JPH06308197A - Ic素子試験装置 - Google Patents

Ic素子試験装置

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JPH06308197A
JPH06308197A JP5099962A JP9996293A JPH06308197A JP H06308197 A JPH06308197 A JP H06308197A JP 5099962 A JP5099962 A JP 5099962A JP 9996293 A JP9996293 A JP 9996293A JP H06308197 A JPH06308197 A JP H06308197A
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JP
Japan
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voltage
test
power supply
test pattern
unit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5099962A
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English (en)
Inventor
Rikizo Nakano
力蔵 中野
Noriyuki Matsui
範幸 松井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31924Voltage or current aspects, e.g. driver, receiver

Abstract

(57)【要約】 【目的】 バンプテスト用の電圧変動を行うとき、短時
間で電圧変動可能としたIC素子試験装置を提供するこ
とである。 【構成】 被試験素子に対してテストパターンを印加
し、また電圧を変化させて試験を行うIC素子試験装置
において、テストパターンとトリガ信号を出力するテス
トパターン発生部6と、重畳電圧を出力する重畳電源部
7と、この重畳電圧を被試験素子に印加する電圧に重畳
する電圧重畳部5を設け、前記テストパターン発生部6
から出力されるトリガ信号にもとづき重畳電源部7が重
畳電圧を電圧重畳部5に送出し、被試験素子に印加され
る電圧を低下させるように構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はIC(Integrated Circu
it) 素子試験装置に係り、特にバンプテスト用の電圧変
動付与制御を行う試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】IC素子、例えばメモリ素子では電源電
圧の変動によりどのような影響を受けるのかをテストす
るバンプテスト(Bump Test)がテステ項目の1つとして
行われる。従来のメモリテスタの如き試験装置では、こ
のバンプテストを行うために、図6(A)に示す如く、
例えばCPUにより構成される主制御部20と、電源電
圧制御部21と、電源部22を設け、被試験素子1であ
るIC素子に対して電源部22から電圧を供給し、また
テストパターン発生部23よりテストパターンを入力す
るように構成する。
【0003】被試験素子1のテストに際し、主制御部2
0は、電源部22から被試験素子1への印加電圧Vcc
を、例えばVcc=5Vにするため、電源電圧制御部2
1に対しVcc=5Vにする制御命令を出力する。
【0004】これにより電源電圧制御部21は電源部2
2をオフからオンにする。電源部22から出力されて被
試験素子1に対する印加電圧は、安定時間T1 を経過し
て、正常状態である5Vに安定したのち、主制御部20
はテストパターン発生部23に対して第1テストパター
ンスタート命令を出力する。
【0005】これによりテストパターン発生部23は、
第1テストパターンを出力して被試験素子1に入力し、
印加電圧が5Vのとき、つまり正常状態のときのテスト
が行われる。
【0006】次にバンプテストを行う場合、主制御部2
0は例えばVcc=4.5Vにする制御命令を電源電圧
制御部21に出力する。これにもとづき電源電圧制御部
21は、電源部22を被試験素子1へ印加電圧が4.5
Vになるように制御する。そして安定時間T2 後にこの
印加電圧が4.5Vに安定されるので、主制御部20は
テストパターン発生部23に対して第2テストパターン
スタート命令を出力する。
【0007】これによりテストパターン発生部23は、
第2テストパターンを出力して、被試験素子1に入力
し、印加電圧が4.5Vのとき、つまり電源が変動した
ときの状態のテストが行われる。なお、第2テストパタ
ーンは第1テストパターンと同じパターンを使用しても
よい。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の場
合には、主制御部20からの制御命令により、電源部2
2の出力電圧値自体を変化させているために、長い安定
時間が必要で応答が遅く、この電源出力が安定する時
間、バンプテストのときのテストパターンの走行を待た
せることが必要となる。そのため障害モードによっては
この時間内で正常に復帰してしまい、バンプテストが有
効でなくなることがあった。
【0009】例えばビットライン・チャージ用のトラン
ジスタが、この電源電圧低下状態の場合に一時的にオフ
となるものの、ある時間経過すると再びオンになって正
常に復帰し、障害状態でなくなるようなものについて、
これを検出することができないという問題があった。
【0010】したがって本発明の目的は、バンプテスト
時における電圧変化を短時間に可能とする試験装置を提
供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、図1に示す如く、主制御部2と、電源
電圧制御部3と、電源部4と、電圧重畳部5と、テスト
パターン発生部6と、重畳電源部7を設け、被試験素子
1に対しては電圧重畳部5を経由した電圧を印加する。
【0012】
【作用】被試験素子1のテストに際し、主制御部2は電
源電圧制御部3に対しVcc=5Vにする制御命令を出
力する。これにより電源電圧制御部3は電源部4をオフ
からオンにし、電源部4はVcc=5Vを出力する。こ
のとき、重畳電源部7からの出力はゼロであり、電源部
4から出力される直流電圧は何等制御されず、そのまま
被試験素子1に印加される。
【0013】主制御部2は、テストパターン発生部6に
対して第1テストパターンスタート命令を出力すれば、
テストパターン発生部6は第1テストパターンを被試験
素子1に送出し、これにより、電源電圧が正常時のテス
トを行う。
【0014】バンプテストを行う場合、主制御部2はテ
ストパターン発生部6に対しバンプテストスタート命令
を出力する。これによりテストパターン発生部6は、ま
ず重畳電源部7に対して、電源部4の出力電圧をバンプ
用の電圧に減圧するような出力を発生させ、これを電圧
重畳部5に送出する。これにより電源部4の出力電圧
は、電圧重畳部5において、短時間にバンプ用電圧に低
下するので、それからテストパターン発生部6は、第2
テストパターンを発生してこれを被試験素子1に送出
し、これによりバンプテストを行う。
【0015】このとき、被試験素子1ではバンプ用の電
圧への低下制御が行われてから短時間にテストを行うこ
とになるので、従来のように電圧低下が行われてからバ
ンプテストの開始までに、電源電圧安定のために、長時
間を必要としないので、障害を正確に検出することがで
きる。
【0016】
【実施例】本発明の第1実施例を図2にもとづき説明す
る。図2(A)において他図と同符号部は同一部を示
し、1は被試験素子、2は主制御部、3は電源電圧制御
部、4は電源部、5は電圧重畳部、6はテストパターン
発生部、7は重畳電源部である。
【0017】被試験素子1はバンプテストを受けるもの
であってICメモリ素子の如きものである。主制御部2
は試験装置における各種制御を行うものであって例えば
CPUで構成されている。電源電圧制御部3は主制御部
2からの制御命令を受けて電源部4を制御するものであ
る。
【0018】電源部4は、被試験素子1に印加する直流
電圧を発生するものであり、例えば5Vの直流電圧を出
力するものである。電源部4は出力電圧調整用の抵抗が
接続され、その抵抗値を変えることにより出力電圧を調
整しているが、出力電圧を例えば5Vに設定しても実際
の出力電圧が5Vより大きい、または小さいときはこれ
にもとづき抵抗値を調整するので、安定した出力電圧を
得るまで時間を要することになる。
【0019】電圧重畳部5は電源部4から出力された直
流電圧に対して重畳電源部7より入力された電圧を重畳
して減圧し、例えば4.5Vの直流電圧を出力し、また
重畳電源部7より電圧が入力されないときは電源部4か
らの出力、例えば5Vをそのまま被試験素子1に出力す
るものであり、例えばトランスで構成されている。この
トランスの1次巻線は電源部4と接続され、2次巻線は
重畳電源部7と接続されている。
【0020】テストパターン発生部6は、主制御部2か
らの命令により被試験素子1をテストするためのテスト
パターンを発生するものであり、バンプテストを行う場
合には、第1テストパターンの出力のあとにトリガ信号
を重畳電源部7に送出し、またバンプテスト用の第2テ
ストパターンを発生する。なお第2テストパターンは第
1テストパターンと同一のパターンでもよい。
【0021】重畳電源部7は、例えばパワーアンプ7−
1で構成され、テストパターン発生部6からトリガ信号
Tgが入力されたとき、一定時間長の一定の大きさの矩
形状信号を出力し、電圧重畳部5の2次側巻線に送出す
る。
【0022】第1実施例の動作について説明する。 試験装置により被試験素子1をテストするとき、主制
御部2はまず電源電圧制御部3に制御命令を出力し、電
源部4をオンして被試験素子1に対する印加電圧Vcc
=5Vを出力するように制御する。この出力電圧は電圧
重畳部5のトランスの1次巻線を経由して被試験素子1
に印加されるが、安定時間を経過して安定した後に、主
制御部2はテストパターン発生部6に対し第1テストパ
ターンスタート命令を出力する。
【0023】これにもとづきテストパターン発生部6
は第1テストパターンを被試験素子1に出力し、正常電
圧状態におけるテストが行われる。 このテストパターンが終了後、テストパターン発生部
6はトリガ信号Tgを重畳電源部7のパワーアンプ7−
1に送出する。これによりパワーアンプ7−1は予め定
められた大きさの矩形状信号を一定時間出力し、これを
電圧重畳部5のトランスの2次巻線に送出する。
【0024】これにより、図2(B)に示す如く、時
間T3 の期間被試験素子1に印加される電圧は減少し
て、これがバンプテスト用の電圧である4.5Vに低下
しているときに、テストパターン発生部6からバンプテ
スト時の第2テストパターンが送出されて被試験素子1
においてバンプテストが行われる。
【0025】バンプテストを繰返して行うためには、ト
リガ信号Tgを一定周期毎に繰返してパワーアンプ7−
1に印加すれば、その度毎に被試験素子1の印加電圧を
低下させることができる。なお、前記時間T3 は、例え
ば数マイクロ秒である。
【0026】このようにして、テストパターン発生部6
から、トリガ信号Tgを出力し、これにもとづき非常に
短時間で被試験素子1への印加電圧を安定して低下させ
ることが可能になり、バンプテストを効率よく行うこと
ができる。
【0027】本発明の第2実施例を図3について説明す
る。図3の場合は、重畳電源部7を波形成形部7−2及
びパワーアンプ7−3で構成する。波形成形部7−2は
テストパターン発生部6から印加されたトリガ信号によ
り、波形成形し、電圧変化の時間や電圧レベルを任意に
変化させる信号を出力することができる。そしてこのよ
うに波形成形した信号をパワーアンプ7−3によりパワ
ー増幅して電圧重畳部5に印加する。このようにして電
圧変化の時間や電圧レベルを適宜任意に変化させること
ができるので、被試験素子1に対してより有効なバンプ
テストが可能になる。
【0028】本発明の第3実施例を図4について説明す
る。図4の場合は、重畳電源部7をパルスジェネレータ
7−4及び増幅回路7−5で構成する。パルスジェネレ
ータ7−4はテストパターン発生部6から印加されたト
リガ信号により、電圧調整及びタイミング調整されたパ
ルスを出力することができるので、これを増幅回路7−
5でパワー増幅して電圧重畳部5に印加することによ
り、これまた電圧変化時間や電圧レベルを適宜調整する
ことができ、より有効なバンプテストが可能となる。
【0029】本発明の第4実施例を図5について説明す
る。図5の場合は電圧重畳部5をコンデンサCにより構
成し、重畳電源部7の出力をスイッチSWをオンにして
容量カップリングにより印加する。スイッチSWは必ず
しも必要ない。このようにコンデンサCによる容量カッ
プリングによっても被試験素子1に対してバンプテスト
を行うことができる。
【0030】なお前記説明は、バンプテスト用電圧を
4.5Vの場合について説明したが、本発明は勿論これ
に限定されるものではなく、例えば4.75Vの場合も
同様に実施できる。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば被試験素子に対するバン
プテストを行うとき、短時間で安定した電源変動電圧を
発生することができる。したがって電源変動に対する集
積回路の動作確認を行う上できわめて有効な試験装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明の第1実施例である。
【図3】本発明の第2実施例である。
【図4】本発明の第3実施例である。
【図5】本発明の第4実施例である。
【図6】従来例説明図である。
【符号の説明】
1 被試験素子 2 主制御部 3 電源電圧制御部 4 電源部 5 電圧重畳部 6 テストパターン発生部 7 重畳電源部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被試験素子に対してテストパターンを印
    加し、また電圧を変化させて試験を行うIC素子試験装
    置において、 テストパターンとトリガ信号を出力するテストパターン
    発生部(6)と、 重畳電圧を出力する重畳電源部(7)と、 この重畳電圧を被試験素子に印加する電圧に重畳する電
    圧重畳部(5)を設け、 前記テストパターン発生部(6)から出力されるトリガ
    信号にもとづき重畳電源部(7)が重畳電圧を電圧重畳
    部(5)に送出し、被試験素子に印加される電圧を低下
    させるようにしたことを特徴とするIC素子試験装置。
  2. 【請求項2】 前記重畳電源部(7)をパワーアンプで
    構成したことを特徴とする請求項1記載のIC素子試験
    装置。
  3. 【請求項3】 前記重畳電源部(7)を波形成形部とパ
    ワーアンプで構成したことを特徴とする請求項1記載の
    IC素子試験装置。
  4. 【請求項4】 前記重畳電源部(7)をパルスジェネレ
    ータと増幅回路で構成したことを特徴とする請求項1記
    載のIC素子試験装置。
  5. 【請求項5】 前記電圧重畳部(5)をトランスで構成
    したことを特徴とする請求項1記載のIC素子試験装
    置。
  6. 【請求項6】 前記電圧重畳部(5)を結合コンデンサ
    により構成したことを特徴とする請求項1記載のIC素
    子試験装置。
JP5099962A 1993-04-27 1993-04-27 Ic素子試験装置 Withdrawn JPH06308197A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5099962A JPH06308197A (ja) 1993-04-27 1993-04-27 Ic素子試験装置
US08/214,309 US5481551A (en) 1993-04-27 1994-03-17 IC element testing device

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