KR880001109A - 집적논리회로 - Google Patents

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KR880001109A
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디트빌 하트그링 코르넬리스
헤르만 빌렘 살터스 뢰로프
미카엘 오코넬 코르맥
요셉 마리아 쿠멘 요하네스
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이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

집적논리회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 데이타 출력을 방전시킴에 의한 본 발명에 따르는 집적회로의 등가회로 다이어그램. 제3도는 데이타 출력을 충전시킴에 의한 본 발명에 따르는 집적회로의 등가회로 다이어그램. 제4도는 충전 소오스에 대한 전압-전류 다이어그램.

Claims (9)

  1. 공급전압과 적어도 하나의 데이타 출력을 수신하기위한 한 제1 및 제2공급 단자와, 절연 게이트 출력 전계효과 트랜지스터의 전도성 채널이 상기 데이타 출력을 두 공급 단자중 하나에 접속시키는 출력회로를 구비하며, 상기 출력회로는 또한 전계효과 트랜지스터의 제어 전극에서 시간 의존 제어 전압을 발생시키기 위한 제어회로를 포함하는 접적 논리회로에 있어서, 제어회로가 적어도 동일 스위칭 후 최초 주기동안, 시간의 루트자승에 비례하는 제어 전압을 발생하는 것을 특징으로 하는 집적 논리회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어회로가 제어 전극과 공급 단자 사이에 존재하는 용량성 부하와, 제어 전극과 두 공급 단자중 하나 사이에 접속되는 추전 소오스를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 충전 소오스가 제1 및 제2절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 직렬 배열의 전도성 채널을 통하는 전류 경로를 포함하며, 제1의 제어 전극과 제2 전계효과 트랜지스터의 전도성 채널이 출력 전계효과 트랜지스터의 제어 전극에 접속되고, 제1 전계효과 트랜지스터의 전도성 채널이 두 공급 단자 중 하나에 접속되며, 제2전계효과 트랜지스터의 제어 전극이 출력 전계효과 트랜지스터용 활성화 신호를 수신하기 위해 활성화 입력에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 충전 소오스가 제어 전극이 활성화 입력에 접속되고, 전도성 채널이 직렬 배열의 제1 및 제2 전계효과 트랜지스터와 병렬로 접속되는 제3절연 게이트 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  5. 제3 또는 제4항에 있어서, 상기 충전 소오스가 상호 상이한 스위치-오프 전압을 갖는 다수의 병렬 전류 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  6. 제5항에 있어서, 출력 전계효과 트랜지스터가 n-채널형이고, 충전소오스내의 전계효과 트랜지스터가 P-채널형이며, 충전 소오스가 더 많은 정극성 두 공급 전압을 수신하기 위하여 공급 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  7. 제6항에 있어서, 용량성 부하가 주 전극이 더 많은 정극성 두 공급 전압을 수신하기 위하여 공급 단자에 접속되며, 제어 전극이 출력 전계효과 트랜지스터의 제어 전극에 접속되는 P채널 절연 게이트 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  8. 제5항에 있어서, 출력 전계효과 트랜지스터가 P채널형이고, 충전 소오스내의 전계효과 트랜지스터가 N채널 형이며 충전 소오스가 더 많은 부극성 두 공급 전압을 수신하기 위해 공급 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
  9. 제8항에 있어서, 용량성 부하가 주 전극이 더 많은 부극성 두 공급 전압을 수신하기 위해 공급 단자에 접속되고, 제어 전극이 출력 전계효과 트랜지스터의 제어 전극에 접속되는 N채널 절연 게이트 전계효과 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적논리회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870006036A 1986-06-17 1987-06-15 직접 논리 회로 KR950001084B1 (ko)

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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4947063A (en) * 1987-10-09 1990-08-07 Western Digital Corporation Method and apparatus for reducing transient noise in integrated circuits
US4829199A (en) * 1987-07-13 1989-05-09 Ncr Corporation Driver circuit providing load and time adaptive current
JPH01113993A (ja) * 1987-10-28 1989-05-02 Toshiba Corp 半導体集積回路
DE3739872A1 (de) * 1987-11-25 1989-06-08 Texas Instruments Deutschland Integrierte schaltung
NL8800234A (nl) * 1988-02-01 1989-09-01 Philips Nv Geintegreerde schakeling met logische circuits en ten minste een push-pull-trap.
US4880997A (en) * 1988-08-18 1989-11-14 Ncr Corporation Low noise output buffer circuit
US4906867A (en) * 1988-11-09 1990-03-06 Ncr Corporation Buffer circuit with load sensitive transition control
EP0379881B1 (en) * 1989-01-24 1994-07-27 Integrated Device Technology, Inc. CMOS output driver
US5049763A (en) * 1989-03-22 1991-09-17 National Semiconductor Corporation Anti-noise circuits
US4982120A (en) * 1989-07-03 1991-01-01 Dell Corporate Services Corporation Power supply decoupling mechanism for integrated circuits
US5010261A (en) * 1989-12-08 1991-04-23 General Electric Company Lossless gate driver circuit for a high frequency converter
US5164611A (en) * 1990-10-18 1992-11-17 Delco Electronics Corporation Low noise communication bus driver
DE69407352T2 (de) * 1993-06-22 1998-06-04 Philips Electronics Nv Integrierter Schaltkreis mit Störsignal reduzierender Ausgangsstufe
EP0632591B1 (en) * 1993-06-22 1997-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit comprising a noise-reducing output stage
DE4400872A1 (de) * 1994-01-14 1995-07-20 Philips Patentverwaltung Ausgangstreiberschaltung
FR2769151B1 (fr) * 1997-09-29 2000-01-14 Sgs Thomson Microelectronics Reduction du bruit de commutation en sortie d'un circuit numerique
US6980034B2 (en) * 2002-08-30 2005-12-27 Cadence Design Systems, Inc. Adaptive, self-calibrating, low noise output driver
FR2867323B1 (fr) 2004-03-05 2006-10-20 Valeo Climatisation Systeme de commande de vitesse d'un moteur de groupe moto-ventilateur, notamment pour une installation de chauffage et/ou de climatisation de vehicule automobile
WO2010038107A1 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Freescale Semiconductor, Inc. Bus driver for avoiding an overvoltage

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4216393A (en) * 1978-09-25 1980-08-05 Rca Corporation Drive circuit for controlling current output rise and fall times
FR2459584A1 (fr) * 1979-06-14 1981-01-09 Ch Polt I Dispositif de commutation de circuits a courant continu permettant notamment d'assurer une commutation conformement a une loi lineaire ou exponentielle
US4567378A (en) * 1984-06-13 1986-01-28 International Business Machines Corporation Driver circuit for controlling signal rise and fall in field effect transistor processors
SU1208601A1 (ru) * 1984-07-02 1986-01-30 Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова Аналоговый ключ
JP2557619B2 (ja) * 1985-01-19 1996-11-27 三洋電機株式会社 信号出力回路
US4622482A (en) * 1985-08-30 1986-11-11 Motorola, Inc. Slew rate limited driver circuit which minimizes crossover distortion

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IE60180B1 (en) 1994-06-15
EP0250036B1 (en) 1991-09-25

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