KR910010707A - 기준전압 발생장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

기준전압 발생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 한구체적 실시에 따른 기준전압 발생장치의 회로도.
제5도는 외부 전원 전압에 대한 의존성이 변경될 수 있는 본 발명의 다른 구체적 실시에 따른 기준전압 발생회로의 회로도.
재6도는 전원전압에 대한 의존성이 변경될 수 있는 본 발명의 다른 구체적 실시에 따른 기준전압 발생회로의 회로도.

Claims (15)

  1. 반도체 기판상에 집적 형성되고 외부 전원전압이 인가되는 제1 및 제2전원단자(4) 및 (5) 사이에연결되는 기준전압 발생장치에 있어서, 고 전위가 되는 제1전원단자에 연결되는 제1단자와 제2단자를 갖는 전기 저항 장치(1); 전기저항 장치(1)의 제2단자와 저전위가 되는 제2전원단자(5)사이에 연결되어, 전원전압에 대해 순방향 특성을 갖는 적어도 하나의 제1다이오드 (21)(22)(81)(82); 및 전기저항 장치(1)에 병렬 연결되고, 제1다이오드에 직렬 연결되어, 전원전압에 대해 순방향 특성을 가지며, 제1다이오드와 제2다이오드 사잉의 접속점에 외부단자 장치에 연결되는 적어도 하나의 제2다이오드 (31)(32)(33)(91)(92)로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준 전압 발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 각각의 제1 및 제2다이오드 (8)(91)(92)(191)(192)들은 게이트와 드레인이 서로 연결된 MOS트랜지스터로 형성된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  3. 제1항에 있어서, 제1다이오드 (8)(81)(82)(18)는 서로 연결되어 다이오드의 한 단자를 형성하는 게이트와 드레인 및 다이오드의 다른 한단자를 형성하는 소스를 갖는 적어도 하나의 P채널 MOS트랜지스터 또는 n채널 MOS트랜지스터를 포함하는 MOS트랜지스터로 형성되며, 한단자는 제2전원단자에 연결되고, 다른 한단자는 저항장치(1)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  4. 제3항에 있어서, MOS트랜지스터는 기판 전압 단자를 가지며, 저항장치(1)는 MOS트랜지스터의 가판전압 단자에 연결되는 중간단자를 가지는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  5. 제3항에 있어서, MOS트랜지스터 회로장치는 직렬 연결되는 다수의 MOS트랜지스터(81)(82)로 형성된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  6. 제1항에 있어서, 제2다이오드는 서로 연결되어 다이오드의 한단자를 형성하는 게이트와 드레인 및 다이오드의 다른 한단자를 형성하는 소스를 갖는 적어도 하나의 P채널 MOS트랜지스터(91)(92)를 포함하는 MOS트랜지스터로 형성되며, 한단자는 저항장치(1)에 연결되고, 다른 한단자는 제1전원단자(4)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  7. 제6항에 있어서, MOS트랜지스터 회로장치는 직렬 연결되는 다수의 MOS트랜지스터(91)(92)로 형성된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  8. 제1항에 있어서, 제1다이오드는 서로 연결되어 제1다이오드의 한단자를 형성하는 게이트와 드레인 및 제1다이오드의 다른 한단자를 형성하는 소스를 갖는 적어도 하나의 P채널 트랜지스터(8)(81)(82) 또는 n채널 MOS트랜지스터(18)를 포함하는 MOS트랜지스터로 형성되며, 제1다이오드의 한단자는 제2전원단자(5)에 연결되고 제1다이오드의 다른 한단자는 저항장치(1)에 연결되며, 제2다이오드는 서로 연결되어 제2다이오드의 한단자를 형성하는 게이트와 드레인 및 제2다이오드의 다른 한단자를 형성하는 소스를 갖는 적어도 하나의 P채널 MOS트랜지스터(91)(92)또는 n채널 MOS(191)(192)트랜지스터를 포함하는 MOS트랜지스터로 형성되며, 제2다이오드의 한단자는 저항장치에 연결되고, 제2다이오드의 다른 한단자는 제1전원단자(4)에 연결되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  9. 제1항에 있어서, 추가적인 저항이 제1다이오드와 제2다이오드 사이에 연결되어 , 외부전원전압에 대한 의존성이 변경될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  10. 반도체 기판상에 집적 형성되고 외부전원전압이 인가되는 제1 및 제2전원 단자(4) 및 (5)사이에연결되는 기준전압 발생장치에 있어서, 고전위가 되는 제1전원단자(4)에 연결되는 제1단자와 제2단자를 갖는 전기저항장치; 전기저항 장치(1)의 제2단자와 저전위가 되는 제2전원단자(5)사이에 연결되고, 순방향 다이오드로서 기능하도록 서로 연결되는 게이트와 드레인을 갖는 적어도 하나의 제1MOS트랜지스터(81)(82)(181)(182); 전기저항장치(1)에 병렬 연결되고 제1MOS트랜지스터에 직렬 연결되며, 순방향 다이오드로거 기능하도록 서로 연결되는 게이트와 드레인을 갖는 적어도 하나의 제2MOS트랜지스터(91)(92)(191)(192)및 제1MOS트랜지스터와 제2MOS트랜지스터 사이의 접속점에 연결되는 출력단자장치(6)로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준 전압 발생 장치.
  11. 제10항에 있어서, 기준전압 발생회로가 저항장치(1)와 출력단자 장치(6)사이에 연결되는 제1저항소자, 및 출력단자 장치(6)와 제1MOS트랜지스터(8)사이에 연결되는 제2저항소자를 포함하며, 제1 및 제2MOS트랜지스터가 제1전원단자에 연결되는 기판 전압단자를 가진 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  12. 제10항에 있어서, 각각의 제1 및 제2MOS트랜지스터들은 소정의 불순물 농도를 갖는 우물(well)영역, 및 우물영역의불순물 농도와 실질적으로 같은 불순물 농도를 갖는 채널영역(14)을 가지는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  13. 제12항에 있어서,각각의 제1 및 제2MOS트랜지스터들은 160Å의 실리콘 옥사이드 필름으로 형성되는 게이트 절연필름(15) 및 n+형 다결정 실리콘 필름으로 형성되는 게이트 전극(16)을 가지며, 채널영역(14)은 1×1017/㎤의 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  14. 제10항에 있어서, 제1MOS트랜지스터는 기판 전압단자를 가지며, 저항장치(1)는 제1MOS트랜지스터의 기판 전압단자에 연결되는 중간단자를 갖는 저항으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
  15. 제10항에 있어서, 추가되는 저항이 제1MOS트랜지스터와 제2MOS트랜지스터 사이에 연결되어, 외부 전원 전압에 대한 의존성이 변경될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 기준전압 발생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03208107A (ja) * 1990-01-10 1991-09-11 Sharp Corp リファレンスレベル発生回路
KR940002433B1 (ko) * 1991-07-03 1994-03-24 삼성전자 주식회사 정 전압회로
KR940008286B1 (ko) * 1991-08-19 1994-09-09 삼성전자 주식회사 내부전원발생회로
FR2680586B1 (fr) * 1991-08-19 1994-03-11 Samsung Electronics Co Ltd Circuit generateur de tension d'alimentation interne programmable electriquement.
KR940005510B1 (ko) * 1992-03-20 1994-06-20 삼성전자 주식회사 기준전류 발생회로
US5315230A (en) * 1992-09-03 1994-05-24 United Memories, Inc. Temperature compensated voltage reference for low and wide voltage ranges
US5397934A (en) * 1993-04-05 1995-03-14 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for adjusting the threshold voltage of MOS transistors
EP0860762A3 (de) * 1997-02-25 1999-04-07 TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH Schaltungsanordnung und Verfahren zum Erzeugen einer Versorgungsgleichspannung
DE19819265C1 (de) * 1998-04-30 1999-08-19 Micronas Intermetall Gmbh Verfahren zum Parametrieren einer integrierten Schaltungsanordnung und integrierte Schaltungsanordnung hierfür
US6690083B1 (en) * 2000-06-01 2004-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Use of silicide blocking layer to create high valued resistor and diode for sub-1V bandgap
DE102004017284B4 (de) 2004-04-07 2012-06-06 Qimonda Ag Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zur Prüfung der integrierten Halbleiterschaltung
JPWO2021166679A1 (ko) * 2020-02-19 2021-08-26

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482985A (en) * 1981-04-17 1984-11-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
JPS59111514A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路
JPS5897714A (ja) * 1981-12-04 1983-06-10 Mitsubishi Electric Corp 基準電圧発生回路
JPS60694A (ja) * 1983-06-15 1985-01-05 Hitachi Ltd 半導体メモリ
JPS61221812A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Mitsubishi Electric Corp 電圧発生回路
JPS61294527A (ja) * 1985-06-24 1986-12-25 Nec Corp 基準電圧発生回路
JPS62188255A (ja) * 1986-02-13 1987-08-17 Toshiba Corp 基準電圧発生回路
JPS6323567A (ja) * 1986-07-14 1988-01-30 Meidensha Electric Mfg Co Ltd コンバ−タの制御装置
JPS6370451A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
KR910001068B1 (ko) * 1988-07-11 1991-02-23 삼성전자 주식회사 메모리장치의 공급전압 안정화회로
JPH0284761A (ja) * 1988-09-21 1990-03-26 Nec Corp 基準電圧発生回路
JP2652061B2 (ja) * 1989-06-06 1997-09-10 三菱電機株式会社 中間電位発生回路
JP2674669B2 (ja) * 1989-08-23 1997-11-12 株式会社東芝 半導体集積回路

Also Published As

Publication number Publication date
DE4038319C2 (de) 1994-11-10
DE4038319A1 (de) 1991-06-06
KR940004445B1 (ko) 1994-05-25
JP2809768B2 (ja) 1998-10-15
JPH03171309A (ja) 1991-07-24
US5150188A (en) 1992-09-22

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