KR860002148A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

반도체 집적회로 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 1칩 마이크로 콤퓨터의 1실시예로 도시한 블럭도.
제2도는 그의 기억동작의 개략을 설명하기 위한 어드레스 공간을 도시한 도면.
제3도는 제1도의 제어회로 WCON의 구체적인 회로도.
제4도는 제1도 EPROM의 구체적인 회로도.

Claims (6)

  1. 반도체 집적회로 장치는, 어드레스 신호가 주어지는 제1배선과, 상기 제1배선을 거쳐서 어드레스 신호가 주어진 엘렉트리컬리 프로그래머블 리이드 온리 메모리와, 상기의 프로그래머블 리이드 온리 메모리로 부터 호출될 데이터 및 상기 프로그래머블 리이드 온리 메모리에 공급할 테이터가 주어지는 외부단자와, 그리고 상기 어드레스 신호가 상기 프로그래머블 리이드 온리 메모리의 어드레스 공간을 지시하고 있는지, 아닌지를 식별하는 기능과, 상기 어드레스 신호가 상기의 프로그래머블 리이드 온리 메모리의 어드레스 공간 이외의 어드레스를 지시하고 있을 때에 상기 외부 단자에 출력된 데이터를 소정 레벨에 강제시키는 기능을 가진 제어회로로 구성된다.
  2. 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 기억 장치는, 또 상기외부단자에 그의 입출력을 단자가 결합된 입출력 회로로 구성되고, 상기 제어 회로는 상기 어드레스 신호를 받아드리는 것에 의하여 상기의 어드레스 신호가 상기 프로그래머블리이드 온리 메모리의 어드레스 공간을 지시하고 있는지, 아닌지를 식별하는 어드레스 식별회로, 및 상기 어드레스 시노가 상기 프로그래머 블리이드 온리 메모리의 어드레스 공간을 지시하고 있지 않을 때의 상기 어드레스 식별 회로의 출력 신호에 응답해서 상기 입출력 회로로부터 상기 외부 단자에 출력될 신호 레벨을 소정 레벨에 강제시키기 위한 제어 신호를 출력하는 제어신호 발생회로로 구성된다.
  3. 특허청구범의 범위 제2항 기재의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 제어 회로는 또 기억 제어용의 외부 단자에 공급될 전압 레벨을 검출하는 전압 레벨 검출 회로로 구성되며, 상기 제어 신호 발생회로는 상기 전압 레벨 검출 회로의 출력 신호에 응답해서 상기 프로그래머블 리이드 온리 메모리에 공급할 제어 신호를 출력한다.
  4. 특허청구의 범위 제2항 기재의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 외부 단자에 출력될 신호의 소정레벨은, 상기 엘렉트리컬리 프로그래머블 리이드 온리 메모리를위한 기억시키는 장치에 의해서 확인된 레벨과 같아지게 된다.
  5. 반도체 집적회로 장치는, 버스 라인과, 그의 어드레스 입력단자 및 데이타 입출력 단자가 상기 버스 라인에 결합된 엘렉트리컬리 프로그램버블 리이드온리 메모리와, 상기 엘렉트리컬리 프로그래머블 리이드 온리 메모리가 직접으로 액세스 될 때의 어드레스 신호가 공급되는 제1외부 단자와, 상기 일렉트리컬리 프로그래머블 리이드 온리 메모리가 직접으로 액세스 될때의 기억 데이타 신호 및 호출 데이터 신호가 공급되는 제2외부 단자와, 상기 제2외부 단자와, 상기 버스 라인과의 사이에 마련되고 마이크로 콤퓨터 씨스템의 일부를 구성하는 입출력 회로와, 그리고 상기 제1외부 단자에 공급될 어드레스 신호에 의해서 지시되는 어드레스가 상기 엘렉트리컬리 프로그래머블 리이드 온리 메모리의 어드레스 공간 이외의 어드레스를 지지하고 있을 때에, 상기 입 출력 회로로 부터, 상기 제2외부 단자에 공급될 데이타 신호를 소정의 레벨에 고정시키는 제어 회로로 구성된다.
  6. 특허청구의 범위 제5항 기재의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 제어 회로는, 상기 버스 라인을 거쳐서 공급되는 어드레스 신호에 의해서 지시되는 어드레스의 범위를 식별하는 어드레스 식별회로, 및 상기 어드레스 식별 회로의 출력을 받아드리는 것에 의해서 데이터 신호를 상기의 소정 레벨에 고정시키기 위한 제어 신호를 출력하는 제어신호 발생회로로 구성된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6068441A (ja) * 1983-09-22 1985-04-19 Fujitsu Ltd ワンチツプ・マイクロ・コンピユ−タ
JPS6151695A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4783764A (en) * 1984-11-26 1988-11-08 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device with built-in memories, and peripheral circuit which may be statically or dynamically operated
JPS61222148A (ja) * 1985-03-08 1986-10-02 Fujitsu Ltd 1チツプマイクロコンピユ−タの製造方法
JP2513462B2 (ja) * 1986-03-26 1996-07-03 株式会社日立製作所 マイクロ・コンピユ−タ
US5261110A (en) * 1986-10-10 1993-11-09 Hitachi, Ltd. System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time
US5313650A (en) * 1986-10-24 1994-05-17 Hitachi, Ltd. System for performing writes to non-volatile memory elements in a minimal time
US4758996A (en) * 1987-01-30 1988-07-19 Rise Technology, Inc. Address translator
US5511211A (en) * 1988-08-31 1996-04-23 Hitachi, Ltd. Method for flexibly developing a data processing system comprising rewriting instructions in non-volatile memory elements after function check indicates failure of required functions
JP2648840B2 (ja) * 1988-11-22 1997-09-03 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPH0812646B2 (ja) * 1989-03-03 1996-02-07 三菱電機株式会社 半導体集積回路
US5197026A (en) * 1989-04-13 1993-03-23 Microchip Technology Incorporated Transparent EEPROM backup of DRAM memories
JPH02140700U (ko) * 1989-04-20 1990-11-26
JP2830308B2 (ja) * 1990-02-26 1998-12-02 日本電気株式会社 情報処理装置
MY108976A (en) * 1990-06-08 1996-11-30 Toshiba Micro Electronics Multiport memory with test signal generating circuit controlling data transfer from ram port to sam port
JP3016490B2 (ja) * 1990-09-28 2000-03-06 富士写真フイルム株式会社 Icメモリカード
JPH04162300A (ja) * 1990-10-26 1992-06-05 Nec Corp 半導体メモリ
JP3408552B2 (ja) * 1991-02-11 2003-05-19 インテル・コーポレーション 不揮発性半導体メモリをプログラム及び消去する回路とその方法
US5546561A (en) * 1991-02-11 1996-08-13 Intel Corporation Circuitry and method for selectively protecting the integrity of data stored within a range of addresses within a non-volatile semiconductor memory
US5276839A (en) * 1991-03-07 1994-01-04 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force System for programming EEPROM with data loaded in ROM by sending switch signal to isolate EEPROM from host system
EP0510899B1 (en) * 1991-04-22 2001-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Printer control program transfer method and printer capable of receiving a control program
KR100274099B1 (ko) * 1991-08-02 2001-01-15 비센트 비.인그라시아 점진적으로 프로그램가능한 비휘발성 메모리 및 이를 구비한 집적 회로와 비휘발성 메모리 프로그래밍 방법
JP3229345B2 (ja) * 1991-09-11 2001-11-19 ローム株式会社 不揮発性icメモリ
US5412793A (en) * 1991-12-03 1995-05-02 Intel Corporation Method for testing erase characteristics of a flash memory array
US5369647A (en) * 1991-12-16 1994-11-29 Intel Corporation Circuitry and method for testing a write state machine
US5361227A (en) 1991-12-19 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
US6781895B1 (en) 1991-12-19 2004-08-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
TW231343B (ko) * 1992-03-17 1994-10-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US7057937B1 (en) 1992-03-17 2006-06-06 Renesas Technology Corp. Data processing apparatus having a flash memory built-in which is rewritable by use of external device
US6414878B2 (en) 1992-03-17 2002-07-02 Hitachi, Ltd. Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein
US5687345A (en) * 1992-03-17 1997-11-11 Hitachi, Ltd. Microcomputer having CPU and built-in flash memory that is rewritable under control of the CPU analyzing a command supplied from an external device
US5459733A (en) * 1992-03-20 1995-10-17 National Semiconductor Corporation Input/output checker for a memory array
JPH05324489A (ja) * 1992-05-15 1993-12-07 Toshiba Corp 記憶装置
JP3053301B2 (ja) * 1992-09-11 2000-06-19 三菱電機株式会社 半導体集積回路及びicカード
US5530803A (en) * 1994-04-14 1996-06-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for programming memory devices
US5715423A (en) * 1994-04-18 1998-02-03 Intel Corporation Memory device with an internal data transfer circuit
JPH09320284A (ja) * 1996-05-31 1997-12-12 Nec Corp 半導体集積回路およびその端子状態設定方法
US5883844A (en) * 1997-05-23 1999-03-16 Stmicroelectronics, Inc. Method of stress testing integrated circuit having memory and integrated circuit having stress tester for memory thereof
US6188340B1 (en) * 1997-08-10 2001-02-13 Hitachi, Ltd. Sensor adjusting circuit
US5974500A (en) * 1997-11-14 1999-10-26 Atmel Corporation Memory device having programmable access protection and method of operating the same
DE102004052218B3 (de) * 2004-10-27 2006-04-27 Infineon Technologies Ag Speicheranordnung mit geringem Stromverbrauch
KR20180032391A (ko) * 2016-09-22 2018-03-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1540923A (en) * 1975-12-01 1979-02-21 Intel Corp Programmable single chip mos computer
DE2842548A1 (de) * 1978-09-29 1980-04-10 Siemens Ag Programmierbare speicherschutzlogik fuer mikroprozessorsysteme
US4208728A (en) * 1978-12-21 1980-06-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Programable logic array
US4794558A (en) * 1979-06-12 1988-12-27 Motorola, Inc. Microprocessor having self-programmed eprom
US4450524A (en) * 1981-09-23 1984-05-22 Rca Corporation Single chip microcomputer with external decoder and memory and internal logic for disabling the ROM and relocating the RAM
US4482950A (en) * 1981-09-24 1984-11-13 Dshkhunian Valery Single-chip microcomputer
JPS58105366A (ja) * 1981-12-16 1983-06-23 Fujitsu Ltd デバツグ機能を持つマイクロコンピユ−タ
US4542453A (en) * 1982-02-19 1985-09-17 Texas Instruments Incorporated Program patching in microcomputer
JPS58223848A (ja) * 1982-06-23 1983-12-26 Oki Electric Ind Co Ltd マイクロプロセツサ
EP0109504A3 (en) * 1982-11-18 1987-03-25 International Business Machines Corporation Protection system for storage and input/output facilities and the like
US4665506A (en) * 1983-01-03 1987-05-12 Texas Instruments Incorporated Memory system with write protection
JPS59146352A (ja) * 1983-02-09 1984-08-22 Nec Corp シングル・チップ・マイクロコンピュータ
JPS6019220A (ja) * 1983-07-13 1985-01-31 Fujitsu Ltd マイクロコンピユ−タ
US4769767A (en) * 1984-01-03 1988-09-06 Ncr Corporation Memory patching system
JPS60179984A (ja) * 1984-02-27 1985-09-13 Nec Corp メモリ回路方式
US4794525A (en) * 1984-06-07 1988-12-27 Motorola, Inc. External interface control circuitry for microcomputer systems
JPS6151695A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4698750A (en) * 1984-12-27 1987-10-06 Motorola, Inc. Security for integrated circuit microcomputer with EEPROM
JPS61229133A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Nec Corp シングルチツプマイクロコンピユ−タ用エミユレ−タ

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Publication number Publication date
DE3587661D1 (de) 1993-12-23
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EP0181443B1 (en) 1993-11-18
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KR940002754B1 (ko) 1994-04-02

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