KR980005007A - 데이터 센싱을 위한 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 싱글 엔디드 비트라인(Single Ended Bit Line)구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 인에이블 신호(Phi-1#)의 제어를 받아 소정의 기준전압을 발생하되 캐패시터의 전하 분배에 그 전압 레벨이 조절되는 기준전압발생수단; 비트라인 및 상기 기준전압발생수단의 전압차를 센스증폭하는 래치 센스증폭기; 및 센스 인에이블 됨과 동시에 비트라인 및 상기 기준전압발생수단의 출력 라인으로부터 상기 래치 센스 증폭기의 로드를 차단하는 스위칭수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치에 관한 것으로, 하이 스피드 및 저전력 소모를 이루는 효과가 있다.

Description

데이터 센싱을 위한 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 싱글 앤디드 비트라인 구조를 채택하고 있는 롬에서의 본 발명에 따른 데이타 센싱 구조를 나타내는 반도체 장치.
제3도 및 제4도는 본 발명에 따른 타이밍도.

Claims (4)

  1. 싱글 엔디드 비트라인(Single Ended Bit Line) 구조를 갖는 반도체 장치에 있어서, 칩 인에이블 신호(Phi-1#)의 제어를 받아 소정의 기준전압을 발생하되 캐패시터의 전하 분배에 의해 그 전압 레벨이 조절되는 기준전압발생수단; 비트라인 및 상기 기준전압발생수단의 전압차를 센스 증폭하는 래치센스증폭기; 및 센스 인에이블 됨과 동시에 비트라인 및 상기 기준전압발생수단의 출력 라인으로부터 상기 래치 센스 증폭기의 로드를 차단하는 스위칭수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 싱글 앤디드 비트라인 구조를 이루는 비트라인 및 더미 비트라인이 칩 인에이블 신호에 의해 핼프 공급전압(Vcc/2) 값으로 프리챠지 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 래치 센스증폭기의 센스인에이블 신호는 상기 더미 비트라인으로부터 지연 및 반전된 모델링에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, Y-디코더 신호에 의해 다수의 비트라인중 어느한 비트라인을 선택하는 수단을 N-MOS 트랜지스터로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160019595A (ko) * 2014-08-11 2016-02-22 고려대학교 산학협력단 기준 전압 발생기를 포함하는 메모리 장치

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0944089A1 (en) * 1998-03-16 1999-09-22 Nec Corporation Semiconductor memory device
JP3166732B2 (ja) * 1998-10-14 2001-05-14 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP2002175694A (ja) * 2000-09-26 2002-06-21 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びメモリセルのデータセンス方法
US6426905B1 (en) * 2001-02-07 2002-07-30 International Business Machines Corporation High speed DRAM local bit line sense amplifier
US6771551B1 (en) * 2003-02-04 2004-08-03 Broadcom Corporation Sense amplifier with adaptive reference generation
JP2009252275A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Nec Electronics Corp 半導体記憶装置
JP5374083B2 (ja) * 2008-07-17 2013-12-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US20110128807A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-02 Freescale Semiconductor, Inc Memory device and sense circuitry therefor
JP5342027B2 (ja) * 2012-01-30 2013-11-13 凸版印刷株式会社 不揮発性メモリ
JP6382489B2 (ja) * 2013-02-08 2018-08-29 株式会社 Ｍｔｇ 美容器
KR102193885B1 (ko) 2014-01-17 2020-12-22 삼성전자주식회사 감지 증폭기 및 이를 포함하는 메모리 장치
US10156842B2 (en) 2015-12-31 2018-12-18 General Electric Company Device enrollment in a cloud service using an authenticated application
US10672439B2 (en) * 2018-07-10 2020-06-02 Globalfoundries Inc. Data dependent keeper on global data lines
US10530325B1 (en) * 2018-08-30 2020-01-07 Advanced Micro Devices, Inc. Low loss T-coil configuration with frequency boost for an analog receiver front end
US10692545B2 (en) 2018-09-24 2020-06-23 Advanced Micro Devices, Inc. Low power VTT generation mechanism for receiver termination
US10749552B2 (en) 2018-09-24 2020-08-18 Advanced Micro Devices, Inc. Pseudo differential receiving mechanism for single-ended signaling
US10944368B2 (en) 2019-02-28 2021-03-09 Advanced Micro Devices, Inc. Offset correction for pseudo differential signaling

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4669063A (en) * 1982-12-30 1987-05-26 Thomson Components-Mostek Corp. Sense amplifier for a dynamic RAM
US5608668A (en) * 1995-12-22 1997-03-04 Micron Technology, Inc. Dram wtih open digit lines and array edge reference sensing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160019595A (ko) * 2014-08-11 2016-02-22 고려대학교 산학협력단 기준 전압 발생기를 포함하는 메모리 장치

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Publication number Publication date
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