KR970003260A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

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KR970003260A
KR970003260A KR1019950016401A KR19950016401A KR970003260A KR 970003260 A KR970003260 A KR 970003260A KR 1019950016401 A KR1019950016401 A KR 1019950016401A KR 19950016401 A KR19950016401 A KR 19950016401A KR 970003260 A KR970003260 A KR 970003260A
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flash memory
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KR1019950016401A
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차병권
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
    • GPHYSICS
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    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/24Bit-line control circuits

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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로서, 독출 동작시 메모리셀군 및 더미메모리셀군의 비트라인 전압레벨을 센싱가능한 전압레벨로 프리챠지 시키기 위해 기준전압 발생기 및 메모리셀군간에 P형 다이오드로 구성된 다이오드 어레이를사용한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 블록도.

Claims (1)

  1. 저전압 검출신호(LVcc)를 입력으로 하는 제1기준전압 발생기와, 상기 제1기준전압발생기에 접속되며 독출신호를 입력으로 하는 패스트랜지스터와, 상기 패스트랜지스터에 접속되며 상기 제1기준전압 발생기로부터 출력되는 기준전압을 메모리셀군의 비트라인으로 공급하도록 하는 다이오드 어레이와, 독출바 신호를 입력으로 하며 더미메모리셀군 센싱라인 및 메모리셀군 센싱라인을 검증하도록 하는 제2 및 제3기준전압 발생기와, Z-먹스, Y-먹스 및 X-디코더의 동작에 따라 각기 비트라인 정보를 출력하도록 하는 더미 메모리셀군 및 메모리셀군과, 상기 더미 메모리셀군 및 메모리셀군의 비트라인의 전위차를 증폭한 후 출력하도록 하는 차동증폭기로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950016401A 1995-06-20 1995-06-20 플래쉬 메모리 장치 KR0168159B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100780039B1 (ko) * 2000-06-27 2007-11-27 김강철 송달기능을 갖는 과자용기

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