KR940025175A - 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 - Google Patents

반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체집적회로의 정전위 발생회로에서 특히 전원전압(VCC)과 접지전압(VSS) 사이의 전압레벨로 되는 중간전압을 발생하는 중간전위 발생회로에 관해 개시하고 있다. 본 발명에 의한 중간 전위 발생회로는 제 1기준전압과 제 2기준전압을 발생하는 바이어스 회로를 가지는 중간전위 발생회로에 있어서, 소오스가 전원전압에 접속되고 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 제 1피모오스 트랜지스터와, 상기 제 1기준전압에 게이트가 접속되고 소오스와 드레인이 각각 상기 중간전위 출력노드와 상기 제 1피모오스 트랜지스터의 드레인에 접속되는 제 1엔모오스 트랜지스터와, 소오스가 접지전압 전위에 접속되고 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 제 2엔모오스 트랜지스터와, 상기 제 2기준전압에 게이트가 접속되고 소오스와 드레인이 각각 상기 중간전위 출력노드와 제 2엔모오스 트랜지스터의 드레인에 접속되는 제 2피모오스 트랜지스터르 각각 포함하여 중간전위를 출력하는 드라이버 회로를 구비하는 중간전위 발생회로로 구성된다. 이러한 회로구성을 통해 본 발명에 의한 중간전위 발생회로는, 낮은 전원전압에서 바이어스 회로가 셋업되기전 드라이버 회로에 흐르는 과전류를 억제할 수 있고, 또한 저 전원전압에서 동작특성 및 신뢰성이 우수하게 된다. 한편 반도체집적회로에서 문제시되는 ESD 문제로부터 벗어날 수 있는 중간전위 발생회로를 구현할 수 있다.

Description

반도체 집적회로의 중간전위 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명에 따른 중간전위 발생회로의 일 실시예를 보여주는 회로도, 제 4도는 본 발명에 따른 중간전위 발생회로의 다른 실시예를 보여주는 회로도, 제 5도는 본 발명에 따른 중간전위 발생회로와 종래의 중간전위 발생회로에서의 전류파형을 보여주는 그래프.

Claims (3)

  1. 제 1기준전압과 제 2기준전압을 발생하는 바이어스 회로를 가지고 제 1전원과 제 2전원사이의 중간전위를 발생하기 위한 반도체집적회로의 중간전위 발생회로에 있어서, 트랜지스터의 일단이 상기 제 1전원에 접속되고 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 제 1도전형의 제 1모오스 트랜지스터와, 상기 제 1기준전압에 게이트가 접속되고 트랜지스터의 양단이 각각 상기 중간전위 출력노드와 상기 제 1모오스 트랜지스터의 타단에 접속되는 제 2도전형의 제 2모오스 트랜지스터와, 트랜지스터의 일단이 상기 제 2전원에 접속되고 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 상기 제 2도전형의 제 3모오스 트랜지스터와, 상기 제 2기준전압에 게이트가 접속되고 트랜지스터의 양단이 각각 상기 중간전위 출력노드와 상기 제 3모오스 트랜지스터의 타단에 접속되는 상기 제 1도전형의 제 4모오스 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 바이어스회로가, 상기 제 2전원에 게이트가 접속되고 상기 제 1전원과 상기 제 1기준전압사이에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 1도전형의 제 5모오스 트랜지스터와, 상기 제 1전원에 게이트가 접속되고 상기 제 2전원과 상기 제 2기준전압에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 2도전형의 제 6모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 1기준전압에 공통 접속되는 상기 제 2도전형의 제 7모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 2기준전압에 공통 접속되고 상기 트랜지스터의 타단과 기판이 상기 제 7모오스 트랜지스터의 타단에 공통 접속되는 상기 제 1도전형의 제 8모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 바이어스회로가, 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되고 상기 제 1전원과 상기 제 1기준전압사이에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 1도전형의 제 5모오스 트랜지스터와, 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되고 상기 제 2전원과 상기 제 2기준전압에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 2도전형의 제 6모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 1기준전압에 공통 접속되는 상기 제 2도전형의 제 7모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 2기준전압에 공통 접속되고 상기 트랜지스터의 타단과 기판이 상기 제 7모오스 트랜지스터의 타단에 공통 접속되는 상기 제 1도전형의 제 8모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3626521B2 (ja) 1994-02-28 2005-03-09 三菱電機株式会社 基準電位発生回路、電位検出回路および半導体集積回路装置
US5990754A (en) * 1997-06-20 1999-11-23 Citizen Watch Co., Ltd. Phase and base potential converter and temperature-compensated crystal oscillator having the same
JP3022815B2 (ja) * 1997-07-24 2000-03-21 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 中間電位生成回路
JPH1153891A (ja) * 1997-08-05 1999-02-26 Oki Micro Design Miyazaki:Kk 半導体記憶装置
US6242972B1 (en) * 1999-10-27 2001-06-05 Silicon Storage Technology, Inc. Clamp circuit using PMOS-transistors with a weak temperature dependency
JP3960848B2 (ja) * 2002-04-17 2007-08-15 株式会社ルネサステクノロジ 電位発生回路
KR100464435B1 (ko) * 2002-11-08 2004-12-31 삼성전자주식회사 저 전력의 하프 전압 발생 장치
EP2062110A1 (en) * 2006-06-26 2009-05-27 Nxp B.V. A constant voltage generating device
EP2396885B1 (en) * 2009-02-12 2013-11-06 MOSAID Technologies Incorporated Termination circuit for on-die termination
DE102017219551A1 (de) * 2017-11-03 2019-05-09 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verpolschutzanordnung, Verfahren zum Betrieb der Verpolschutzanordnung und korrespondierende Verwendung

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914702A (en) * 1973-06-01 1975-10-21 Rca Corp Complementary field-effect transistor amplifier
US4663584B1 (en) * 1985-06-10 1996-05-21 Toshiba Kk Intermediate potential generation circuit
JP2509596B2 (ja) * 1987-01-14 1996-06-19 株式会社東芝 中間電位生成回路
JP2805991B2 (ja) * 1990-06-25 1998-09-30 ソニー株式会社 基板バイアス発生回路

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US5592119A (en) 1997-01-07
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