KR950020014A - 기준 전류 발생 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기준 전류의 온도 특성을 보상함과 동시에, 기준 전류의 온도 특성을 임의로 설정할 수 있는 기준 전류 발생 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 에미터 단자가 저항(R1)을 통하여 저전위 전원에 접속된 트랜지스터(Q1)과, 컬렉터 단자가 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 단자에 접속되고, 에미터 단자가 저전위 전원에 접속된 트랜지스터(Q2)와, 베이스 단자가 트랜지스터(Q, Q2)의 베이스 단자에 접속되고, 에미터 단자가 저전위 전원에 접속되고, 컬렉터 단자가 부의 온도 특성을 갖는 정전류원(IO)에 접속된 트랜지스터(Q3)를 구비하고, 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 전류와 트랜지스터(Q2)의 컬렉터 전류와의 합을 기준 전류로 하여 구성된다.

Description

기준 전류 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 특허 청구범위 1항에 기재된 발명의 한 실시예에 관한 기준 전류 발생 회로의 구성을 도시한 도면,
제2도는 제1도에 도시한 정전류원의 구체적인 한 구성예를 도시한 도면,
제3도는 제1도에 도시한 정전류원의 구체적인 다른 구성예를 다른 구성예를 도시한 도면,
제4도는 제1도에 도시한 정전류원의 구체적인 다른 구성예를 도시한 도면,
제5도는 특허 청구범위 2항에 기재된 발명의 한 실시예에 관한 기준 전류 발생 회로의 구성을 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 에미터 단자가 저항을 통하여 제1전원에 접속된 제1트랜지스터와, 컬렉터 단자가 제1트랜지스터와의 컬렉터 단자에 접속되고, 에미터 단자가 제1전원에 접속되고, 베이스 단자가 제1트랜지스터의 베이스 단자에 접속된 제2트랜지스터와, 베이스 단자가 제1트랜지스터의 베이스 단자에 접속되고, 에미터 단자가 제1전원에 접속되고, 컬렉터 단자가 자신의 베이스 단자 및 온도 상승에 의해 전류치가 감소하는 정전류원에 접속된 제3트랜지스터를 구비하고, 제1트랜지스터의 컬렉터 전류와 제2트랜지스터의 컬렉터 전류와의 합을 기준 전류로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기준 전류 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정 전류원은 컬렉터 단자가 제2전원에 접속되고, 에미터 단자가 저항을 통하여 제3트랜지스터의 컬렉터 단자에 접속된 제4트랜지스터와, 소오스 단자가 제2전원에 접속되고, 드레인 단자가 제4트랜지스터의 베이스 단자에 접속된 제1도전형의 제1FET(전계 효과 트랜지스터)와, 제4트랜지스터의 베이스 단자와 제1전원과의 사이에 삽입된 다이오드와, 제4트랜지스터의 베이스 단자와 제1전원과의 사이에 삽입된 용량을 구비하고, 소오스 단자가 제2전원에 접속되고, 드레인 단자가 제1트랜지스터의 컬렉터 단자에 접속되고, 게이트 단자가 드레인 단자에 접속된 제1도전형의 제2FET의 게이트 단자가 제1FET의 게이트 단자에 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 기준 전류 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940036833A 1993-12-27 1994-12-26 기준 전류 발생 회로 KR0161359B1 (ko)

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