KR970051377A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

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KR970051377A
KR970051377A KR1019950065676A KR19950065676A KR970051377A KR 970051377 A KR970051377 A KR 970051377A KR 1019950065676 A KR1019950065676 A KR 1019950065676A KR 19950065676 A KR19950065676 A KR 19950065676A KR 970051377 A KR970051377 A KR 970051377A
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KR
South Korea
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circuit
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chip enable
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KR1019950065676A
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English (en)
Inventor
이풍엽
홍문표
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리 장치(Flash Memory device)에 관한 것으로서, 플래쉬 메모리 셀의 독출동작시 센스앰프 회로내의 차동증폭기의 동작을 일정시간 동안 지연시켜 주고, 데이타 출력회로에 어드레스 천이 검출(ATD)회로 및 인에이블신호 천이 검출(CEbTD)회로로 구성된 데이타 출력 제어회로를 사용하므로써, 독출동작시 소비전류를 줄일 수 있고, 선택되는 데이타만 출력 시킬 수 있도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.
※ 선택도 : 제1도

Description

플래쉬 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 회로도.
제2A 및 제2B도는 제1도의 데이타 출력 제어회로의 상세 회로도.

Claims (4)

  1. 메인 메모리셀의 비트라인으로 흐르는 전류를 센싱하여 레퍼런스 메모리셀과 비교하도록 하는 센스앰프회로와, 상기 센스엠프로부터 비교된 데이타를 출력하도록 하는 데이타 출력회로와, 상기 데이타 출력회로에서 선택된 데이타만을 출력시킬 수 있도록 하기 위한 데이타 출력 제어회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 센스앰프회로는 전류를 전압으로 변환하기 위한 전류/전압 변환회로 및 상기 전류/전압 변환회로에 의해 변환된 전압을 증폭 시키도록 하는 차동증폭기로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 데이타 출력회로는 상기 데이타 출력 제어회로에 의해 제어되는 제1 및 제2출력 제어회로를 통해 상기 센스앰프 회로로부터 출력되는 데이타가 출력 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 데이타 출력 제어회로는 어드레스신호를 입력으로 하는 어드레스 버퍼와, 상기 어드레스 버퍼를 통해 입력되는 어드레스를 검출하는 어드레스 천이 검출회로와, 상기 어드레스 천이 검출회로로부터 검출된 어드레스를 지연시키도록 하는 지연회로와, 칩 인에이블신호를 입력으로 하는 칩 인에이블신호버퍼와, 상기 칩 인에이블신호 버퍼를 통해 입력되는 칩 인에이블신호를 검출하기 위한 칩 인에이블신호 천이 검출회로와, 상기 칩 인에이블신호 천이 검출회로로부터 검출된 신호를 지연시키도록 하는 지연회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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