KR880006848A - 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단 - Google Patents

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KR880006848A
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Abstract

내용 없음

Description

집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 입력 인버터를 이용하는 디지탈 IC일부에 대한 회로 다이아그램.
제2도는 제1도의 디지탈 IC에 대한 시간 함수로서 여러 전압에 대한 한쌍의 그래프.
제3도는 본 발명에 따른 동적 히스테리시스를 갖는 입력인버팅 장치를 이용하는 디지탈 IC일부에 대한 회로 다이아그램.

Claims (9)

  1. 외부 공급 전압 VLL및 VHH를 수신하기 위해 각 공급 단자에 연결된 각 공급 라인에서 제공된 각각의 낮은 공급전압 VL및 높은 공급전압 VH에 의해 활성화되고, 입력전압 VA에도 응답적인 장치이며, VS, VLL및 VHH에서 VT, V5ZVH에 따라서, VA가 VLL+VS이상으로 상승할 때는 제1상태에서 제2상태로 그리고 VA가 VLL+VS이하로 하강할 때는 제2상태에서 제1상태로 전환하도록 VA-VL이 임계 전압 VT를 넘을 때 상태를 변화하는 장치인 스위칭 장치를 구비하는 직접회로에 있어서, 상기 스위칭 장치는 VA가 VLL+VS이상으로 상승한 이후 동적 히스테리시스 수단이 없을 경우에 나타나게 될 상기 값 이하로 VT를 일시적으로 감소시키는 작동과, VA가 VLL+VS이하로 하강한 이후 상기 수단이 없을 경우에 나타나게 될 상기 값 이상으로 VT를 일시적으로 증가시키는 작동중의 적어도 한 가지 작동을 수행하는 동적 히스테리시스 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 직접 회로.
  2. 상기 스위칭 장치가 두 공급 라인 사이에 접속된 제1 및 제2전류 전도 경로의 직렬 배열을 포함하며 상기 경로의 전류 전도성은 이력 전압에 의해 제어 가능하게 상호 반대인 제1항에 있어서, 상기 동적 히스테리시스 수단은 적어도 하나의 부가적인 전류 전도경로 및 그 전도성을 제어하기 위한 제어 수단을 구비하며, 적어도 하나의 부가적인 경로가 상기 제1 및 제2경로중의 하나에 병렬로 배치되므로써, 부가적인 경로가 병렬로 배치된 그 경로 양단의 전압이 감소될 때마다 상기 제어 수단은 부가적인 경로를 일시적으로 전도되게 하는 것을 특징으로 하는 직접 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제 2전류전도 경로는 각기 상호 보상 전도성 형태이면서 각 제어 단자에서 동일한 입력전압을 수신하는 제1 및 제2트랜지스터의 전도 채널을 구비하며, 적어도 하나의 부가적인 전류 전도 경로가 상기 트랜지스터와 동일한 전도성 형태를 가지는 다른 트랜지스터의 전도 채널을 구비하여 그 전도 채널이 상기 채널과 병렬로 배치되므로써, 상기 다른 트랜지스터가 상기 제어수단에 의해 발생된 제어 전압을 그 제어 단자에서 수신하게 되는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어수단은 충전 경로를 통해 상기 다른 트랜지스터의 제어단자를 인버터 출력을 통해 충전하는 인버터 및 상기 다른 트랜지스터의 제어단자와 그와 관련된 공급 라인 사이에 접속된 방전소자를 구비하며, 상기 인버터는 제1 및 제2전도 경로의 접합을 통해 제공되는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제어수단은 한편으로는 제1 및 제2트랜지스터의 제어단자와 또 한편으로는 다른 트랜지스터의 제어단자간의 충전경로 및 다른 트랜지스터의 제어단자와 그에 관련한 공급 라인 사이에 접속된 방전 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  6. 제4항 또는 5항에 있어서, 충전경로는 상기 다른 트랜지스터의 제어단자에 결합하는 용량성 결합을 구비하며, 상기 방전소자는 저항성 소자, 다이오드중의 하나인 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  7. 상기 트랜지스터가 전계효과 트랜지스터로 구성되는 제4항에 있어서, 상기 충전 경로는 신호 보상 전도성 형태로 구성되는 한쌍의 트랜지스터의 전도 채널의 병렬배열을 구비하는 전송 게이트를 구비하며, 상기 방전소자는 다른 트랜지스터의 제어단자와 그와 관련한 공급 라인 사이에 접속된 전도 채널을 가지고 있는, 그 전도성 형태가 다른 트랜지스터와 동일한 제3트랜지스터를 구비하며, 상기 제3트랜지스터의 제어단자 및 그 제3트랜지스터와 반대한 전도성 형태의 전송게이트에서 트랜지스터의 제어 단자는 입력전압과 동일한 극성의 제1제어신호를 수신하며, 전송 게이트에서 상기 트랜지스터는 입력전압과 반대 극성의 제2제어신호를 그 제어 단자에서 수신하는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  8. 제7항에 잇어서, 상기 제어수단은 상기 인버터에 덧붙여서 제1인버터, 제2 및 제3인버터를 구비하며, 상기 제2인버터는 제1인버터에 의해 제공되고 또한 제3인버터를 제공하며, 상기 제1제어신호는 제3인버터의 출력단자에서 발생되며, 제2제어신호는 제2인버터의 출력단자에서 발생되는 것을 특징으로 하는 집적 회로.
  9. 특허청구의 범위 제4, 5, 6, 7 또는 8항에서 청구된 집적회로에서 사용하기에 적합한 제어수단.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870013214A 1986-11-25 1987-11-24 집적회로 및 이 회로에 사용하기 적합한 제어수단 KR950008422B1 (ko)

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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63234623A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Toshiba Corp 半導体集積回路
US4947063A (en) * 1987-10-09 1990-08-07 Western Digital Corporation Method and apparatus for reducing transient noise in integrated circuits
JPH01113993A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Toshiba Corp 半導体集積回路
US5182479A (en) * 1988-06-24 1993-01-26 U.S. Philips Corp. Gate circuit having increased voltage handling capability
EP0369055A1 (de) * 1988-11-17 1990-05-23 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Kompensation von Rauschsignalen
JPH0666674B2 (ja) * 1988-11-21 1994-08-24 株式会社東芝 半導体集積回路の出力回路
US4989127A (en) * 1989-05-09 1991-01-29 North American Philips Corporation Driver for high voltage half-bridge circuits
CA2008749C (en) * 1989-06-30 1999-11-30 Frank Wanlass Noise rejecting ttl to cmos input buffer
US4967109A (en) * 1989-12-08 1990-10-30 General Electric Company High efficiency gate driver circuit for a high frequency converter
JP2671538B2 (ja) * 1990-01-17 1997-10-29 松下電器産業株式会社 入力バッファ回路
US5049764A (en) * 1990-01-25 1991-09-17 North American Philips Corporation, Signetics Div. Active bypass for inhibiting high-frequency supply voltage variations in integrated circuits
EP0466238A3 (en) * 1990-07-06 1992-02-26 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken Driver circuit
US6208195B1 (en) 1991-03-18 2001-03-27 Integrated Device Technology, Inc. Fast transmission gate switch
WO1992016998A1 (en) 1991-03-18 1992-10-01 Quality Semiconductor, Inc. Fast transmission gate switch
US5194768A (en) * 1992-03-27 1993-03-16 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for filtering noise from a periodic signal
US5332938A (en) * 1992-04-06 1994-07-26 Regents Of The University Of California High voltage MOSFET switching circuit
US5296766A (en) * 1992-06-04 1994-03-22 Sharp Microelectronics Technology, Inc. CMOS circuit with crowbar limiting function
US5373435A (en) * 1993-05-07 1994-12-13 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a bootstrap diode emulator
US5502632A (en) * 1993-05-07 1996-03-26 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a bootstrap diode emulator
US5666280A (en) * 1993-05-07 1997-09-09 Philips Electronics North America Corporation High voltage integrated circuit driver for half-bridge circuit employing a jet to emulate a bootstrap diode
US5386153A (en) * 1993-09-23 1995-01-31 Cypress Semiconductor Corporation Buffer with pseudo-ground hysteresis
US5532617A (en) * 1994-03-25 1996-07-02 Philips Electronics North America Corporation CMOS input with temperature and VCC compensated threshold
EP0689292A3 (en) * 1994-06-17 1997-10-22 Harris Corp Control circuit for bridge circuits and corresponding method
US6166982A (en) * 1998-06-25 2000-12-26 Cypress Semiconductor Corp. High voltage switch for eeprom/flash memories
US6294959B1 (en) 1999-11-12 2001-09-25 Macmillan Bruce E. Circuit that operates in a manner substantially complementary to an amplifying device included therein and apparatus incorporating same
US6281736B1 (en) * 1999-12-02 2001-08-28 Sun Microsystems, Inc. Method and circuitry for soft fuse row redundancy with simple fuse programming
DE10158112C1 (de) * 2001-11-27 2003-06-26 Texas Instruments Deutschland Ausgangstreiberschaltung
KR100532477B1 (ko) * 2003-10-24 2005-12-01 삼성전자주식회사 입력 신호의 트랜지션 구간에서 안정적으로 동작하는 패스게이트 회로와 이를 구비하는 셀프 리프레쉬 회로 및 패스게이트 회로의 제어방법
US20080290841A1 (en) * 2007-05-23 2008-11-27 Richtek Technology Corporation Charging Circuit for Bootstrap Capacitor and Integrated Driver Circuit Using Same
JP5431992B2 (ja) * 2010-02-09 2014-03-05 セイコーインスツル株式会社 トランスミッションゲート及び半導体装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3718864A (en) * 1971-02-26 1973-02-27 Cogar Corp Crossover detector
US4039858A (en) * 1976-04-05 1977-08-02 Rca Corporation Transition detector
DE2901340A1 (de) * 1979-01-15 1980-07-24 Vdo Schindling Schaltungsanordnung zur erzeugung einer rechteckspannung
JPS58182914A (ja) * 1982-04-21 1983-10-26 Hitachi Ltd Ｃｍｏｓヒステリシス回路
US4498021A (en) * 1982-07-13 1985-02-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Booster for transmitting digital signal
JPS5949020A (ja) * 1982-09-13 1984-03-21 Toshiba Corp 論理回路
US4507570A (en) * 1983-03-01 1985-03-26 Motorola, Inc. Resettable one shot circuit having noise rejection
US4532436A (en) * 1983-09-30 1985-07-30 Rca Corporation Fast switching circuit
GB8420651D0 (en) * 1984-08-14 1984-09-19 British Telecomm Interface circuit
US4609834A (en) * 1984-12-24 1986-09-02 Burroughs Corporation Integrated logic circuit incorporating a module which generates a control signal that cancels switching noise

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EP0269185A3 (en) 1989-10-18
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US4874971A (en) 1989-10-17
JPS63172513A (ja) 1988-07-16
DE3750463D1 (de) 1994-10-06
EP0269185A2 (en) 1988-06-01
US4740717A (en) 1988-04-26
KR950008422B1 (ko) 1995-07-28

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