KR870005393A - 반도체 메모리 - Google Patents

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가즈마사 야나기자와
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 다이나믹 RAM을 도시한 회로도.
제2도는 제1도의 다이나믹 RAM에 본 발명에 따라서 마련된 전압 발생 회로를 도시한 회로도.
제3도 및 제4도는 다이나믹 RAM을 설명하기 위한 평면도 및 단면도.
제6도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 회로도.

Claims (11)

  1. 다음 사항으로 되는 반도체 메모리. 데이타 저장용의 캐파시터를 포함하는 메모리셀과, 상기 캐파시터의 한쪽의 전극에 공급하기 위한 전압을 형성하는 전압발생회로와, 상기 한쪽의 전극에 임의의 전압을 공급하기 위한 전압공급수단과, 상기 전압 발생 회로로부터의 전압 또는 상기 전압 공급 수단으로 부터의 전압의 어떤 것을 상기 한쪽의 전극에 공급하기 위한 스위치 수단.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 메모리 셀은 MISFET와 이것과 다른쪽의 전극이 접속된 상기 캐파시터로 된다.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 전압 발생 회로에서 공급되는 전압은, 전원 전압의 약 1/2의 전압이다.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 전압 발생 회로는 제1저항 수단과, 다이오드 형태로 된 제1도전형의 제1의 MISFET와 다이오드 형태로 된 제2도 전형의 제2의 MISFET와 제2저항 수단이 상기의 순으로 직렬형태로 접속되어서 되는 분압 회로와, 제1의 MISFET의 공통 접속된 게이트, 드레인에 그 게이트가 접속된 제1도 전형의 제1의 출력 MISFET와, 상기 제2의 MISFET의 공통 접속된 게이트, 드레인에 그 게이트가 접속된 제2도 전형의 제2의 출력 MISFET로 되며, 상기 제1 및 제2의 MISFET의 스레쉬홀드 전압을 각각 대응하는 제1 및 제2의 출력 MISFET의 스레쉬 홀드 전압보다 절대치가 적게 설정되며, 상기 제1 및 제2의 출력 MISFET의 공통화 된 소오스에서 전원전압의 1/2로 된 출력전압을 얻는 것이다.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 제1 및 제2 저항 수단은, 각각, 제2도전형 및 제1도전형의 MISFET로 되며, 그 게이트는 공통으로 상기 제1 및 제2 MISFET의 접속점에 접속되어 있다.
  6. 특허청구의 범위 제2항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 전압 공급 수단은, 상기 임의의 전압이 인가되는 전극을 포함한다.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 전극은 테스트용 전극이다.
  8. 특허청구의 범위 제6항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 전극은 어드레스 신호가 공급되는 외부 단자의 하나이다.
  9. 특허청구의 범위 제6항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 스위치 수단은 스위치 MISFET로 되며, 상기 전압 발생 회로와 상기 한쪽의 전극과의 사이에 삼입된다. 그리고, 상기 전압 공급수단으로부터의 전압은 상기 스위치 MISFET와 상기 한쪽의 전극과의 사이에 공급된다.
  10. 특허청구의 범위 제9항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 전극은 테스트용 전극이다.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 따른 반도체 메모리에 있어서, 상기 스위치 수단은 다음 사항을 포함한다. 상기 스위치 MISFET의 게이트와 전원 전압 단자와의 사이에 직렬로 접속된 제3 및 제4의 저항수단, 그리고 상기 제3 및 제4의 저항수단의 접속점에 접속된 테스트용 전극
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860009783A 1985-11-22 1986-11-19 전압발생회로를 갖는 반도체기억장치 KR950009072B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040000673A (ko) * 2002-06-25 2004-01-07 현대자동차주식회사 2단 속도 변동율을 가지는 가버너

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5157629A (en) * 1985-11-22 1992-10-20 Hitachi, Ltd. Selective application of voltages for testing storage cells in semiconductor memory arrangements
US5187685A (en) * 1985-11-22 1993-02-16 Hitachi, Ltd. Complementary MISFET voltage generating circuit for a semiconductor memory
JP3712083B2 (ja) * 1995-11-28 2005-11-02 株式会社ルネサステクノロジ 内部電源電位供給回路及び半導体装置
JPH01100788A (ja) * 1987-10-13 1989-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2680007B2 (ja) * 1987-12-04 1997-11-19 株式会社日立製作所 半導体メモリ
JPH02177194A (ja) * 1988-12-28 1990-07-10 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
GB9007793D0 (en) * 1990-04-06 1990-06-06 Foss Richard C Dram cell plate and precharge voltage generator
USRE40552E1 (en) 1990-04-06 2008-10-28 Mosaid Technologies, Inc. Dynamic random access memory using imperfect isolating transistors
JP2533221B2 (ja) * 1990-05-11 1996-09-11 株式会社東芝 ダイナミック型ランダムアクセスメモリ
JPH04119595A (ja) * 1990-09-11 1992-04-21 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリ
JPH0760845B2 (ja) * 1991-03-22 1995-06-28 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5250854A (en) * 1991-11-19 1993-10-05 Integrated Device Technology, Inc. Bitline pull-up circuit operable in a low-resistance test mode
JPH06243678A (ja) * 1993-02-19 1994-09-02 Hitachi Ltd ダイナミック型ｒａｍとそのプレート電圧設定方法及び情報処理システム
JPH06308197A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Fujitsu Ltd Ｉｃ素子試験装置
US5500824A (en) * 1995-01-18 1996-03-19 Micron Technology, Inc. Adjustable cell plate generator
US5619461A (en) * 1995-07-28 1997-04-08 Micron Quantum Devices, Inc. Memory system having internal state monitoring circuit
US5559739A (en) * 1995-09-28 1996-09-24 International Business Machines Corporation Dynamic random access memory with a simple test arrangement
US5610867A (en) * 1995-09-28 1997-03-11 International Business Machines Corporation DRAM signal margin test method
US6229296B1 (en) 1996-02-27 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Circuit and method for measuring and forcing an internal voltage of an integrated circuit
US5977763A (en) * 1996-02-27 1999-11-02 Micron Technology, Inc. Circuit and method for measuring and forcing an internal voltage of an integrated circuit
JPH09106699A (ja) * 1996-08-15 1997-04-22 Hitachi Ltd ダイナミック型ｒａｍ
US6946863B1 (en) 1998-02-27 2005-09-20 Micron Technology, Inc. Circuit and method for measuring and forcing an internal voltage of an integrated circuit
JP3874234B2 (ja) * 2000-04-06 2007-01-31 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
US6552887B1 (en) * 2000-06-29 2003-04-22 Intel Corporation Voltage dependent capacitor configuration for higher soft error rate tolerance
JP2002116237A (ja) * 2000-10-10 2002-04-19 Texas Instr Japan Ltd 半導体集積回路
JP2002230997A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3960848B2 (ja) * 2002-04-17 2007-08-15 株式会社ルネサステクノロジ 電位発生回路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5720991A (en) * 1980-07-15 1982-02-03 Nec Corp Margin measuring method
US4418403A (en) * 1981-02-02 1983-11-29 Mostek Corporation Semiconductor memory cell margin test circuit
US4519076A (en) * 1981-12-28 1985-05-21 National Semiconductor Corporation Memory core testing system
JPH0612619B2 (ja) * 1982-09-22 1994-02-16 株式会社日立製作所 半導体メモリ装置
US4527254A (en) * 1982-11-15 1985-07-02 International Business Machines Corporation Dynamic random access memory having separated VDD pads for improved burn-in
JPS601720U (ja) * 1983-06-16 1985-01-08 株式会社　サンキプラン ネツトコンベア
JPS6052112A (ja) * 1983-08-31 1985-03-25 Toshiba Corp 論理回路
JPS60103587A (ja) * 1983-11-09 1985-06-07 Toshiba Corp 半導体記憶装置のメモリセルキヤパシタ電圧印加回路
US4549101A (en) * 1983-12-01 1985-10-22 Motorola, Inc. Circuit for generating test equalization pulse
US4680762A (en) * 1985-10-17 1987-07-14 Inmos Corporation Method and apparatus for locating soft cells in a ram

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040000673A (ko) * 2002-06-25 2004-01-07 현대자동차주식회사 2단 속도 변동율을 가지는 가버너

Also Published As

Publication number Publication date
KR950009072B1 (ko) 1995-08-14
JPH0789433B2 (ja) 1995-09-27
US4839865A (en) 1989-06-13
JPS62121995A (ja) 1987-06-03

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