SU1208601A1 - Аналоговый ключ - Google Patents
Аналоговый ключ Download PDFInfo
- Publication number
- SU1208601A1 SU1208601A1 SU843762784A SU3762784A SU1208601A1 SU 1208601 A1 SU1208601 A1 SU 1208601A1 SU 843762784 A SU843762784 A SU 843762784A SU 3762784 A SU3762784 A SU 3762784A SU 1208601 A1 SU1208601 A1 SU 1208601A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- field
- transistors
- lambda
- bus
- control
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электронной коммутационной технике и может быть использовано в системах автоматики, контрол , измерений и обработки данных,Устройство содержит полевые транзисторы 1 и 2, шины 3 и 4 входа и выхода, л мбда-диод 5, состо щий из двух последовательно соединенных полевых транзисторов 6 и 7, л мбда-транзисторы 8 и 9, выполненные в виде двух полевых транзисторов 10, 11 и 12, 13, пр ма и инверсна управл ющие шины 14 и 15 и шины 16 и 17 источника питани . Последовательное включение двух полевых транзисторов 1 и 2 различных типов проводимости с соответствующим управлением ими с помощью двух-л мбда-транзисторов 8 и 9 и л мбда-диода при воздействии пр мого и инверсного управл ющих сигналов позволило pacf- ширить диапазон значений коммутируемого напр жени . -1 ил. I (Л с 00 О)
Description
Изобретение относитс к электронной коммутационной технике и может быть использовано в системах автоматики , контрол , измерений и обработки данных. .
Цель изобретени - расширение функциональных возможностей аналогового ключа, а именно расширение диапазона значений коммутируемого напр жени путем последовательного включени двух полевых транзисторов различных типов проводимости с соот- ветствующим управлением ими с.помощью двух л мбда-транзисторов и л мбда-диода при. воздействии пр мого и инверсного управл ющих сигналов,
Иа чертеже представлена принципиальна схема аналогового ключа.
Устройство содержит первый 1 и второй 2 полевые транзисторы различ- ных типов проводимости, истоки которых соединены, а стоки подключены соответственно к входной 3 и выходной 4 шинам устройства, л мбда-диод 5, состо щий, например, из двух последовательно включенных .полевых транзисторов 6 и 7 различного типа проводимости с отрицательной обратной св зью по истокам, катод и.анод которого подключены соответственно к затворам первого и второго полевых транзисторов, первый 8 и второй 9 л мбда-транзисторы, каждьй из которых состоит, например, из двух последовательно включенных с отрица- тельной обратной св зью по истоку полевых транзисторов 10, 11 и 12, 13 различных типов проводимости, включенных соответственно между ьагвора- ми первого и второго полевых тран- зисторов и пр мой 14 и инверсной 15 управл ющими шинами, причем управл ющие электроды Л мбда-транзисторов подключены соответственно к положительной 16 и отрицательной 17 шинам источника питани .
Устройство работает следующим образом .
В исходном состо нии на пр мую управл ющую шину 14 подано напр жение -Е, а на инверсную управл ющую шину - напр жение +Е. При этом оба л мбда-транзистора 8 и 9 открыты и на затворы полевых транзисторов 1 и 2 поданы соответственно потенциалы -Е и Е. Последовательна цепь полевых транзисторов 1 и 2 в этом случае разорвана дл любых сигналов
0
5
5
0 0 5 0 5
0
5
на входной шине 3 устройства в диапазоне от -Е до Е. Даже если на входную шину 3 подано аналоговое напр жение -Е и полевой транзистор 1 открыт, полевой транзистор 2 надежно заперт и входной сигнал -Е не проникает на выходную шину 4. Когда на входной шине 3 сигнал Е, надежно заперт полевой транзистор 1.
При подаче- на управл ющую шину 14 напр жени Е, а на инверсную управл ющую шину 15 напр жени -Е л мбда-транзисторы 8 и 9 закрыты, а л мбда-диод 5 открыт. Затворы полевых транзисторов 1 и 2 имеют при этом потенциалы, близкие к потенциалам истоков этих же транзисторов. Отклонение потенциалов затворов в любую сторону от потенциалов истоков этих полевых транзисторов вызывает пр мое смещение управл ющего р-п-пе- рехода затвора одного из полевых транзисторов, в результате чего величины потенциалов затворов вновь станов тс равными величинам потен-- циалов истоков. В этом режиме оба полевых транзистора 1 и 2 наход тс в провод щем состо нии и аналоговьй ключ открыт дп всех входных сигналов в диапазоне от -Е до Е. Это обеспечиваетс тем, что л мбда-транзистор 8 (или 9) закрыт даже в том случае , если к нему приложено напр жение Е (или -Е) от затворов полевых транзисторов 1 или 2, так как надеж- но заперт полевой транзистор 10 (или 13) потенциалом на своем затворе -Е (или Е).
Таким образом, аналоговый ключ сохран ет работоспособность во всем диапазоне изменени коммутируемого напр жени на входной шине ключа от -Е до Е, при этом потребление им мощности от источников питани и управл ющих сигналов мало.
Claims (1)
- Формула из обретениеАналоговый ключ, содержащий первый полевой транзистор, л мбда-диод, входную, Быходнзпо и управл ющую шины , затвор первого полевого транзистора , сток которого соединен с входной шиной устройства, подключен к катоду л мбда-диода, отличающийс тем, что, с целью расширени функциональных возможностей, в него введены два л мбда-транзисто31208601pa и второй полевой транзистор, типтранзистор включен между затвором проводимости которого противополо-первого полевого транзистора и управ- жен типу проводимости первого поле-л ющей шиной, а второй л мбда-гран- вого транзистора, и инверсна управ-зистор включен между затвором второ- л юща шина, истоки первого и второ- 5го полевого транзистора и инверсной го полевых транзисторов объединены,управл ющей шиной, причем управл ю- сток второго полевого транзисторащие электроды л мбда-транзисторов подключен к вькодной шине аналогово-подключены соответственно к отрица- го ключа, затвор которого соединентельной и положительной шинам источ- с анодом л мбда-диода, первый л мбда- Юника питани .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843762784A SU1208601A1 (ru) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Аналоговый ключ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843762784A SU1208601A1 (ru) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Аналоговый ключ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1208601A1 true SU1208601A1 (ru) | 1986-01-30 |
Family
ID=21127527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843762784A SU1208601A1 (ru) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Аналоговый ключ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1208601A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4783601A (en) * | 1986-06-17 | 1988-11-08 | U.S. Philips Corporation | Integrated logic circuit having a control circuit for generating a time-dependent waveform |
RU2466477C1 (ru) * | 2011-06-29 | 2012-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Полупроводниковый прибор с характеристикой лямбда-диода |
-
1984
- 1984-07-02 SU SU843762784A patent/SU1208601A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент US № 3532899, кл. 307-251, 1970. Авторское свидетельство СССР 875636, кл. Н 03 К 17/087, 1980. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4783601A (en) * | 1986-06-17 | 1988-11-08 | U.S. Philips Corporation | Integrated logic circuit having a control circuit for generating a time-dependent waveform |
RU2466477C1 (ru) * | 2011-06-29 | 2012-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Полупроводниковый прибор с характеристикой лямбда-диода |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3676702A (en) | Comparator circuit | |
US3949242A (en) | Logical circuit for generating an output having three voltage levels | |
US3937982A (en) | Gate circuit | |
US4161663A (en) | High voltage CMOS level shifter | |
KR940001542A (ko) | 저(low)전압 차동 회로 | |
KR970019071A (ko) | 레벨 변환 회로(Level Converting Circuit) | |
KR920022287A (ko) | 전류 메모리 셀 | |
US3448293A (en) | Field effect switching circuit | |
KR880001109A (ko) | 집적논리회로 | |
SU1208601A1 (ru) | Аналоговый ключ | |
KR940017217A (ko) | 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로 | |
US4641046A (en) | NOR gate with logical low output clamp | |
SE7905604L (sv) | Krets for att begrensa spenningsskillnaden i differentialforsterkare | |
US4823025A (en) | Electronic circuit element with field-effect transistor operation applications of this circuit element, and substitution circuit for such an element | |
HU911194D0 (en) | Wide-band signal coupling device | |
SU1157677A1 (ru) | Амплитудно-импульсный модул тор | |
SU1193793A1 (ru) | Коммутатор аналоговых сигналов | |
SU1246362A1 (ru) | Многоканальный коммутатор | |
SU452071A1 (ru) | Электроныный коммутатор аналоговых сигналов | |
SU1241461A1 (ru) | Многоканальный коммутатор | |
SU1374422A2 (ru) | Аналоговый ключ на полевых транзисторах | |
SU1202048A1 (ru) | Ключевой элемент | |
JPH0349470Y2 (ru) | ||
SU1132363A1 (ru) | Коммутатор аналоговых сигналов | |
SU536598A1 (ru) | Многоканальный коммутатор аналоговых сигналов |