KR910001772A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents

반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR910001772A
KR910001772A KR1019900008380A KR900008380A KR910001772A KR 910001772 A KR910001772 A KR 910001772A KR 1019900008380 A KR1019900008380 A KR 1019900008380A KR 900008380 A KR900008380 A KR 900008380A KR 910001772 A KR910001772 A KR 910001772A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
memory
load circuit
state
cells
dummy cells
Prior art date
Application number
KR1019900008380A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930008412B1 (ko
Inventor
히로시 이와하시
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아오이 죠이치, 가부시키가이샤 도시바, 다케다이 마사다카, 도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 filed Critical 아오이 죠이치
Publication of KR910001772A publication Critical patent/KR910001772A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930008412B1 publication Critical patent/KR930008412B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/14—Dummy cell management; Sense reference voltage generators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Data Exchanges In Wide-Area Networks (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 의한 반도체메모리장치의 구성을 나타낸 회로도.

Claims (1)

  1. 제1 또는 제2의 기억상태에 있는 메모리셀(MC11-MCmn)과 상기 제1의 기억상태와 등가인 기억상태에 있는 제1의 더미셀(DC11~DCm1), 상기 제2의 기억상태와 등가인 기억상태에 있는 제2의 더미셀(DC12~DCm2), 상기 메모리셀(MC11~MCmn)에 접속된 제1의 부하회로(13), 상기 제1의 더미셀(DC11~DCm1)에 접속된 제2의 부하회로(14), 상기 제2의 더미셀(DC12~DCm2)에 접속된 제3의 부하회로(24), 상기 제1의 부하회로(13)로 부터의 출력과 상기 제2의 부하 회로(14)로부터의 출력 및 상기 제3의 부하회로(24)로부터의 출력을 비교하는 것에 의해서, 상기 메모리셀의 기억상태를 검출하는 기억상태 검출부(25)를 구비하고, 상기 제1 제2 및 제3이 부하회로(13,14,24)는 그 회로구성이 같은 것을 특징으로 하는 반도체메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008380A 1989-06-12 1990-06-08 반도체 메모리장치 KR930008412B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14867689A JPH0824000B2 (ja) 1989-06-12 1989-06-12 半導体メモリ装置
JP89-148676 1989-06-12
JP1-148676 1989-06-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910001772A true KR910001772A (ko) 1991-01-31
KR930008412B1 KR930008412B1 (ko) 1993-08-31

Family

ID=15458122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900008380A KR930008412B1 (ko) 1989-06-12 1990-06-08 반도체 메모리장치

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0405220B1 (ko)
JP (1) JPH0824000B2 (ko)
KR (1) KR930008412B1 (ko)
DE (1) DE69028048T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102389472B1 (ko) * 2020-11-12 2022-04-25 주식회사 지아이텍 질화티타늄 코팅층이 형성된 슬롯다이 제조방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2723695B2 (ja) * 1991-07-02 1998-03-09 シャープ株式会社 半導体記憶装置
KR960000616B1 (ko) * 1993-01-13 1996-01-10 삼성전자주식회사 불휘발성 반도체 메모리 장치
JP3620992B2 (ja) * 1999-04-23 2005-02-16 株式会社 沖マイクロデザイン 半導体記憶装置
ES2525116T3 (es) 2003-09-29 2014-12-17 Tosoh Corporation Composición de catalizador para la producción de espuma rígida de poliuretano y espuma rígida de poliuretano modificado con isocianurato, y composición de materias primas que contiene la misma

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4342102A (en) * 1980-06-18 1982-07-27 Signetics Corporation Semiconductor memory array
JPS6276098A (ja) * 1985-09-30 1987-04-08 Toshiba Corp センスアンプ回路
US4713797A (en) * 1985-11-25 1987-12-15 Motorola Inc. Current mirror sense amplifier for a non-volatile memory
IT1213343B (it) * 1986-09-12 1989-12-20 Sgs Microelettronica Spa Circuito di rilevamento dello stato di celle di matrice in memorie eprom in tecnologia mos.
US4967394A (en) * 1987-09-09 1990-10-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device having a test cell array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102389472B1 (ko) * 2020-11-12 2022-04-25 주식회사 지아이텍 질화티타늄 코팅층이 형성된 슬롯다이 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0824000B2 (ja) 1996-03-06
EP0405220A2 (en) 1991-01-02
EP0405220A3 (ko) 1994-02-23
EP0405220B1 (en) 1996-08-14
KR930008412B1 (ko) 1993-08-31
JPH0312897A (ja) 1991-01-21
DE69028048T2 (de) 1997-01-23
DE69028048D1 (de) 1996-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890012491A (ko) 수신기
KR890008851A (ko) 전기적으로 프로그래밍 가능한 메모리셀의 테스트 방법 및 그 집적회로
KR900015142A (ko) 반도체 집적회로장치
KR870003430A (ko) 반도체 집적 회로장치
KR910003665A (ko) 반도체 기억 회로
KR850000793A (ko) 반도체(rom)
KR950001777A (ko) 반도체 기억 장치
KR900002317A (ko) 메모리 칩의 파워 및 시그널라인 버싱방법
KR900019050A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR900015156A (ko) 다이나믹 ram의 판독 회로
KR920005173A (ko) 칩 동작상에 자동 테스트 모드의 이탈을 가진 반도체 메모리
KR930003139A (ko) 반도체 메모리
KR880004376A (ko) 반도체 기억장치
KR870007512A (ko) 어드레스 신호변화를 검출하는 회로를 지닌 반도체 집적회로
KR910001772A (ko) 반도체 메모리 장치
KR890004333A (ko) 반도체 메모리 장치
KR910008730A (ko) 반도체 기억장치
KR910006994A (ko) 센스 앰프회로
KR920022301A (ko) 반도체 기억장치
KR920003314A (ko) 반도체 메모리장치
KR900019041A (ko) 반도체 메모리
KR970060222A (ko) 동기형 반도체 메모리 장치
KR870007511A (ko) 데이타 판독회로
KR950015394A (ko) 스태틱 랜덤 억세스 메모리
KR910010513A (ko) 다이나믹램의 분리회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090727

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term