3177094B2 (ja) * 1994-05-31 2001-06-18 富士通株式会社 半導体記憶装置
US5519666A (en) * 1994-11-30 1996-05-21 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for an address transition detector
JPH08315567A (ja) * 1995-05-22 1996-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5682113A (en) * 1995-09-27 1997-10-28 Lg Semicon Co., Ltd. Pulse extending circuit
JPH09153288A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
KR0167300B1 (ko) * 1995-12-21 1999-02-01 문정환 메모리의 어드레스 천이 검출회로
KR100189740B1 (ko) * 1996-03-11 1999-06-01 구본준 어드레스 천이 검출 회로
JP3087653B2 (ja) * 1996-05-24 2000-09-11 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US5994937A (en) * 1996-11-06 1999-11-30 International Business Machines Corporation Temperature and power supply adjusted address transition detector
US5943291A (en) * 1997-03-12 1999-08-24 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for signal transition detection in integrated circuits
KR100273218B1 (ko) * 1997-06-19 2000-12-15 김영환 어드레스천이검출회로
KR100278988B1 (ko) * 1998-02-25 2001-02-01 김영환 어드레스 천이 검출회로
KR100280472B1 (ko) * 1998-04-24 2001-03-02 김영환 지연회로
JP4971699B2 (ja) * 2006-06-26 2012-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 遅延回路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61180990A (ja) * 1985-10-25 1986-08-13 Nec Corp 半導体装置
JPS62170097A (ja) * 1986-01-21 1987-07-27 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4922461A (en) * 1988-03-30 1990-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Static random access memory with address transition detector
JP2573320B2 (ja) * 1988-07-11 1997-01-22 株式会社東芝 出力バッファ回路
US5068553A (en) * 1988-10-31 1991-11-26 Texas Instruments Incorporated Delay stage with reduced Vdd dependence

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US5319607A (en) 1994-06-07
JPH04181593A (ja) 1992-06-29
JP2991479B2 (ja) 1999-12-20
KR950014557B1 (ko) 1995-12-05

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