JP2009252275A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】シングルエンドセンスアンプにより高速読み出しを可能とし、関連技術で設けられていたダミーメモリセルを不要とし、回路面積を縮減し、消費電力を低減する。
【解決手段】ビット線をグランド電位に放電するディスチャージ回路102と、シングルエンド入力構成のセンスアンプ108と、電源とセンスアンプの入力ノードSAin間に接続され、前記センスアンプの入力ノードからオン状態のカラム選択トランジスタ(N0、N1、・・・)を介してビット線を充電する充電用のトランジスタ106と、を備え、読み出し時、選択されたメモリセルが接続するビット線からグランドへの電流パスがオフ状態とされる場合、前記充電用のトランジスタ106により、前記センスアンプの入力ノードが充電されて電位が上昇し前記カラム選択トランジスタをオフさせた状態で前記センスアンプの入力ノードをさらに充電した後、読み出し動作が行われる。
【選択図】図1
【解決手段】ビット線をグランド電位に放電するディスチャージ回路102と、シングルエンド入力構成のセンスアンプ108と、電源とセンスアンプの入力ノードSAin間に接続され、前記センスアンプの入力ノードからオン状態のカラム選択トランジスタ(N0、N1、・・・)を介してビット線を充電する充電用のトランジスタ106と、を備え、読み出し時、選択されたメモリセルが接続するビット線からグランドへの電流パスがオフ状態とされる場合、前記充電用のトランジスタ106により、前記センスアンプの入力ノードが充電されて電位が上昇し前記カラム選択トランジスタをオフさせた状態で前記センスアンプの入力ノードをさらに充電した後、読み出し動作が行われる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体メモリに関し、特に読み出し回路に関する。
メモリセルの読み出し前にビット線をグランド電位に放電(ディスチャージ)し、読み出し時にビット線を電源電位側に充電(チャージ)し、センスアンプで読み出す半導体記憶装置が知られている(例えば特許文献1)。ビット線をグランド(GND)電位にディスチャージ(プレチャージ)しておくことで、ドレインがビット線に接続されたメモリセルトランジスタにおけるドレイン・ソース間リーク電流を抑制することができる。図7に、特許文献1に開示された半導体記憶装置の構成の一例を示す。図7には、ROM(Read Only Memory)のメモリセルとその読み出し回路が示されている。図7を参照すると、ソース電極が接地されドレイン電極がビット線に接続されゲート電極がワード線に接続されたNMOSトランジスタ1からなるメモリセルと、ソース電極がフローティングでドレイン電極がビット線に接続されゲート電極がワード線に接続されたNMOSトランジスタ2からなるメモリセルがある。メモリセルのレプリカであるダミーメモリセル3はソース電極が接地されドレイン電極がビット線に接続されゲート電極がワード線に接続されている。
図8は、図7の半導体記憶装置の読出し動作を示すタイミングチャートである。信号RSTがHighの期間にビット線ディスチャージトランジスタ6を介して全ビット線B0〜Bn、ダミービット線BDがGNDレベルにディスチャージされる。信号RSTがLowレベルとなるとディスチャージトランジスタ6はオフし、次にロウデコーダ9により1つのワード線が選択されてHighレベルとなり、選択ワード線に接続される全てのメモリセルとダミーメモリセル3がオンする。カラム選択信号C0がHighに立ち上がり、ビット線B0が差動増幅センスアンプ回路18の入力に接続され、PCRがLowに立下がり、ビット線チャージトランジスタ5を介してビット線B0とダミービット線BDの1組のビット線のみがチャージされる。このとき、選択されたメモリセルのソース電極が接地されている場合(メモリセル1の場合)、ビット線B0の電位はメモリセル1とビット線チャージトランジスタ5のコンダクタンスの比により決まる。ビット線B0と対をなすダミービット線BDの電位はダミーメモリセル3とビット線チャージトランジスタ5のコンダクタンスの比により決まる。ダミーメモリセル3のコンダクタンスは通常メモリセル1の1/2とされ、ダミーメモリセル3によるダミービット線BDの電位はメモリセル1によるビット線B0の電位の約2倍となり、差動増幅センスアンプ回路18の入力D、DDY間に電位差が生じる。
選択されたメモリセルのソース電極がフローティングの場合(メモリセル2の場合)には電流パスが存在しないため、ビット線B0はビット線チャージトランジスタ5により充電されていく。この時も、ダミーメモリセル3が接続されるダミービット線BDの電位は上記のコンダクタンス比により決まる電位となるため、メモリセル2が接続されるビット線B0の電位よりも低電位となる。このため、差動増幅センスアンプ回路18の入力D、DDY間に電位差が生じる。ダミーメモリセル3によるダミービット線BDの電位は、通常メモリセルによるHighビット線電位とLowビット線電位の中間のリファレンス電位を作り出している。次に、イネーブル信号SEがHighに立ち上がり、差動増幅センスアンプ回路18が活性化され、入力された微少電位差を増幅し、出力バッファ19によりデータが出力される。上記の通り、図7の半導体記憶回路はダミーメモリセル3を用いて1読み、0読みの中間になるリファレンス信号を用意し、微小差電位を差動型のセンスアンプ回路18で増幅することで読み出し動作を行う。
図8に示したように、読み出し時に、まずビット線、ダミービット線をGND電位にディスチャージし、その後、選択ビット線と、ダミービット線をビット線チャージトランジスタによりチャージしダミービット線電位をリファレンスとして差動増幅センスアンプ回路18で差動増幅する。
以下に本発明による関連技術の分析を与える。
図7及び図8を参照して説明した関連技術(特許文献1)においては、ダミーメモリセル、ダミーメモリセル用のダミービット線が配設され、差動型センスアンプ(差動伝送)を備えた構成とされ、面積が増大する。
また、ビット線の読み出しデータとダミービット線上のダミーデータ(レファレンス電位)の差電位が微小であり、読み出し速度を高速化するためには、微小差電位を高速に増幅する回路構成とすることが必要とされる。
さらに、差動ラッチ型センスアンプにおいて、誤ラッチ(ラッチ誤動作)を回避するために、動作マージンをとることが必要となる。
さらにまた、差動ラッチ型センスアンプにおいて差動回路の負荷に、カレントミラー回路を備えた構成の場合、消費電力が大幅に増加する。
本願で開示される発明は、前記課題を解決するため、概略以下の構成とされる。
本発明の1つの側面によれば、選択ワード線が活性化される期間とは別の所定の期間にディスチャージ回路によりビット線をグランド電位に放電し、メモリセルの読み出し時に、チャージ回路により、センスアンプの入力ノード側から、前記メモリセルに接続するビット線を充電し、その結果に基づき前記センスアンプで読み出しを行う半導体記憶装置であって、前記メモリセルの読み出し時、前記メモリセルに接続するビット線を前記センスアンプの入力ノードに接続するカラム選択トランジスタは、前記チャージ回路により、前記センスアンプの入力ノード及び前記ビット線が充電され所定の電位に上昇すると、オフとなり、前記カラム選択トランジスタがオフとされ前記メモリセルに接続するビット線が前記センスアンプの入力ノードから切り離された状態で、前記チャージ回路による前記センスアンプの入力ノードの充電が行われ、その後、読み出し動作が行われる半導体記憶装置が提供される。本発明において、前記センスアンプは、シングルエンド入力構成とされる。
本発明によれば、シングルエンドセンスアンプにより高速読み出しを可能とし、関連技術で設けられていたダミーメモリセルを不要とし、回路面積を縮減し、消費電力を低減する。
上記した本発明についてさらに詳細に説述すべく添付図面を参照して以下に説明する。本発明は、一態様において、制御信号に基づき、ビット線をグランド電位に放電するディスチャージ回路(102)と、シングルエンド入力構成のセンスアンプ(108)と、制御信号に基づき、前記センスアンプの入力ノード側からオン状態のカラム選択トランジスタを介してビット線を充電するチャージ回路(106)と、を備え、メモリセルの読み出し時、チャージ回路(106)により、センスアンプ(108)の入力ノード(SAin)側から、オン状態のカラム選択トランジスタを介して、選択メモリセルに接続するビット線の充電が行われ、選択メモリセルがオフ・ビットであり該ビット線からグランド側への電流パスがない場合、チャージ回路(106)の充電作用により、センスアンプ(108)の入力ノード(SAin)及び前記ビット線が所定の電位(例えばカラム選択トランジスタのゲート電位−カラム選択トランジスタの閾値)に上昇し、前記カラム選択トランジスタがオンからオフに切り替わった後に、チャージ回路(106)による、前記センスアンプ(108)の入力ノード(SAin)の充電が行われ、読み出し動作が行われ、所定のタイミングでラッチ出力される。
選択メモリセルがオン・ビットであり、前記選択メモリセルに接続するビット線からグランド側への電流パスがある場合には、チャージ回路(106)の充電によっても、所定の電位には達せず、前記センスアンプの入力ノード(SAin)及び前記選択メモリセルに接続するビット線はLow電位のままとされる。
本発明の一態様において、カラム選択トランジスタの閾値が相対的に高く設定され、センスアンプ(108)の入力ノード(SAin)の電位の上昇時における前記カラム選択トランジスタがオフする時間を早めるようにしてもよい。あるいは、前記カラム選択トランジスタのゲート電圧を相対的に低くし、前記センスアンプの入力ノードが充電されて電位が上昇した際のカラム選択トランジスタがオフする時間を早めるようにしてもよい。
あるいは、本発明の別の態様において、カラム選択トランジスタは、ドレインがビット線に接続され、ソースが前記センスアンプの入力ノードに接続され、ビット線のフィードバック信号(ビット線の反転値)とカラム選択信号との論理積をとる論理回路の出力をゲートに受ける構成としてもよい。以下実施例に即して説明する。
本発明の実施例について説明する。以下では、本発明の一実施例として、マスクROMについて説明する。なお、別の実施例でSRAMへの適用例について説明するように、本発明はROMに制限されるものでない。なお、マスクROMでは、ワード線に接続するトランジスタを介して電流が流れる場合(オン・ビット)を2値のうちの例えば0、流れない場合(オフ・ビット)を1として製造時にプログラムされる。
図1は、本発明の一実施例のビット線系読み出し回路の構成を示す図である。メモリセルは、ソース電極が接地されドレイン電極がビット線(「デジット線」ともいう)に接続され、ゲート電極がワード線に接続されたNMOSトランジスタよりなる。メモリセルには、ワード線がHighのときNMOSトランジスタがオンし電流が流れドレイン電極がLow電位とされるメモリセル(オン・ビット)と、ワード線がHighのときもNMOSトランジスタがオフ状態のメモリセル(オフ・ビット)とが製造時にプログラムされている。
図1を参照すると、ビット線digit0、digit1、・・・に対して共通にディスチャージ回路102が設けられている。ディスチャージ回路102は、プリチャージ信号(charge)がHighのとき、ビット線digit0、digit1、・・・をそれぞれ放電しLow電位とする。
カラムセレクタ104は、ビット線digit0、digit1、・・・にそれぞれドレインが接続され、センスアンプ108の入力ノードSAinにソースが接続され、ゲート電極にカラム選択信号column select0、column select1、・・・がそれぞれ接続されたカラム選択トランジスタ(NMOSトランジスタ)N0、N1、・・・を備えている。カラム選択信号column select0、column select1、・・・は、カラムアドレスをデコードする不図示のカラムデコーダから出力される。カラム選択トランジスタN0、N1、・・・はカラムスイッチあるいはYスイッチとも呼ばれる。
さらに、ソースが電源端子VDDに接続され、ドレインがセンスアンプ108の入力ノードSAinに接続され、プリチャージ信号(charge)をゲートに受けるPMOSトランジスタ106を備えている。
本実施例において、センスアンプ108は、差動型ではなく、シングルエンド入力構成とされ、例えばCMOSインバータ回路で構成される。
センスアンプ108の出力を受けるラッチ回路110は、ラッチタイミング信号(lach timing)の非活性化時に、センスアンプ108の出力をそのまま出力し、ラッチタイミング信号の活性化時に、その時点でのセンスアンプ108の出力を保持する。
本実施例においては、プリチャージ信号(charge)がHighとされると、ディスチャージ回路102を活性化させて、ビット線digit0、digit1、・・・をGND電位にプリチャージする(すなわちディスチャージする)。その後、プリチャージ信号(charge)がLowに設定され、ディスチャージ回路102は非活性化され、ビット線digit0、digit1、・・・とGND電位とは非接続状態とされる。プリチャージ信号(charge)がLowのとき、PMOSトランジスタ106がオンし、センスアンプ108の入力ノードSAin側から、オン状態のカラム選択トランジスタのドレインに接続するビット線を充電し、センスアンプ108の入力ノードSAinとビット線の電位を上昇させる。オン状態のカラム選択トランジスタ(NMOSトランジスタ)のソース電位(入力ノードSAinの電位)が上昇し、カラム選択トランジスタ(NMOSトランジスタ)のゲート・ソース間電圧が縮減して閾値Vt以下となり、カットオフした後に、読み出し動作を行う構成とし、センスアンプ108をシングルエンドで構成することを可能としている。
プリチャージ信号(charge)がLowとされ、オン状態のPMOSトランジスタ106が、センスアンプ108の入力ノードSAin側から選択カラム選択トランジスタを介して選択ビット線を充電するとき、選択ワード線にゲートが接続され選択ビット線にドレインが接続される読み出し対象のセルトランジスタが、オン・ビットの場合には、該当選択ビット線はLow電位とされ、センスアンプ108の入力ノードSAinはLow電位のままであり、出力端子(Data−Out)にはLowが出力される。
読み出し対象のセルトランジスタがオフ・ビットの場合には、選択ビット線からGNDへの電流パスはないため、センスアンプ108の入力ノードSAinと選択ビット線が上昇する。このため、オン状態のカラム選択トランジスタ(例えばN1)のソース電位が上昇し、そのゲート・ソース間電圧VGSが減少し、トランジスタN1の閾値電圧Vt以下となると(VGS<Vt)、トランジスタN1はカットオフする。オフ・ビットセルの読み出し時、選択カラム選択トランジスタのカットオフを発生させ、早い時間でカラム選択トランジスタをオフさせ、センスアンプ108の入力ノードSAinを選択ビット線から切り離した状態で、PMOSトランジスタ106によって電源電位VDDまで持ち上げることで、シングルエンド構成で判定動作を可能とする。
図2(A)は、データ読み出し時のセンスアンプ108の入力のノードSAinの電圧波形を示す図である。1READ(High電位読み出し:オフ・ビットセルの読み出し)時には、オン状態のPMOSトランジスタ106の充電作用により、選択ビット線とセンスアンプ108の入力ノードSAinの電位が上昇し、オン状態のカラム選択トランジスタのゲート電位(例えば電源電圧VDD)から閾値電圧Vt分差し引いた電圧に達すると、選択されたカラム選択トランジスタはオフし、これ以降、PMOSトランジスタ106の充電作用により、センスアンプ108の入力ノードSAinのみの充電が行われることになる。すなわち、入力ノードSAinの電位がVDD−Vtに達した時点から、センスアンプ108の入力ノードSAinの電圧波形の立ち上がりのスルーレートは上昇する。カラム選択トランジスタのカットオフを早い時点で発生させると、その後、センスアンプ108の入力ノードSAinの電圧波形のHigh電位への立ち上がり時間は早くなる。選択カラム選択トランジスタのカットオフを早い時点で発生させるには、選択カラム選択トランジスタN0、N1、・・・は高閾値(High Vt)に設定される。
一方、0READ(Low電位読み出し;オン・ビットセルの読み出し)時には、PMOSトランジスタ106から、選択ビット線とセンスアンプ108の入力ノードSAinに供給される電流はオン・ビットのセルを介してGNDに流れ、入力ノードSAin及び選択ビット線は、Low電位のままとされる。PMOSトランジスタ106の充電作用による入力ノードSAinのGND電位からの上昇分は、PMOSトランジスタ106のオン抵抗と、ビット線の抵抗とオン・ビットのセルの抵抗の和との分圧比で決まる。
図2(B)に示すように、カラム選択トランジスタの閾値Vt(Normal Vt)が通常であると、1READ(High電位読み出し)時に、PMOSトランジスタ106の充電作用により、選択ビット線とセンスアンプ108の入力のノードSAinの電位は上昇するが、選択されたカラム選択トランジスタのゲート電圧(電源電圧)から閾値電圧Vt(normal Vt)分差し引いた電圧には達せず、選択カラム選択トランジスタはオン状態のままとされ、選択ビット線とセンスアンプ108の入力のノードSAinの充電が緩やかに行われる。この場合、センスアンプ108の入力のノードSAinがHigh電位となり、シングルエンド型のセンスアンプで増幅するには、長大の時間を要する。一方、0READ(Low電位読み出し)時には、PMOSトランジスタ106から、選択ビット線とセンスアンプ108の入力ノードSAinに供給される電流は、オン・ビットの選択セルを介してGNDに流れ、Low電位のままとされ、入力ノードSAinのGND電位からの上昇分は、PMOSトランジスタ106のオン抵抗と、ビット線の抵抗とオン・ビットのセルの抵抗の分圧抵抗等で決まる。
図3は、図1の本実施例の動作を示すタイミング波形を示す図である。なお、特に制限されないが、図3において、図1のセンスアンプ108をインバータで構成し、ラッチ回路110は、センスアンプ108の出力を反転出力する構成とされている。
カラム選択信号column select 0、column select 1・・・が選択される。ワード線はWord0、word1の順で選択される。プリチャージ信号(charge)がHighのときディスチャージ回路102により全てのビット線はLow電位にディスチャージされる。
ワード線word0が選択されHighとなり、メモリセルM00(オフ・ビット)が選択される。ワード線word0がHighの期間、プリチャージ信号(charge)はLowとされ、PMOSトランジスタ106がオンし、センスアンプ108の入力ノードSAin及びビット線digit0を充電し、これらの電位を持ち上げる。メモリセルM00はオフ・ビットであるため、センスアンプ108の入力ノードSAin(NMOSトランジスタN0のソース)の電位が上昇し、カラム選択トランジスタN0のゲート・ソース間電圧VGSが閾値Vt以下になると、カラム選択トランジスタN0がオフし、センスアンプ108の入力ノードSAinの立ち上がりの波形のスルーレートが上昇しHigh電位に達する。センスアンプ108の出力SAoutは、センスアンプ108の入力ノードSAinが論理閾値以下のときHigh、論理閾値以上のときLowを出力する。ラッチ回路110は、ラッチタイミング信号(latch timing)が非活性状態のとき(スルー時)、センスアンプ108の出力SAoutをデータ出力端子Data−Outに出力し、ラッチタイミング信号(latch timing)が活性化時に、センスアンプ108の出力SAoutの値をラッチしてデータ出力端子Data−Outに出力する。
ワード線word0がHighからLowとなると、プリチャージ信号(charge)がHighに設定され、ディスチャージ回路102により全てのビット線はLow電位にディスチャージされる。このとき、センスアンプ108の入力ノードSAinもオン状態のカラム選択トランジスタN0を介してデジット線digit0に接続されるためLow電位にディスチャージされる。
つづいて、チャージ信号がHighの状態で、column select 1がLowからHighに切り替えられ、ビット線digit1が選択され、ワード線word1が選択され、メモリセルM11(on・ビット)が選択される。ワード線word1がHighの期間、プリチャージ信号(charge)はLowとされ、PMOSトランジスタ106がオンし、センスアンプ108の入力ノードSAin及びビット線digit1を充電するが、メモリセルM11はオン・ビットであるため、電流はGNDに流れ、入力ノードSAinは電位の上昇はわずかであり、カラム選択トランジスタN1のゲート・ソース間電圧VGSは閾値Vtよりも大とされ、カラム選択トランジスタN1はオン状態とされ、センスアンプ108の入力ノードSAinはLow電位に保持され、センスアンプ108の出力SAoutはLow電位とされる。ラッチ回路110は、ラッチタイミング信号(latch timing)が非活性状態のとき(スルー時)、センスアンプ108の出力SAout(Low電位)をデータ出力端子Data−Outに出力し、ラッチタイミング信号(latch timing)が活性化時に、センスアンプ108の出力SAoutの値をラッチしてデータ出力端子Data−Outに出力する。
本実施例によれば、かかる構成により、小面積化、及び消費電力の削減に貢献する。
カラムセレクタ104におけるカラム選択トランジスタがオフした後にセンスアンプ108で読み出しを行うことにより、センスアンプの入力ノードSAinは電源電位VDDに振幅することから、CMOSインバータ等での読み出しデータの判定が可能となる。
なお、図1において、センスアンプ108は、初段のインバータと反転バッファの2段のインバータ構成(正転バッファ)としてもよいことは勿論である。
また、図1において、カラムセレクタ104におけるカラム選択トランジスタN0、N1、・・・の閾値Vtを高閾値とせずに、通常の閾値とし、カラム選択信号(column select0、column select1、・・・)の電圧を通常のロジックHighレベルから所定電圧下げた電圧を与えるようにしてもよい。センスアンプ108の入力ノードSAinの電圧(カラム選択信号のソース電圧)が、ゲート電圧−閾値Vtを越えると、カラム選択トランジスタN0、N1、・・・はオフするが、閾値Vtを通常値としゲート電圧を下げることで、カラム選択トランジスタN0、N1、・・・がオフするセンスアンプ108の入力ノードSAinを下げることができる。
図4は、本発明の第2の実施例の構成を示す図である。本実施例は、カラムセレクタ104におけるカラム選択トランジスタのカット・オフをビット線電位をフィードバックさせて制御するようにしたものである。図4に示すように、ビット線digit0をインバータ112で反転した信号とカラム選択信号(column select)の論理積(AND)をとる論理回路(AND回路)114を備え、論理回路(AND回路)114の出力をカラム選択トランジスタN0のゲートに入力する構成とされている。他のビット線についても同様の構成とされる。本実施例は、カラム選択トランジスタN0、N1、・・・の閾値Vtは通常の閾値であってよい。
次に、図4に示した本実施例の動作を説明する。プリチャージ信号(charge)がHighのとき全てのビット線はGND電位にディスチャージされる。カラム選択信号column 0がHigh、ワード線word0が選択されHighとなり、メモリセルM00(オフ・ビット)が選択されるものとする。カラム選択信号column 0がHigh、ビット線digit0はLowであるため、AND回路114の出力はHighとなり、カラム選択トランジスタN0はオン状態とされる。ワード線word0がHighの期間、プリチャージ信号(charge)はLowとされ、PMOSトランジスタ106がオンし、センスアンプ108の入力ノードSAin及びビット線digit0を充電し、これらの電位を持ち上げる。メモリセルM00はオフ・ビットであるため、センスアンプ108の入力ノードSAin(NMOSトランジスタN0のソース)とビット線digit0の電位が上昇し、Highレベルとなると、インバータ112の出力はLowとなり、AND回路114の出力はHighからLowとなり、カラム選択トランジスタN0はオンからオフとなる。カラム選択トランジスタN0がオフした状態でPMOSトランジスタ106からセンスアンプ108の入力ノードSAinの充電が行われるため、SAinの立ち上がりの波形のスルーレートが上昇しHigh電位に達する。ラッチ回路110は、ラッチタイミング信号(latch timing)が非活性状態のとき(スルー時)、センスアンプ108の出力SAoutをデータ出力端子Data−Outに出力し、ラッチタイミング信号(latch timing)が活性化時に、センスアンプ108の出力SAoutの値をラッチしてデータ出力端子Data−Outに出力する。
次にカラム選択信号column 1がHigh、ワード線word1が選択されHighとなり、メモリセルM11(オン・ビット)が選択されるものとする。プリチャージ信号(charge)がHighのとき全てのビット線はGND電位にディスチャージされる。カラム選択信号column 1がHigh、ビット線digit1はLowであるため、カラム選択トランジスタN1のゲートに接続されるAND回路118の出力はHighとなり、カラム選択トランジスタN1はオン状態とされる。ワード線word1がHighの期間、プリチャージ信号(charge)はLowとされ、PMOSトランジスタ106がオンし、センスアンプ108の入力ノードSAin及びビット線digit1を充電し、これらの電位を持ち上げる。メモリセルM11はオン・ビットであるため、センスアンプ108の入力ノードSAin(NMOSトランジスタN1のソース)とビット線digit1の電位はLowレベルに保持され、ビット線digit1を入力とするインバータ116の出力はHighのままであり、AND回路118の出力はHighに保持され、カラム選択トランジスタN1はオン状態とされ、センスアンプ108の入力ノードSAinはLowレベルとされる。ラッチ回路110は、ラッチタイミング信号(latch timing)が非活性状態のとき(スルー時)、センスアンプ108の出力SAoutをデータ出力端子Data−Outに出力し、ラッチタイミング信号(latch timing)が活性化時に、センスアンプ108の出力SAoutの値をラッチしてデータ出力端子Data−Outに出力する。
なお、本実施例において、ビット線digit0、digit1、・・・に入力が接続するインバータ112、116、・・・の論理閾値を低閾値に設定し、ビット線digit0、digit1がGND電位から所定電位に立ち上がった時点で、Lowを出力する構成とし、カラム選択トランジスタN0、N1、・・・がカットオフするタイミングを早めるようにしてもよい。
なお、図4において、インバータ112、116に、ビット線digit0,digit1の代わりに、センスアンプ108の入力ノードSAinを接続する構成としてもよい。
図5は、図7、図8を参照して説明した関連技術と、本発明を比較して説明するための図である。本実施例によれば、1READ(High電位読み出し)時、及び、0READ(Low電位読み出し)時にノードSAinが1High又はLowの論理レベルとされることから、関連技術で必要とされたリファレンス信号用のレプリカ回路と差動型センスアンプが不要とされ、回線面積を大幅に縮減することができる。
また、レプリカ回路で使用される電力を削減することができ、更にオフ後は、ビット線に電荷が注入されないため選択ビット線での消費電力も削減される。
本発明は、マスクROMのみならず、電気的に消去・プログラム可能な読み出し専用メモリ(EEPROM)等の読み出し回路にも適用できることは勿論である。
本発明は、図6に示すように、書き込みポートと読み出しポートを備えたマルチポートSRAMの読み出し回路にも適用可能である。なお、1が書き込まれているメモリセルの読み出し時、ワード線がHighとなると、ビット線はLow電位とされる。すなわち、PMOSトランジスタ106からの電流が選択されたカラム選択トランジスタを介してビット線、選択メモリセルからGNDに流れ込む。0が書き込まれているメモリセルの読み出し時、ワード線がHighとなってもメモリセルはオフ状態(オフ・ビット)とされる。このときPMOSトランジスタ106からのHigh電位側への充電作用により選択されたカラム選択トランジスタがオフしその後、SAinのみの充電が行われ、出力端子からData−OutHighが出力される。
なお、前記した各実施例において、カラム選択トランジスタN0、N1、・・・間での閾値Vtのばらつきを調整するばらつきキャンセル回路を備えてもよい。
なお、上記の特許文献1の開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
1、2 メモリセル
3 ダミーメモリセル
5 ビット線チャージトランジスタ
6 ビット線ディスチャージトランジスタ
7 カラム選択トランジスタ
9 ロウデコーダ
10 メインセンスアンプ
18 差動増幅センスアンプ回路
19 出力バッファ
102 ディスチャージ回路
104 カラムセレクタ
106 チャージ回路(PMOSトランジスタ)
108 センスアンプ
110 ラッチ回路
112、116 インバータ
114、118 論理回路(AND回路)
3 ダミーメモリセル
5 ビット線チャージトランジスタ
6 ビット線ディスチャージトランジスタ
7 カラム選択トランジスタ
9 ロウデコーダ
10 メインセンスアンプ
18 差動増幅センスアンプ回路
19 出力バッファ
102 ディスチャージ回路
104 カラムセレクタ
106 チャージ回路(PMOSトランジスタ)
108 センスアンプ
110 ラッチ回路
112、116 インバータ
114、118 論理回路(AND回路)
Claims (11)
- 選択ワード線が活性化される期間とは別の所定の期間にディスチャージ回路によりビット線をグランド電位に放電し、メモリセルの読み出し時に、チャージ回路により、センスアンプの入力ノード側から、前記メモリセルに接続するビット線を充電し、その結果に基づき前記センスアンプで読み出しを行う半導体記憶装置であって、
前記メモリセルの読み出し時、前記メモリセルに接続するビット線を前記センスアンプの入力ノードに接続するカラム選択トランジスタは、前記チャージ回路により、前記センスアンプの入力ノード及び前記ビット線が充電され所定の電位に上昇すると、オフとなり、前記カラム選択トランジスタがオフとされ前記メモリセルに接続するビット線が前記センスアンプの入力ノードから切り離された状態で、前記チャージ回路による前記センスアンプの入力ノードの充電が行われ、その後、読み出し動作が行われる、ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記センスアンプは、シングルエンド入力構成とされる、ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記カラム選択トランジスタは、ゲートにカラム選択信号を受け、ドレインがビット線に接続され、ソースが前記センスアンプの入力ノードに接続され、
前記チャージ回路の充電作用により前記センスアンプの入力ノードの電位が上昇し、ゲート電位から前記カラム選択トランジスタの閾値電圧を差し引いた電位を超えた場合、前記カラム選択トランジスタはオフし、
前記閾値は相対的に高閾値とされる、ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。 - 前記カラム選択トランジスタは、ドレインがビット線に接続され、ソースが前記センスアンプの入力ノードに接続され、ビット線のフィードバック信号とカラム選択信号との論理演算結果をゲートに受ける、ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 前記チャージ回路は、電源端子と前記センスアンプの入力ノード間に接続され、チャージ動作を制御する制御信号によりオン・オフ制御されるトランジスタを備えている、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体記憶装置。
- 制御信号に基づき、ビット線をグランド電位に放電するディスチャージ回路と、
シングルエンド入力構成のセンスアンプと、
制御信号に基づき、前記センスアンプの入力ノード側からオン状態のカラム選択トランジスタを介してビット線を充電するチャージ回路と、
を備え、
メモリセルの読み出し時、前記チャージ回路により、前記センスアンプの入力ノード側から、オン状態のカラム選択トランジスタを介して、前記メモリセルに接続するビット線の充電が行われ、
前記メモリセルがオフビットでありグランド側への電流パスがない場合、前記チャージ回路の充電作用により、前記センスアンプの入力ノード及び前記ビット線が所定の電位に上昇し、
前記カラム選択トランジスタがオンからオフに切り替わった後に、前記チャージ回路による、前記センスアンプの入力ノードの充電が行われ、その後、読み出し動作が行われる、ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記カラム選択トランジスタの閾値が相対的に高く設定され、
前記センスアンプの入力ノードの電位の上昇時における前記カラム選択トランジスタがオフする時間を早める、ことを特徴とする請求項1又は6記載の半導体記憶装置。 - 前記カラム選択トランジスタのゲート電圧を相対的に低くし、前記センスアンプの入力ノードが充電されて電位が上昇した際のカラム選択トランジスタがオフする時間を早める請求項1又は6記載の半導体記憶装置。
- 前記カラム選択トランジスタは、
ドレインがビット線に接続され、ソースが前記センスアンプの入力ノードに接続され、
ビット線の反転値とカラム選択信号との論理積を演算する論理回路の出力をゲートに受ける、ことを特徴とする請求項6記載の半導体記憶装置。 - 前記チャージ回路は、前記制御信号に基づき、前記ディスチャージ回路が活性化されビット線をグランド電位にするときは、非活性とされ、
前記ディスチャージ回路は、前記制御信号に基づき、前記チャージ回路が活性化され、前記センスアンプの入力ノードを充電するときは、非活性とされる、ことを特徴とする請求項6記載の半導体記憶装置。 - 前記チャージ回路は、電源端子と前記センスアンプの入力ノード間に接続され、前記制御信号によりオン・オフ制御されるトランジスタを備えている、ことを特徴とする請求項10記載の半導体記憶装置。
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