KR870009238A - 고전압검출회로 - Google Patents

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KR870009238A
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

고전압검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 고전압검출회로가 인가되는 래치회로를 도시한 블록회로,
제5도는 고전압검출회로가 인가되는 EPROM 장치를 설명하는 블록도.
제6도는 본 발명에 따른 고전압검출회로의 바람직한 실시예의 회로도.

Claims (4)

  1. 소정범위를 감는 정상입력전압보다 소정치만큼 더 높은 특정모드신호의 전위가 반도체장치의 단자중 적어도 하나에 인가될 때 상기 반도체장치의 특정모드를 시도하기 위한 제어신호를 발생하는 단자를 갖춘 반도체장치에 포함된 고전압검출회도에 있어서, 상기 고전압검출회로가 고전위용 제1전원수단; 저전위용 제2전원수단; 제어전극과 2 다른 전극을 감추고 있으며, 상기 제어전극이 상기 반도체장치의 상기 단자중 적어도 하나에 동작적으로 접속되며, 및 상기 2 다른 전극중 하나는 상기 제1전원수단과 동작적으로 접속되어 상기 제어전극의 전위가 상기 2 다른 전극중 상기 하나의 전위보다 상기 블로킹트랜지스터의 드레시홀드전압만큼 더 높을 때 상기 블로킹(blocking) 트랜지스터를 온으로 스위칭하는 블로킹 트랜지스; 터입력단과 출력단을 가지며, 상기 블로킹 트랜지스터의 상기 2 다른 전극중 나머지 하나에 동작적으로 접속되어 상기 입력단 전위보다 레벨시프트(level shift)치 만큼 더 낮은 상기 출력단 전위를 얻는 레벨시프트수단; 제1단과 제2단을 가지며, 상기 제1단이 상기 레트시프벨수단의 상기 출력단과 동작적으로 접속되며 상기 제2단이 상기 제2전원수단과 동작적으로 접속되어 상기 반도체장치의 단자중 적어도 하나의 전위가 상기 정상입력전압의 상기 소정범위내에 있을 때 상기 제1단의 전위를 상기 제2전원수단의 저전위로 유지는 저항수단; 및 제1단과 제2단을 가지며, 상기 식별회로의 상기 제1단이 상기 레벨시프트수단의 출력단과 상기 저항수단의 제1단에 동작적으로 접속되어 식별회로의 제1단전위가 상기 식별회로의 드레시홀드 전압보다 더 높을 때 상기제어신호를 상기 식별회로의 제2단으로 출력시키는 식별회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압검출회로.
  2. 제1항에 있어서 상기 레벨시프트수단이 제어전극과 2 다른전극을 가지며, 상기 제어전극과 상기 2 다른 전극중 하나가 상기 레벨시프트 수단의 입력단에 동작적으로 접속되며 상기 2 다른 전극중 다른 하나는 상기 저항수단의 제1단에 동작적으로 접속되고, 상기 레벨시프트치가 적어도 1MIS 트랜지스터의 드레시홀드 전압에 의하여 결정되는 적어도 하나의 MIS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압 검출회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저항수단은 제어전극과 2 다른 전극을 가지며, 상기 제어 전극이 상기 2 다른 전극중 하나와 상기 제2전원수단에 동작적으로 접속되며 상기 2 다른 전극중 나머지 하나는 상기 레벨시프트수단의 출력단과 상기 식별회로의 제1단과 동작적으로 접속되는 디플리이션형 MIS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 고전압검출회로.
  4. 제1항에 있어서, 제어전극과 2 다른 전극을 가지며, 상기 제어전극이 상기 2 다른 전극중 하나와 상기블로킹 트랜지스터의 2 다른 전극중 하나에 동작적으로 접속되며 상기 2 다른 전극중 나머지 하나는 상기 반도체장치의 단자중 적어도 하나와 동작적으로 접속되어 누설전류를 상기 반도체장치의 소정 표준전류이하로 유지하는 누설전류차단 트랜지스터를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 고전압검출회로
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870002446A 1986-03-19 1987-03-18 고전압검출회로 KR900003068B1 (ko)

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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5083045A (en) * 1987-02-25 1992-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. High voltage follower and sensing circuit
US5510745A (en) * 1987-07-29 1996-04-23 Fujitsu Limited High-speed electronic circuit having a cascode configuration
JPH0777079B2 (ja) * 1987-07-31 1995-08-16 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JPS6455857A (en) * 1987-08-26 1989-03-02 Nec Corp Semiconductor integrated device
JPH0695545B2 (ja) * 1988-01-07 1994-11-24 株式会社東芝 半導体集積回路
US5208488A (en) * 1989-03-03 1993-05-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Potential detecting circuit
US5019772A (en) * 1989-05-23 1991-05-28 International Business Machines Corporation Test selection techniques
US5149987A (en) * 1991-08-19 1992-09-22 Vlsi Technology, Inc. Provision of circuit reset without a dedicated I/O pin
US5278458A (en) * 1991-12-13 1994-01-11 Texas Instruments Incorporated Threshold/voltage detection circuit
JP3217498B2 (ja) * 1992-10-29 2001-10-09 富士通株式会社 半導体集積回路装置
US5394026A (en) * 1993-02-02 1995-02-28 Motorola Inc. Substrate bias generating circuit
JPH0712902A (ja) * 1993-06-17 1995-01-17 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
US5420798A (en) * 1993-09-30 1995-05-30 Macronix International Co., Ltd. Supply voltage detection circuit
WO1995009483A1 (en) * 1993-09-30 1995-04-06 Macronix International Co., Ltd. Improved supply voltage detection circuit
US5397946A (en) * 1993-10-26 1995-03-14 Texas Instruments Incorporated High-voltage sensor for integrated circuits
JP3609185B2 (ja) * 1996-01-30 2005-01-12 沖電気工業株式会社 信号発生回路及びこれを用いたテストモード設定方法
JP3806011B2 (ja) * 2001-10-05 2006-08-09 セイコーインスツル株式会社 電圧検出回路
JP2003168300A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2006112906A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Sanyo Electric Co Ltd 電圧検出回路
JP5366511B2 (ja) * 2008-11-14 2013-12-11 株式会社沖データ 駆動回路、光プリントヘッド及び画像形成装置
US8154320B1 (en) * 2009-03-24 2012-04-10 Lockheed Martin Corporation Voltage level shifter
US8570077B2 (en) * 2010-12-17 2013-10-29 Qualcomm Incorporated Methods and implementation of low-power power-on control circuits
US10094859B1 (en) * 2017-07-19 2018-10-09 Invecas, Inc. Voltage detector
CN111521861B (zh) * 2020-04-10 2022-07-22 南开大学深圳研究院 一种用于过压保护的高电压检测电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1513930A (en) * 1974-12-20 1978-06-14 Seiko Instr & Electronics Battery voltage detecting device
JPS55149871A (en) * 1978-07-31 1980-11-21 Fujitsu Ltd Line voltage detector
US4301380A (en) * 1979-05-01 1981-11-17 Motorola, Inc. Voltage detector
JPS5719676A (en) * 1981-06-01 1982-02-01 Seiko Epson Corp Voltage detecting circuit
JPS58151124A (ja) * 1982-03-04 1983-09-08 Ricoh Co Ltd レベル変換回路
JPS58190775A (ja) * 1982-04-30 1983-11-07 Fujitsu Ltd 電源電圧検出回路
JPS60124124A (ja) * 1983-12-08 1985-07-03 Nec Corp 入力回路

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Publication number Publication date
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EP0238283A2 (en) 1987-09-23
JPS62217714A (ja) 1987-09-25
KR900003068B1 (ko) 1990-05-07
EP0238283A3 (en) 1988-07-27
JPH0342015B2 (ko) 1991-06-25

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