KR880009447A - 레치업 방지회로를 가진 c-mos 집적회로장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

레치업 방지회로를 가진 C-MOS 집적회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 상기 실시예에 사용하기 적합한 래치업 방지회로의 기본적인 블록다이어그램.
제4도 및 5도는 본 발명의 실시예에서 사용하기 적합한 저항성 부합을 가진 래치업 방지회로의 부분적인 회로도.

Claims (12)

  1. 도프된 반도체기판 내의 기판 바이어스 전압 단자가 기판 바이어스전압 발생기의 출력단에 연결되고, 도프된 반도체기판에 집적된 제1의 캐패시터 표면과 전자적인 보호회로를 통해 캐패시터에 대한 바이어스 전압 발생기로 연결된 제2의 캐패시터 표면을 갖는 캐패시터를 설치하여 집적회로가 스위치온 되었을때 상기 보호회로가 얼마간의 지연시간후에 제2의 캐패시터 표면과 캐패시터에 대한 바이어스전압 발생기를 상호 연결시켜주는 래치업 방지회로와 통합되어 C-MOS 집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 제1의 도전성을 가진 반도체 기판은 제1의 도전성 트로프형태 반도체지역으로 대치되고, 제2 도전성을 가진 트로프형태의 반도체지역은 제2도전성의 반도체기판으로 대치되며, 제1의 도전성을 가진 트로프형태의 반도체지역이 제2도전성의 반도체기판 내에 매입되는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 전자적인 보호회로는 타이머와 증폭기 및 전자스위치로 구성되는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 타이머는 부하소자와 제1의 전계효과 트랜지스터의 직렬조합으로 구성되고, 이 직렬회로의 제1단자는 동시에 부하소자의 단자로서 작용하고 또 양의 공급전압으로 연결되며, 상기 직렬회로의 제2단자는 제1 전계효과 트랜지스터의 소오스 및 드레인 단자와 또한 동일 전계효과 트랜지스터의 기판단자로서 작용하며 또 접지전위로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  5. 제4항에 있어서, 전자스위치는 n채널 전계효과 트래지스터로 구성되고, 이 트랜지스터의 게이트단자는 전계효과 트랜지스터의 접속점에 연결되고 따라서 상기 직렬회로의 부합소자로 연결되며, 상기 트랜지스터의 기판 단자는 부위 전압원에 연결되고, 상기 트랜지스터의 소오스단자가 제2의 캐패시터 표면과 연결되며, 그 드레인 단자는 캐패시터에 대한 바이어스전압 발생기로 연결되는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 부하소자는 제1의 전계효과 트랜지스터와 상이한 채널형태의 제2의 전계효과 트랜지스터로 형성되며, 이 전계효과 트랜지스터의 게이트단자는 접지전위로 연결되고 이 전계 효과 트랜지스터의 기판단자는 양의 공급전압으로 연결되는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 타이머는 부하소자와 전계효과 트랜지스터의 직렬 조합으로 구성되며, 이 직렬회로의 제1의 단자는 동시에 전계효과 트랜지스터의 소오스, 드레인 및 기판단자로의 연결을 제공하고, 상기 직렬회로의 제2단자는 동시에 부하소자의 단자로서 작용하고 또 접지전위로 연결되는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  8. 제7항에 있어서, 전자스위치는 p채널 전계효과 트랜지스터로 구성되며, 이 트랜지스터의 게이트단자는 전계효과 트랜지스터의 접속점과 상기 직렬회로의 부하소자로 연결되고, 그 전계효과 트랜지스터의 기판단자는 양의 전압에 연결되고, 이 전계 효과 트랜지스터의 드레인 단자는 제2의 캐패시터 표면과 연결되며 그 소오스단자가 캐패시터에 대한 바이어스전압 발생기로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 부하소자는 상기 직렬 회로내의 전계효과 트랜지스터와 상이한 채널형태의 전계효과 트랜지스터로 형성되고, 이 전계효과 트랜지스터의 게이트단자는 양의 전압으로 연결되고, 그 기판단자는 부의 전압에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  10. 제1항에 있어서, 기판 바이어스전압 발생기는 전자스위치를 통해 접지전위를 유지하는 회로점에 연결되고, 그 전자스위치는 기판 바이어스전압 단자로부터 분류된 전압을 통해 구동되는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 기판 바이어스전압 발생기, 캐패시터에 대한 바이어스전압 발생기, 전자적인 보호회로 및 전자스위치는 모두 반도체기판 위에 공통으로 집적되어 있는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 집적회로장치는 고밀도로 집적된 다이나믹반도체 메모리내의 주변회로로서 동작하는 것을 특징으로 하는 C-MOS 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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