KR960038980A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
반도체 메모리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960038980A KR960038980A KR1019950009793A KR19950009793A KR960038980A KR 960038980 A KR960038980 A KR 960038980A KR 1019950009793 A KR1019950009793 A KR 1019950009793A KR 19950009793 A KR19950009793 A KR 19950009793A KR 960038980 A KR960038980 A KR 960038980A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- detection signal
- delayed
- master
- predetermined time
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40611—External triggering or timing of internal or partially internal refresh operations, e.g. auto-refresh or CAS-before-RAS triggered refresh
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4093—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 파워 온 동작을 검출신호를 발생하는 파워 온검출수단 ; 검출신호에 응답하여 인에이블되어 로우 어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제1소정시간 지연된 신호를 제1마스터 신호로 출력하는 제1입력버퍼 ; 검출신호를 제2소정시간 지연시켜서 제1지연된 검출신호를 발생하는 제1지연수단 ; 제1지연된 검출신호에 응답하여 인에이블되어 컬럼어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제3소정시간 지연된 신호를 제2마스터 신호로 출력하는 제2입력버퍼 ; 제1 및 제2마스터 신호를 입력하여/CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 트리거시키는 제3마스터 신호를 발생하기 리프레쉬 트리거수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에는 파워 온시 클럭 업 스큐에 의한 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드의 세팅을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가지는 반도체 메모리 장치의 일부 구성을 나타낸 블럭도, 제7도는 제4도의 /CAS 입력버퍼의 구성을 나타낸 회로도, 제8도는 제4도의 리프레쉬 트리거수단의 구성을 나타낸 회로도.
Claims (3)
- 파워 온 동작을 검출하여 검출신호를 발생하는 파워 온 검출수단 ; 상기 검출신호에 응답하여 인에이블되어 로우 어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제1소정시간 지연된 신호를 제1마스터 신호로 출력하는 제1입력버퍼 ; 상기 검출신호를 제2소정시간 지연시켜서 제1지연된 검출신호를 발생하는 제1지연수단 ; 상기 제1지연된 검출신호에 응답하여 인에이블되어 컬럼 어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제3소정시간 지연된 신호를 제2마스터 신호로 출력하는 제2입력버퍼 ; 상기 제1 및 제2마스터 신호를 입력하여 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 트리거시키는 제3마스터 신호를 발생하기 리프레쉬 트리거수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가진 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 장치는 상기 제1지연된 검출신호를 제4소정 시간 지연시켜서 제2지연된검출신호를 발생시키는 제2지연수단 ; 및 상기 제2지연된 검출신호에 응답하여 인에이블되어 외부제어신호들을 입력하여 제3소정시간 지연된 신호를 내부 제어신호들로 출력하는 제3입력버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가진 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2소정 지연시간은 상기 제1마스터 신호가 활성화되기 전에 제2마스터신호가 활성화되는 것을 방지할 수 있을 정도의 지연시간인 것을 특징으로 하는 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가진 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009793A KR0147633B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 메모리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009793A KR0147633B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 메모리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960038980A true KR960038980A (ko) | 1996-11-21 |
| KR0147633B1 KR0147633B1 (ko) | 1998-11-02 |
Family
ID=19412906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950009793A KR0147633B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 메모리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0147633B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487484B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2005-07-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치의리프래시제어회로 |
-
1995
- 1995-04-25 KR KR1019950009793A patent/KR0147633B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487484B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2005-07-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치의리프래시제어회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147633B1 (ko) | 1998-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940010082A (ko) | 반도체메모리장치의 데이타출력버퍼 | |
| KR950001777A (ko) | 반도체 기억 장치 | |
| KR940010083A (ko) | 동기식 반도체메모리장치의 데이타출력버퍼 | |
| KR940010102A (ko) | 어드레스 전이 검출기를 포함하는 개선된 반도체 기억장치 | |
| KR910001771A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| KR940022561A (ko) | 반도체 메모리의 출력회로 | |
| KR900002304A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970071799A (ko) | 메모리제어회로 | |
| KR900017291A (ko) | 지연 회로 | |
| KR960038980A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
| KR970029812A (ko) | 컬럼 선택 신호 제어회로 | |
| KR960025707A (ko) | 반도체메모리소자의 활성싸이클에서 사용되는 승압회로 | |
| KR960043523A (ko) | 클램프기능을 가지는 데이타 출력버퍼 | |
| KR950015368A (ko) | 반도체 메모리 소자의 데이타 출력장치 | |
| KR960039000A (ko) | 기입 사이클 시간을 감소시키기 위해 펄스 발생기를 갖는 반도체 스태틱 메모리 장치 | |
| KR960038966A (ko) | 반도체장치의 내부 승압회로 | |
| KR970012755A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| KR970051226A (ko) | 버스트 모드를 지원하는 내부 컬럼 어드레스 발생 회로 | |
| KR960025747A (ko) | 최소 라스 액티브구간을 보장하는 자동 프리차아지기능을 가진 동기식 반도체메모리 장치 | |
| KR20010045945A (ko) | 반도체 메모리의 어드레스 천이 검출 회로 | |
| KR930702763A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR970051225A (ko) | 다이나믹 로우어드레스버퍼의 제어방법 | |
| KR970023423A (ko) | 반도체 메모리장치의 워드라인 구동방법 | |
| KR960025734A (ko) | 반도체 장치의 리프레쉬 제어방법 및 그 장치 | |
| KR19980037820A (ko) | 반도체 메모리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100429 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |