KR880000974A - 휴즈회로와 그 내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체장치 - Google Patents

휴즈회로와 그 내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880000974A
KR880000974A KR870005819A KR870005819A KR880000974A KR 880000974 A KR880000974 A KR 880000974A KR 870005819 A KR870005819 A KR 870005819A KR 870005819 A KR870005819 A KR 870005819A KR 880000974 A KR880000974 A KR 880000974A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fuse
circuit means
fuses
transistor
detection circuit
Prior art date
Application number
KR870005819A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910001533B1 (ko
Inventor
다까오 아까오기
히로미 가와시마
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쯔 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR880000974A publication Critical patent/KR880000974A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910001533B1 publication Critical patent/KR910001533B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/785—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with redundancy programming schemes
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/16—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM using electrically-fusible links
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C17/00—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14—Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/18—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/835—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with roll call arrangements for redundant substitutions

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

휴즈회로와 그 내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 여분형태를 적용하는 반도체 메모리장치에 응용되는 본 발명에 의한 반도체 장치의 일실시예를 나타내는 시스템 개통도. 제2도는 제1도에 보인 반도체 장치내의 여분제어회로의 일실시예를 나타내는 시스템 회로도. 제3도는 제2도에 나타낸 여분제어회로의 요부를 나타내는 회로도.

Claims (4)

  1. 제1및 제2전원단자와, 휴즈들의 용단 및 비용단 상태들에 의해 정보를 기억시키기 위한 제1및 제2휴즈들을 갖는 상기 제1및 제2전원단자들간에 동작가능하게 연결되는 휴즈회로 수단과, 휴즈들중 적어도 하나가 용단될 때 제1논리레벨을 갖는 출력신호와 두 휴즈를 모두가 비용단될때 제2논리레벨을 갖는 출력신호를 제공하기 위해 상기 휴즈회로 수단에 동작가능하게 연결되는 정보출력회로 수단과, 그리고 휴즈들중 어느 것이 비용단됐는지를 검출하기 위한 상기 휴즈회로 수단에 동작가능하게 연결되는 검출회로 수단을 포함하며, 상기검출회로 수단은 제1휴즈와 병렬로 연결되는 제1트랜지스터와 제2휴즈와 병렬로 연결되는 제 2 트랜지스터들을 갖고 있으며, 상기 제1트랜지스터는 제 1 검사신호에 응답하여 도통되며, 상기 제2트랜지스터는 제2검사신호에 응답하여 도통되는 것이 특징인 휴즈회로와 그내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체 장치.
  2. 제1항에서, 상기 제1및 제2검사신호들은 상이한 논리레벨들을 갖고 있으며, 상기 정보출력회로 수단은 제1검사신호가 상기 제1트랜지스터에 걸릴 때 상기 제2휴즈가 비용단됨을 나타내도록 제2논리레벨을 갖는 출력신호를 발생시키며 또한 제2검사신호가 상기 제2트랜지스터에 걸릴때 상기 제1휴즈가 비용단됨을 나타내도록 제2논리레벨을 갖는 출력신호를 발생시키는 것이 특징인 휴즈회로와 그 내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정보출력회로 수단은 상기 제1및 제2검사신호들이 상기 제1및 제2트랜지스터들의 각 베이스들에 걸릴때 상기 휴즈들을 통해 얻은 신호들의 논리합을 얻기 위한 OR회로를 포함하는 것이 특징인 휴즈회로와 그내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체 장치.
  4. 제1항에서, 메모리셀들의 어레이를 보충하는 메모리셀 어레이를 더 포함하며, 상기 휴즈회로 수단은 상기 메모리셀 어레이내의 결합 메모리 셀들에 관한 어드레스정보를 기억시키는 것이 특징인 휴즈회로와 그내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870005819A 1986-06-11 1987-06-09 휴즈회로와 그내의 휴즈상태 검출회로를 갖는 반도체장치 KR910001533B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61133782A JPS62291799A (ja) 1986-06-11 1986-06-11 半導体記憶装置
JP61-133782 1986-06-11
JP133782 1986-06-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880000974A true KR880000974A (ko) 1988-03-30
KR910001533B1 KR910001533B1 (ko) 1991-03-15

Family

ID=15112867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870005819A KR910001533B1 (ko) 1986-06-11 1987-06-09 휴즈회로와 그내의 휴즈상태 검출회로를 갖는 반도체장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4773046A (ko)
EP (1) EP0252325B1 (ko)
JP (1) JPS62291799A (ko)
KR (1) KR910001533B1 (ko)
DE (1) DE3775639D1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2633420B1 (fr) * 1988-06-28 1992-02-21 Schlumberger Ind Sa Support d'informations et systeme de gestion de tels supports
JPH0793037B2 (ja) * 1988-11-21 1995-10-09 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH081755B2 (ja) * 1989-06-26 1996-01-10 日本電気株式会社 置換アドレス判定回路
US5032708A (en) * 1989-08-10 1991-07-16 International Business Machines Corp. Write-once-read-once batteryless authentication token
FR2660795B1 (fr) * 1990-04-10 1994-01-07 Sgs Thomson Microelectronics Sa Circuit de detection de fusible.
JP2960752B2 (ja) * 1990-06-07 1999-10-12 シャープ株式会社 半導体記憶装置
KR940008213B1 (ko) * 1991-12-31 1994-09-08 현대전자산업 주식회사 컬럼 리페어의 입출력 선택회로
US5539402A (en) * 1992-08-03 1996-07-23 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration System for memorizing maximum values
US5422850A (en) * 1993-07-12 1995-06-06 Texas Instruments Incorporated Semiconductor memory device and defective memory cell repair circuit
JPH0793172A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Nec Corp 冗長ブロック切り替え回路
US5404049A (en) * 1993-11-02 1995-04-04 International Business Machines Corporation Fuse blow circuit
US6188239B1 (en) * 1996-08-12 2001-02-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor programmable test arrangement such as an antifuse to ID circuit having common access switches and/or common programming switches
DE19755384C2 (de) * 1997-12-12 2000-05-04 Siemens Ag System zum Trimmen elektronischer Bauelemente oder Sensoren
KR100287541B1 (ko) 1998-05-29 2001-04-16 윤종용 반도체 메모리 장치의 리던던시 디코더 인에이블회로
JP2002109900A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、および半導体記憶装置のテスト方法
US6373771B1 (en) 2001-01-17 2002-04-16 International Business Machines Corporation Integrated fuse latch and shift register for efficient programming and fuse readout
AU2002367919A1 (en) * 2002-05-08 2003-11-11 Semtech Corporation Method and apparatus for improving the reliability of the reading of integrated circuit fuses
DE10319273B4 (de) * 2003-04-29 2008-11-06 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Bewerten und Nachprogrammieren von einmal programmierbaren Zellen
WO2005015567A1 (de) * 2003-07-29 2005-02-17 Infineon Technologies Ag Nichtflüchtiges speicherelement mit erhöhter datensicherheit
US7289382B2 (en) * 2003-12-23 2007-10-30 Intel Corporation Rewritable fuse memory
JP2007172720A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Nec Electronics Corp 半導体装置、半導体記憶装置、制御信号生成方法、及び救済方法
US7514982B2 (en) 2006-08-31 2009-04-07 Micron Technology, Inc. Methods, devices and systems for sensing the state of fuse devices
KR100921831B1 (ko) 2007-12-27 2009-10-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 퓨즈 모니터링 회로
KR100921830B1 (ko) 2007-12-27 2009-10-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 퓨즈 모니터링 회로

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59117798A (ja) * 1982-12-24 1984-07-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
JPS60103594A (ja) * 1983-11-10 1985-06-07 Fujitsu Ltd 情報記憶回路
JPS60195800A (ja) * 1984-03-16 1985-10-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPS6134799A (ja) * 1984-07-26 1986-02-19 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置
JPS61123100A (ja) * 1984-11-20 1986-06-10 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4734885A (en) * 1985-10-17 1988-03-29 Harris Corporation Programming arrangement for programmable devices

Also Published As

Publication number Publication date
JPH054760B2 (ko) 1993-01-20
KR910001533B1 (ko) 1991-03-15
EP0252325A2 (en) 1988-01-13
JPS62291799A (ja) 1987-12-18
EP0252325A3 (en) 1990-01-31
DE3775639D1 (de) 1992-02-13
US4773046A (en) 1988-09-20
EP0252325B1 (en) 1992-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880000974A (ko) 휴즈회로와 그 내의 휴즈상태를 검출하는 검출회로를 갖는 반도체장치
KR960042760A (ko) 반도체 메모리 소자
KR940010274A (ko) 반도체 집적 회로
KR850000793A (ko) 반도체(rom)
KR910010534A (ko) 반도체 기억장치의 용장회로
KR900001740B1 (ko) 스위칭 제어신호 발생용 반도체 집적회로장치
KR900003895A (ko) 반도체메모리셀 및 반도체메모리장치
IT1271540B (it) Dispositivo a semiconduttore per permettere una semplice rivelazione esterna dell'utilizzo di un circuito ridondante e relativo dispositivo di memoria a semiconduttore
KR930020695A (ko) 반도체 기억장치
KR880014482A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR970012793A (ko) 불량 구제 판정 회로
KR930006736A (ko) 반도체 기억장치
US4860256A (en) Integrated circuit provided with switching elements for changeover to redundancy elements in a memory
KR920005173A (ko) 칩 동작상에 자동 테스트 모드의 이탈을 가진 반도체 메모리
KR870009395A (ko) 불휘발성 메모리 회로
KR860009420A (ko) 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로
KR850008566A (ko) 대치용장 회로를 가진 반도체집적 회로
KR970003271A (ko) 반도체 메모리의 불량셀 구제회로
KR880009376A (ko) 반도체 기억장치
KR940010341A (ko) 결함 메모리 셀을 구제하기 위한 디코더
KR880004376A (ko) 반도체 기억장치
KR910005322A (ko) 용장 메모리 셀을 갖는 반도체 메모리 장치
US6014052A (en) Implementation of serial fusible links
KR860009425A (ko) 다이오드 매트릭스형 디코오더와 여분형태를 갖는 반도체 메모리장치
KR880008341A (ko) 특수 모드용 prom 셀들이 있는 반도체장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee