KR940007883A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR940007883A
KR940007883A KR1019930016038A KR930016038A KR940007883A KR 940007883 A KR940007883 A KR 940007883A KR 1019930016038 A KR1019930016038 A KR 1019930016038A KR 930016038 A KR930016038 A KR 930016038A KR 940007883 A KR940007883 A KR 940007883A
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조우지 우에노
주니찌 수야마
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가나미야지 준
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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    • G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
    • G11C7/065—Differential amplifiers of latching type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

본 발명은, 센스앰프에 전위를 제공하는 전원공급부의 제어를 확실하게 하고, 센스앰프의 동작의 고르지 못한 것을 없애게 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 비트선의 전위레벨의 차를 증폭하여 출력하는 센스앰프(120)을 가지는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 센스앰프(120)에 제1 및 제2의 전위를 제공하는 제1 전원라인 SL1및 제2 전원라인 SL2를 가진 전원전위 공급부(140)이며, 상기 제1 전원라인 SL1의 전위가 상기 제1의 전위로 되면, 그것에 응답해서 상기 제2전원라인의 전위에 상기 제2의 전위를 제공하는 상기 전원전위 공급부를 마련했기때문에, 제어신호 PL1,PL2의 타이밍이 어긋나도, 각각의 전원라인을 거의 동시에 소정 전위로 할 수가 있어, 센스앰프의 동작이 고르지 못한 것을 없애게 할 수가 있다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예를 표시하는 회로도.

Claims (2)

  1. 제1 및 제2의 비트선과, 데이타를 기억하는 메모리 셀에 있어서, 상기 데이터에 근거해서 상기 제1의 비트선을 상기 제2의 비트선과는 달리하는 전위레벨로 하는 상기 메모리셀과, 상기 제1과 제2의 비트선의 전위레벨인 차를 증폭하여 출력하는 센스앰프와를 가지는 반도체 기억장치에 있어서, 상기 센스앰프에 제1 및 제2의 전위를 공급하는 제1전원라인 및 제2 전원라인을 가지는 전원전위 공급부이고, 상기 제1전원라인의 전위가 상기 제1의 전위가 되면, 그것에 응답하여 상기 제2전원라인에 상기 제2의 전위를 공급하는 상기 전원전위 공급부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전원전위 공급부는, 상기 제1의 전원라인과 상기 제1의 전위를 가지는 제1의 전원과를 접속하는 제1의 스위치이고, ON 상태인때, 상기 제1의 전원라인인 전위를 상기 제1의 전위로 하는 상기 제1의 스위치와, 상기 제2의 전원라인과 상기 제2의 전위를 가지는 제2의 전원과를 접속하는 제2의 스위치이며, 상기 제1의 스위치가 ON상태인시, 상기 제1의 전원라인상의 전위에 의해 ON상태가 되고 상기 제2의 전원 라인의 전위를 상기 제2의 전위로 하는 상기 제2의 스위치화를 가진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930016038A 1992-09-04 1993-08-18 반도체기억장치 KR100281910B1 (ko)

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JP3305010B2 (ja) 2002-07-22
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