KR940025175A - 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체집적회로의 정전위 발생회로에서 특히 전원전압(VCC)과 접지전압(VSS) 사이의 전압레벨로 되는 중간전압을 발생하는 중간전위 발생회로에 관해 개시하고 있다. 본 발명에 의한 중간 전위 발생회로는 제 1기준전압과 제 2기준전압을 발생하는 바이어스 회로를 가지는 중간전위 발생회로에 있어서, 소오스가 전원전압에 접속되고 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 제 1피모오스 트랜지스터와, 상기 제 1기준전압에 게이트가 접속되고 소오스와 드레인이 각각 상기 중간전위 출력노드와 상기 제 1피모오스 트랜지스터의 드레인에 접속되는 제 1엔모오스 트랜지스터와, 소오스가 접지전압 전위에 접속되고 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 제 2엔모오스 트랜지스터와, 상기 제 2기준전압에 게이트가 접속되고 소오스와 드레인이 각각 상기 중간전위 출력노드와 제 2엔모오스 트랜지스터의 드레인에 접속되는 제 2피모오스 트랜지스터르 각각 포함하여 중간전위를 출력하는 드라이버 회로를 구비하는 중간전위 발생회로로 구성된다. 이러한 회로구성을 통해 본 발명에 의한 중간전위 발생회로는, 낮은 전원전압에서 바이어스 회로가 셋업되기전 드라이버 회로에 흐르는 과전류를 억제할 수 있고, 또한 저 전원전압에서 동작특성 및 신뢰성이 우수하게 된다. 한편 반도체집적회로에서 문제시되는 ESD 문제로부터 벗어날 수 있는 중간전위 발생회로를 구현할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3도는 본 발명에 따른 중간전위 발생회로의 일 실시예를 보여주는 회로도, 제 4도는 본 발명에 따른 중간전위 발생회로의 다른 실시예를 보여주는 회로도, 제 5도는 본 발명에 따른 중간전위 발생회로와 종래의 중간전위 발생회로에서의 전류파형을 보여주는 그래프.
Claims (3)
- 제 1기준전압과 제 2기준전압을 발생하는 바이어스 회로를 가지고 제 1전원과 제 2전원사이의 중간전위를 발생하기 위한 반도체집적회로의 중간전위 발생회로에 있어서, 트랜지스터의 일단이 상기 제 1전원에 접속되고 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 제 1도전형의 제 1모오스 트랜지스터와, 상기 제 1기준전압에 게이트가 접속되고 트랜지스터의 양단이 각각 상기 중간전위 출력노드와 상기 제 1모오스 트랜지스터의 타단에 접속되는 제 2도전형의 제 2모오스 트랜지스터와, 트랜지스터의 일단이 상기 제 2전원에 접속되고 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되는 상기 제 2도전형의 제 3모오스 트랜지스터와, 상기 제 2기준전압에 게이트가 접속되고 트랜지스터의 양단이 각각 상기 중간전위 출력노드와 상기 제 3모오스 트랜지스터의 타단에 접속되는 상기 제 1도전형의 제 4모오스 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 바이어스회로가, 상기 제 2전원에 게이트가 접속되고 상기 제 1전원과 상기 제 1기준전압사이에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 1도전형의 제 5모오스 트랜지스터와, 상기 제 1전원에 게이트가 접속되고 상기 제 2전원과 상기 제 2기준전압에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 2도전형의 제 6모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 1기준전압에 공통 접속되는 상기 제 2도전형의 제 7모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 2기준전압에 공통 접속되고 상기 트랜지스터의 타단과 기판이 상기 제 7모오스 트랜지스터의 타단에 공통 접속되는 상기 제 1도전형의 제 8모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.
- 제 1항에 있어서, 상기 바이어스회로가, 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되고 상기 제 1전원과 상기 제 1기준전압사이에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 1도전형의 제 5모오스 트랜지스터와, 상기 중간전위 출력노드에 게이트가 접속되고 상기 제 2전원과 상기 제 2기준전압에 트랜지스터의 양단이 각각 접속되는 상기 제 2도전형의 제 6모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 1기준전압에 공통 접속되는 상기 제 2도전형의 제 7모오스 트랜지스터와, 게이트와 트랜지스터의 일단이 상기 제 2기준전압에 공통 접속되고 상기 트랜지스터의 타단과 기판이 상기 제 7모오스 트랜지스터의 타단에 공통 접속되는 상기 제 1도전형의 제 8모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 중간전위 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930006412A KR960003219B1 (ko) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 |
US08/224,019 US5592119A (en) | 1993-04-16 | 1994-04-07 | Half power supply voltage generating circuit for a semiconductor device |
JP07825894A JP3875285B2 (ja) | 1993-04-16 | 1994-04-18 | 半導体集積回路の中間電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930006412A KR960003219B1 (ko) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940025175A true KR940025175A (ko) | 1994-11-19 |
KR960003219B1 KR960003219B1 (ko) | 1996-03-07 |
Family
ID=19354046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930006412A KR960003219B1 (ko) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5592119A (ko) |
JP (1) | JP3875285B2 (ko) |
KR (1) | KR960003219B1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3626521B2 (ja) | 1994-02-28 | 2005-03-09 | 三菱電機株式会社 | 基準電位発生回路、電位検出回路および半導体集積回路装置 |
US5990754A (en) * | 1997-06-20 | 1999-11-23 | Citizen Watch Co., Ltd. | Phase and base potential converter and temperature-compensated crystal oscillator having the same |
JP3022815B2 (ja) * | 1997-07-24 | 2000-03-21 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 中間電位生成回路 |
JPH1153891A (ja) * | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 半導体記憶装置 |
US6242972B1 (en) * | 1999-10-27 | 2001-06-05 | Silicon Storage Technology, Inc. | Clamp circuit using PMOS-transistors with a weak temperature dependency |
JP3960848B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2007-08-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電位発生回路 |
KR100464435B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 저 전력의 하프 전압 발생 장치 |
EP2062110A1 (en) * | 2006-06-26 | 2009-05-27 | Nxp B.V. | A constant voltage generating device |
EP2396885B1 (en) * | 2009-02-12 | 2013-11-06 | MOSAID Technologies Incorporated | Termination circuit for on-die termination |
DE102017219551A1 (de) * | 2017-11-03 | 2019-05-09 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verpolschutzanordnung, Verfahren zum Betrieb der Verpolschutzanordnung und korrespondierende Verwendung |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3914702A (en) * | 1973-06-01 | 1975-10-21 | Rca Corp | Complementary field-effect transistor amplifier |
US4663584B1 (en) * | 1985-06-10 | 1996-05-21 | Toshiba Kk | Intermediate potential generation circuit |
JP2509596B2 (ja) * | 1987-01-14 | 1996-06-19 | 株式会社東芝 | 中間電位生成回路 |
JP2805991B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1998-09-30 | ソニー株式会社 | 基板バイアス発生回路 |
-
1993
- 1993-04-16 KR KR1019930006412A patent/KR960003219B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-04-07 US US08/224,019 patent/US5592119A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-18 JP JP07825894A patent/JP3875285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3875285B2 (ja) | 2007-01-31 |
US5592119A (en) | 1997-01-07 |
JPH06325569A (ja) | 1994-11-25 |
KR960003219B1 (ko) | 1996-03-07 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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