KR850000793A - 반도체(rom) - Google Patents

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KR850000793A
KR850000793A KR1019830002800A KR830002800A KR850000793A KR 850000793 A KR850000793 A KR 850000793A KR 1019830002800 A KR1019830002800 A KR 1019830002800A KR 830002800 A KR830002800 A KR 830002800A KR 850000793 A KR850000793 A KR 850000793A
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기구오 사가이 (외 1)
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가모시다 겐이찌 (외 1)
히다찌 마이크로 콤퓨우터 엔지니어링 가부시기 가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체(ROM)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 실시예를 도시한 회로 블루도,
제2도는 제1도의 중요부의 실시예를 도시한 회로도.
제3도는 메모리 어레이의 예를 도시한 회로도이다.

Claims (5)

  1. 수개의 메모리 셀을 포함하는 메모리 부분과, 입력되는 어드레스 신호에 따라서 하나의 메모리 셀을 선택하는 선택회로와, 그리고 입력되는 어드레스 신호들의 소정의 조합(combination)을 검지할 수 있는 검지 회로와, 그리고 또 상기의 메모리 부분으로부터 호출되는 신호를 받고 또한 상기 검지 회로로부터의 검지신호가 없을 때에는 상기 메모리부분으로부터의 상기 호출된 신호에 상당하는 로직 레벨의 신호를 출력하며, 상기 검지회로로부터의 검지 신호가 있을때에는 상기 메모리 부분으로부터의 상기 호출된 신호에 상당하지 않는 신호를 출력하는 출력회로와에 의하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체ROM.
  2. 상기 검지 회로는 프로그램어블 어드레스 정보 메모리 소자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 1의 반도체 ROM.
  3. 상기의 어드레스 정보 메모리 소자들은 휴우즈 소자들인 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 2의 반도체 ROM.
  4. 상기의 검지 회로는 각각 이 휴우즈 소자로 구성된 다수개의 어드레스 비교기들과, 상기의 휴우즈소자에 의하여 상보적으로 “ON”과 “OFF”로 제어되어 상보적 어드레스 신호의 어느 한쪽을 선정하는 스위칭 소자와, 상기 다수개의 어드레스 비교기의 출력을 받아 들이는데 코우더와 로구성 된 것을 특징으로 하는 특허청구 범위 3의 반도체 ROM.
  5. 상기 출력회로는 상기의 메모리 부분으로부터 공급된 신호와 상기 검지 회로로부터 공급된 신호를 받아들이는 배타적 OR회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 특허 청구 범위 1의 반도체 ROM.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019830002800A 1982-07-02 1983-06-22 반도체 rom KR910005970B1 (ko)

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JP57113916A JPS595497A (ja) 1982-07-02 1982-07-02 半導体ｒｏｍ
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JP57-113916 1982-07-02

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KR910005970B1 KR910005970B1 (ko) 1991-08-09

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FR (1) FR2529702A1 (ko)
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