KR860009420A - 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로 - Google Patents
내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 의한 반도체 집적회로의 일실시예를 나타내는 개통도.
제6도는 제5도에 사용된 전압검출회로의 일예도.
제7a 및 7b도는 제6도에 보인 전압검출회로의 동작을 설명하는 개략 타이밍도.
제8a 및 8b도는 제6도에 보인 전압검출회로내의 각 지점들에서의 전위변동에 관한 상세한 타이밍도.
Claims (9)
- 내부회로와, 외부로부터 칩선택 신호를 수신하기 위한 수단과, 외부로부터 입력신호를 수신하기 위한 수단과, 그리고 상기 입력신호의 전위가 기준 전위보다 높은지 여부를 검출하기 위한 전압검출회로를 포함하되, 상기 전압검출회로는, 상기 기준전위와 상기 입력신호를 차동적으로 비교하여 비교결과에 따라 예정된 출력전위를 발생시키기 위한 제1수단과, 상기 제1수단을 트리거하기 위해 상기 칩선택신호의 예정된 연부를 검출하기 위한 제2수단과, 그리고 상기 제1수단이 상기 제2수단에 의해 트리거될 때 제3수단에 상기 제1수단의 상기 출력전위를 래치시키기 위한 제3수단을 포함하며, 상기 내부회로는 상기 제3수단의 출력전위에 의해 제1모드로부터 제2모드로 또는 반대로 스위치되는 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 제1모드는 상기 내부회로를 동작시키기 위한 통상모드인 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 제2모드는 상기 내부회로 검사를 위한 검사모드인 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 입력신호의 전위는 검사모드에서 상기 기준 전위보다 높은 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 입력신호의 전위는 통상모드에서 상기 기준 전위보다 낮은 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 기준전위는 상기 전압검출회로에 연결되는 전원선으로부터 얻어지는 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 칩선택신호는 로우 이네이블 신호로서 사용되는 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 내부회로에 대해 예정된 수의 어드레스 단자들을 더 포함하되, 상기 내부회로는 통상모드에서 메모리 블록들중 하나를 선택하기 위한 디코오더를 포함하며, 또한 상기 입력신호는 외측으로부터 상기 디코오더에 연결되는 어드레스 단자에 공급되는 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.
- 제1항에서, 상기 내부회로에 대해 데이터 입력단자와 데이터 출력단자를 포함하되, 상기 입력신호는 외부로부터 상기 칩선택신호의 예정된 연부와 동기하여 상기 데이터 입력단자와 데이터 출력단자중 하나에 공급되는 것이 특징인 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60098890A JPS61258399A (ja) | 1985-05-11 | 1985-05-11 | 半導体集積回路装置 |
JP60-98890 | 1985-05-11 | ||
JP98890 | 1985-05-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR860009420A true KR860009420A (ko) | 1986-12-22 |
KR900001492B1 KR900001492B1 (ko) | 1990-03-12 |
Family
ID=14231728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019860003658A KR900001492B1 (ko) | 1985-05-11 | 1986-05-10 | 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4742486A (ko) |
EP (1) | EP0205258B1 (ko) |
JP (1) | JPS61258399A (ko) |
KR (1) | KR900001492B1 (ko) |
DE (1) | DE3680033D1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100428792B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 패드의 언더슈트 또는 오버슈트되는 입력 전압에 안정적인전압 측정장치 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6337894A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | ランダムアクセスメモリ |
US5293598A (en) * | 1986-07-30 | 1994-03-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Random access memory with a plurality of amplifier groups |
JPS6337269A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-17 | Fujitsu Ltd | モ−ド選定回路 |
US4807191A (en) * | 1988-01-04 | 1989-02-21 | Motorola, Inc. | Redundancy for a block-architecture memory |
JPH01276489A (ja) * | 1988-04-27 | 1989-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | ダイナミック型半導体記憶装置のモード切換方式 |
US5012180A (en) * | 1988-05-17 | 1991-04-30 | Zilog, Inc. | System for testing internal nodes |
JPH02181677A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Sharp Corp | Lsiのテストモード切替方式 |
JPH02206087A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2582439B2 (ja) * | 1989-07-11 | 1997-02-19 | 富士通株式会社 | 書き込み可能な半導体記憶装置 |
JPH0743399B2 (ja) * | 1990-08-15 | 1995-05-15 | 富士通株式会社 | 半導体回路 |
JPH04119600A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | テストモード機能内蔵ダイナミックランダムアクセスメモリ装置 |
US5363383A (en) * | 1991-01-11 | 1994-11-08 | Zilog, Inc. | Circuit for generating a mode control signal |
JP3282188B2 (ja) * | 1991-06-27 | 2002-05-13 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ装置 |
KR950014099B1 (ko) * | 1992-06-12 | 1995-11-21 | 가부시기가이샤 도시바 | 반도체 기억장치 |
DE4434792C1 (de) * | 1994-09-29 | 1996-05-23 | Telefunken Microelectron | Integrierte, in einem ersten und einem zweiten Betriebsmodus betreibbare Schaltungsanordnung |
DE10158406A1 (de) * | 2001-11-29 | 2003-06-12 | Knorr Bremse Systeme | Verfahren und Prüfeinrichtung zum Entdecken von Adressierungsfehlern in Steuergeräten |
US9015394B2 (en) * | 2012-06-22 | 2015-04-21 | Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. | Chip select (‘CS’) multiplication in a serial peripheral interface (‘SPI’) system |
CN110941218B (zh) * | 2019-12-10 | 2021-02-26 | 北京振兴计量测试研究所 | 一种can总线控制器测试方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5396740A (en) * | 1977-02-04 | 1978-08-24 | Hitachi Ltd | Test system |
DE3030852A1 (de) * | 1980-08-14 | 1982-03-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung fuer die pruefung von speicherzellen programmierbarer mos-integrierter halbleiterspeicher |
US4552292A (en) * | 1982-11-12 | 1985-11-12 | General Electric Company | Heat exchanger |
JPS59198596A (ja) * | 1983-04-22 | 1984-11-10 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 検査回路 |
DE3318564A1 (de) * | 1983-05-20 | 1984-11-22 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Integrierte digitale mos-halbleiterschaltung |
US4701884A (en) * | 1985-08-16 | 1987-10-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory for serial data access |
-
1985
- 1985-05-11 JP JP60098890A patent/JPS61258399A/ja active Granted
-
1986
- 1986-05-08 US US06/861,199 patent/US4742486A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-09 DE DE8686303565T patent/DE3680033D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-09 EP EP86303565A patent/EP0205258B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-10 KR KR1019860003658A patent/KR900001492B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100428792B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 패드의 언더슈트 또는 오버슈트되는 입력 전압에 안정적인전압 측정장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0412854B2 (ko) | 1992-03-05 |
JPS61258399A (ja) | 1986-11-15 |
KR900001492B1 (ko) | 1990-03-12 |
DE3680033D1 (de) | 1991-08-08 |
EP0205258B1 (en) | 1991-07-03 |
EP0205258A2 (en) | 1986-12-17 |
US4742486A (en) | 1988-05-03 |
EP0205258A3 (en) | 1989-02-15 |
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Legal Events
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