KR900002304A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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미다 가쓰시게
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    • G05F3/205—Substrate bias-voltage generators

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 다이나믹형 RAM의 기판 백바이어스 전압발생회로의 제1의 실시예를 도시한 회로도.
제2도는 제1도의 기판 백바이어스 전압발생회로를 포함하는 다이나믹형 RAM의 제1의 실시예를 도시한 블럭도.
제3도는 제2도의 다이나믹형 RAM의 통상의 동작모드의 제1의 실시예를 도시한 타이밍도.

Claims (9)

  1. 제1의 전압발생회로와 제2의 전압발생회로를 포함하는 기판 백바이어스 전압발생회로, 기판 백바이어스 전압검출수단 및 상기 기판 백바이어스 전압검출수단의 출력결과에 따라 상기 제1의 전압발생회로의 동작을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 반도체 기억장치의 소정의 동작모드에 동기해서 상기 기판 백바이어스 전압발생회로 및 상기 기판 백바이어스 전압검출수단의 동작이 제어되는 반도체 기억장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 전압발생회로는 비교적 큰 전류공급 능력을 갖고, 상기 제2의 전압발생회로는 비교적 작은 전류공급 능력을 갖는 반도체 기억장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 반도체 기억장치는 다이나믹형 RAM이며, 상기 소정의 동작모드는 CAS 버퍼 RAS재생모드인 반도체 기억장치.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 CAS버퍼 RAS재생모드로 될때, 상기 제1의 전압발생회로는 선택적으로 그 동작회수가 제한되고, 상기 제2의 전압발생회로 및 상기 기판 백바이어스 전압검출수단은 선택적으로 그 동작이 정지되는 반도체 기억장치.
  5. 제1의 전압발생회로와 제2의 전압발생회로를 포함하는 기판 백바이어스 전압발생회로, 기판 백바이어스 전압검출수단 및 상기 기판 백바이어스 전압검출수단의 출력결과에 따라 상기 제1의 전압발생회로의 동작을 제어하기 위한 제어수단을 포함하는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 반도체 기억장치에 공급되는 여러개의 기동 제어신호의 소정의 조합에 동기해서 상기 기판 백바이어스 전압발생회로 및 상기 기판 백바이어스 전압검출수단의 동작이 제어되는 반도체 기억장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 제1의 전압발생회로는 비교적 큰 전류공급 능력을 갖고, 상기 제2의 전압발생회로는 비교적 작은 전류공급 능력을 갖는 반도체 기억장치.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 반도체 기억장치는 다이나믹형 RAM이며, 상기 기동제어신호는 로우어드레스 스트로브신호 RAS 및 칼럼어드레스 스트로브신호 CAS이고, 제1의 전압발생회로는 상기 로우어드레스 스트로브신호 RAS가 저레벨로 될때 또는 상기 로우어드레스 스트로브신호 RAS 및 칼럼어드레스 스트로브신호 CAS가 모두 고레벨로 되고 기판 백바이어스 전압이 규정값 이하로 되었을 때 선택적으로 동작상태가 되고, 상기 로우어드레스 스트로브신호 RAS 가 고레벨로 되고 상기 칼럼어드레스 스트로브신호 CAS가 저레벨로 될때 선택적으로 그 동작이 정지되는 반도체 기억장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 제2의 전압발생회로는 상기 로우어드레스 스트로브신호 RAS 가 저레벨 또는 상기 칼럼어드레스 스트로브신호 CAS가 고레벨로 될때 선택적으로 동작상태로 되고, 상기 로우어드레스 스트로브신호 RAS 가 고레벨 또한 상기 칼럼어드레스 스트로브신호 CAS가 저레벨로 될때 선택적으로 그 동작이 정지되는 반도체 기억장치.
  9. 특허청구의 범위 제8항에 있어서, 상기 기판 백바이어스 전압검출수단은 칼럼어드레스 스트로브신호 CAS가 저레벨로 될때 선택적으로 그 동작이 정지되는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890009095A 1988-07-05 1989-06-29 반도체 기억장치 KR0134773B1 (ko)

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