KR970076822A - 반도체 기억 장치 - Google Patents
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Abstract
출력 노이즈의 영향을 받지 않고 정확하게 데이타를 출력할 수 있는 반도체 기억 장치를 제공한다. 출력 버퍼로부터의 데이타 출력 타이밍에 맞추어 CAS버퍼(10a)로부터 출력되는 내부 열 어드레스 스트로브 신호int/CAS가 소정 기간H레벨로부터L레벨로 되는 것을금지하기 위한 금지 신호CAIHT를 발생하여 CAS버퍼(10a)로 인가한다. 데이타 출력시, 소정 기간 내부 열 어드레스 스트로브 신호int/CAS는 활성 상태로 되는 것이 금지되므로, 출력 버퍼로 이 금지 기간 중에 새로운 데이타가 전송되는 것을 방지할 수 있고, 출력 노이즈에 의한 잘못된 데이타가 출력되는 것이 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 제1a도에 도시된 판독 제어 회로의 구성을 개략적으로 도시하고, 제2b도는 제2a도의 판독 제어회로의 동작을 도시하는 신호 파형도.
Claims (3)
- 행렬 형태로 배치되는 다수의 메모리 셀을 갖는 반도체 기억 장치에 있어서, 외부로부터 인가되는 판독 동작 개시 지시 신호를 수신하고 적어도 버퍼 처리를 하여 내부 판독 동작 개시 지시 신호를 생성하는 제어 입력 버퍼와, 열 어드레스 신호에 따라 상기 다수의 메모리 셀중 어드레스 신호 지정된 메모리 셀의 데이타를 판독하기 위한 판독 수단과, 상기 열 어드레스 신호의변화에 응답하여, 상기 판독 수단을 활성화하고 데이타 판독 완료 지시 신호를 발생하는 판독 제어 수단과, 상기 내부 판독 동작 개시 지시 신호와 상기 데이타 판독 완료 지시 신호에 응답하여, 상기 판독 수단이 판독한 데이타를 장치 외부로 출력하기 위한 데이타 출력 수단과, 상기 데이타 출력 수단의 데이타 출력에 응답하여, 상기 내부 판독 동작 지시 신호의 비활성 상태로부터 활성 상태로의 변화를 금지하기 위한 금지 수단을 포함하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 데이타 출력 수단은, 활성화시 상기 데이타 판독 수단으로부터 판독된 데이타를 통과시키고 래치하며, 비활성화시 인가된 데이타에 관계없이 그의 출력 데이타가 래치하는 래치 상태로 되는 데이타 전송 수단과, 활성화시 상기 데이타 전송 수단으로부터 전송된 데이타를 장치 외부로 출력하는 출력 버퍼 수단과, 상기 내부 판독 동작 개시 지시 신호 및 상기 데이타 판독 완료 지시 신호의 활성화에 응답하여 상기 데이타 전송 수단을 활성화하는 수단과, 상기 내부 판독 도작 개시 지시 신호의 활성화에 응답하여 상기 출력 버퍼 수단을 활성화하는 수단을 포함하는 반도체 기억 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 금지 수단은, 금지 지시 신호를 발생하여 상기 제어 입력 버퍼로 인가하는 수단을 포함하고, 상기 제어 입력 버퍼는, 상기 금지 수단으로부터의 금지 지시 신호의 활성화에 응답하여 상기 내부 판독 동작 개시 지시 신호를 활성 상태로 구동하는 경로를 차단하는 수단을 포함하는 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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