DE112008001433T5 - Halbleiter-Testgerät und Testverfahren - Google Patents

Halbleiter-Testgerät und Testverfahren Download PDF

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DE112008001433T5
DE112008001433T5 DE112008001433T DE112008001433T DE112008001433T5 DE 112008001433 T5 DE112008001433 T5 DE 112008001433T5 DE 112008001433 T DE112008001433 T DE 112008001433T DE 112008001433 T DE112008001433 T DE 112008001433T DE 112008001433 T5 DE112008001433 T5 DE 112008001433T5
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    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
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Abstract

Halbleiter-Testgerät, welches enthält:
eine Spannungsquelle, welche eine Leistungsversorgungsspannung erzeugt, welche einer zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist;
einen Entscheidungsprozessor, welcher bei der zu testenden Vorrichtung veranlasst, eine vorbestimmte Testsequenz auszuführen; und
einen Rauschgenerator, welcher eine impulsähnliche Rauschspannung auf die Leistungsversorgungsspannung, welche der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, überlagert, während die Testsequenz ausgeführt wird.

Description

  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter-Testgerät.
  • Stand der Technik
  • Ein Halbleiter-Testgerät wird dazu verwendet, um zu bestimmen, ob eine integrierte Halbleiterschaltung auf die gleiche Art und Weise wie sie entworfen ist arbeitet. Das Halbleiter-Testgerät führt einer zu testenden integrierten Halbleiterschaltung (im Folgenden einfach als eine DUT: zu testende Vorrichtung (engl.: Device Under Test) bezeichnet) ein vorbestimmtes Testmuster zu, so dass die DUT eine Verarbeitung basierend auf dem Testmuster ausführt. Daraus folgend wird die DUT, wenn die Verarbeitung durch die DUT normal vollendet ist, als Bestanden (engl.: pass) bestimmt.
  • Wenn die DUT ein Speicher oder dergleichen ist, werden oftmals Widerstandseigenschaften derer im Vergleich zu Leistungsversorgungsspannungen überprüft, indem eine der DUT zuzuführende Leistungsversorgungsspannung geändert wird. Bei dem Testgerät, wie im Patentdokument 1 beschrieben, werden die Widerstandseigenschaften von der DUT überprüft, indem eine Leistungsversorgungsspannung jedes Mal dann geändert wird, wenn der DUT eine Folge von Testmustern zugeführt wird.
    • [Patentdokument 1] Japanische Patentanmeldungsveröffentlichung No. Hei 6-308197
  • BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Das durch die Erfindung zu lösende Problem
  • Bei dem im Patentdokument 1 beschriebenen Testgerät wird eine Leistungsversorgungsspannung jedoch starr variiert, während das Testmuster ausgeführt wird, und somit können die Widerstandseigenschaften davon im Vergleich zu einer Variierung von impulsähnlichen Leistungsversorgungsspannungen nicht überprüft werden. Bei derzeitigen Halbleitervorrichtungen, welche bei zunehmend reduzierten Spannungen arbeiten können, sind die Widerstandseigenschaften im Vergleich zu impulsähnlichem Rauschen (Impulsrauschen) sowohl für Entwickler als auch für Benutzer der Halbleitervorrichtungen eine wichtige Aussage.
  • Die vorliegende Erfindung wurde angesichts des zuvor genannten Problems gemacht, und es ist eine Aufgabe derer, ein Halbleiter-Testgerät bereitzustellen, bei welchem ein Test bei einer Variierung von Leistungsversorgungsspannungen durchgeführt werden kann.
  • Mittel zum Lösen des Problems
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter-Testgerät. Das Halbleiter-Testgerät gemäß der Erfindung enthält: eine Spannungsquelle, welche eine Leistungsversorgungsspannung, welche einer DUT zuzuführen ist, erzeugt; einen Entscheidungsprozessor, welcher veranlasst, dass die DUT eine vorbestimmte Testsequenz ausführt; und einen Rauschgenerator, welcher eine impulsähnliche Rauschspannung auf die der DUT zuzuführenden Leistungsversorgungsspannung überlagert, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  • Gemäß der Ausführungsform können die Widerstandseigenschaften im Vergleich zu einer Variierung der impulsähnlichen Leistungsversorgungsspannungen überprüft werden.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich ebenfalls auf ein Halbleiter-Testgerät. Das Halbleiter-Testgerät enthält: eine Spannungsquelle, welche eine Leistungsversorgungsspannung, welche einer DUT zuzuführen ist, erzeugt; einen Entscheidungsprozessor, welcher veranlasst, dass die DUT eine vorbestimmte Testsequenz ausführt; und einen Rauschgenerator, welcher eine periodische, pulsähnliche Rauschspannung auf die der DUT zuzuführenden Leistungsversorgungsspannung überlagert, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  • Gemäß der Ausführungsform können die Widerstandseigenschaften im Vergleich zu einer Variierung der periodischen, pulsähnlichen Leistungsversorgungsspannungen überprüft werden. Es ist zu erwähnen, dass mit „pulsähnlich” ein Ausdruck gemeint ist, welcher einen impulsähnlichen Puls als auch einen rechteckwellenähnlichen Puls enthält.
  • Der Rauschgenerator kann eine Rauschspannung überlagern, welche mit einem Taktsignal synchronisiert ist, welches der DUT zuzuführen ist. Es ist zu erwähnen, dass mit „synchronisiert mit einem Taktsignal” jener Fall gemeint ist, bei welchem die Frequenz der Rauschspannung gleich jener des Taktsignals ist, als auch jener Fall gemeint ist, bei welchem die Frequenz der Rauschspannung gleich einer Frequenz ist, welche erlangt wird, indem die Frequenz des Taktsignals mit einer Ganzzahl multipliziert oder dadurch dividiert wird. Es kann eine beliebige Phasendifferenz zwischen der Rauschspannung und dem Taktsignal vorliegen. Die DUT rastet (engl.: latches) Daten ein oder führt eine Betriebsverarbeitung unter Verwendung des Taktsignals aus. Demgemäß kann die DUT durch Überlagern der Rauschspannung, welche mit dem Taktsignal synchronisiert ist, unter genauen Bedingungen überprüft werden.
  • Das Halbleiter-Testgerät kann gemäß einer Ausführungsform ferner einen Oszillator enthalten, welcher ein Taktsignal erzeugt, welches der DUT zuzuführen ist. Der Rauschgenerator kann eine Rauschspannung in Synchronisation mit dem Taktsignal von dem Oszillator erzeugen.
  • Der Entscheidungsprozessor kann ein Testmuster erzeugen, welches durch eine Adresse bei jeder vorbestimmten Zeiteinheit erkannt wird, so dass das Testmuster der DUT zugeführt wird. Der Rauschgenerator kann derart ausgelegt sein, dass der Rauschgenerator die Amplitude der Rauschspannung unabhängig bei jeder Einheitszeit des Testmusters einstellen kann. Gemäß der Erfindung kann die Amplitude der Rauschspannung bei jeder Adressperiode geändert werden, und somit kann die Adresse in dem Testmuster, bei welchem das Auftreten eines Fehlers wahrscheinlich ist, spezifiziert werden. Ferner kann anhand der Adresse in dem somit spezifizierten Testmuster ein Schaltungsblock, welcher geringe Widerstandseigenschaften im Vergleich zu einer Variierung von Leistungsversorgungsspannungen hat, abgeschätzt werden.
  • Das Halbleiter-Testgerät kann gemäß einer Ausführungsform ferner enthalten: eine Nicht-Bestanden-Adresse-Erlangungseinheit, welche, wenn die DUT als Nicht-Bestanden (engl.: fail) bestimmt ist, eine Adresse von einem Testmuster, in welchem das Nicht-Bestanden auftrat, erlangt; und eine Rauschsteuereinheit, welche die Amplitude von der Rauschspannung zu jeder Einheitszeit, basierend auf der Nicht-Bestanden-Adresse, welche die Adresse bestimmt, bei welcher das Nicht-Bestanden auftrat, rekonfiguriert. Der Entscheidungsprozessor kann ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT in einem Zustand neu bestimmen, bei welchem die Amplitude der somit rekonfigurierten Rauschspannung überlagert ist. Resultierend aus der Rekonfiguration der Amplitude von der Rauschspannung zur Neubestimmung der DUT kann, wenn die DUT als Bestanden bestimmt ist, abgeschätzt werden, dass die Adresse entsprechend der Adressperiode, in welcher die Amplitude von der Rauschspannung geändert wurde, im Vergleich zum Rauschen schwach ist.
  • Die Rauschsteuereinheit kann zumindest eine Adresse vor der Nicht-Bestanden-Adresse als eine Testadresse einstellen, so dass die Amplitude von der Rauschspannung in einer Adressperiode entsprechend der Testadresse klein eingestellt wird. Wenn die DUT als Nicht-Bestanden bestimmt ist, ist es höchst wahrscheinlich, dass ein Fehler aufgrund eines Rauschens auftrat, welches vor der Nicht-Bestanden-Adresse angelegt wurde. Demgemäß kann, wenn die Neubestimmung des Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT, in einem Zustand, bei welchem die Amplitude der Rauschspannung in einer Adressperiode vor der Nicht-Bestanden-Adresse klein erstellt ist, und wenn die DUT als Bestanden bestimmt ist, ein Schaltungsblock, welcher geringe Rauschwiderstandseigenschaften hat, basierend auf der Musteradresse in der Adressperiode abgeschätzt werden.
  • Die Rauschsteuereinheit kann die Testadresse, bis die DUT als Bestanden bestimmt ist, resultierend aus der Neubestimmung durch den Entscheidungsprozessor abtasten. Mit anderen Worten, kann die Rauschsteuereinheit nach der Testadresse suchen, bei welcher die DUT als Bestanden bestimmt ist.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter-Testverfahren. Das Halbleiter-Testverfahren enthält: Veranlassen, dass eine DUT eine vorbestimmte Testsequenz ausführt, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT zu bestimmen; und Überlagern von einer impulsähnlichen Rauschspannung auf eine Leistungsversorgungsspannung, welche der DUT zuzuführen ist, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  • Ein Halbleiter-Testverfahren gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält: Veranlassen, dass eine DUT eine vorbestimmte Testsequenz ausführt, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT zu bestimmen; und Überlagern von einer periodischen, pulsähnlichen Rauschspannung auf eine Leistungsversorgungsspannung, welche der DUT zuzuführen ist, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  • Das Halbleiter-Testverfahren kann gemäß einer Ausführungsform ferner enthalten: Erlangen, wenn die DUT als Nicht-Bestanden bestimmt ist, von einer Adresse eines Testmusters, bei welchem das Nicht-Bestanden auftrat; Einstellen von zumindest einer Adresse vor der Nicht-Bestanden-Adresse, welche die Adresse bestimmt, bei welcher das Nicht-Bestanden auftrat, als eine Testadresse, so dass die Amplitude von der Rauschspannung in einer Periode entsprechend der Testadresse klein eingestellt wird; und Veranlassen, dass die DUT die Testsequenz mit einer derart eingestellten Rauschspannung neu ausführt.
  • Das Halbleiter-Testverfahren kann gemäß einer Ausführungsform das Ändern der Testadresse, bis die DUT als Bestanden bestimmt ist, wiederholen. Dadurch kann nach einer Adresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, gesucht werden.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich ebenfalls auf ein Halbleiter-Testverfahren. Das Verfahren führt die folgende Verarbeitung durch:
    • (1) Erzeugen eines Testmusters, welches zu jeder vorbestimmten Einheitszeit durch eine Adresse erkannt wird;
    • (2) Bestimmen eines Bestanden/Nicht-Bestanden einer DUT unter Verwendung des Testmusters in einem Zustand, bei welchem eine Rauschspannung, welche mit der Einheitszeit synchronisiert ist, auf eine Leistungsversorgungsspannung überlagert wird, welche der DUT zuzuführen ist;
    • (3) Erlangen, wenn die DUT als Bestanden bestimmt ist, der Amplitude von der Rauschspannung als eine Bestanden-Spannung;
    • (4) Erlangen, wenn die DUT als Nicht-Bestanden bestimmt ist, der Amplitude von der Rauschspannung als eine Nicht-Bestanden-Spannung;
    • (5) Einstellen der Amplitude von der Rauschspannung als die Nicht-Bestanden-Spannung mit Bezug auf zumindest eine Einheitszeit des Testmusters, und Einstellen derer als die Bestanden-Spannung mit Bezug auf eine verbleibende Einheitszeit;
    • (6) Neubestimmen eines Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT in einem Zustand, bei welchem die Rauschspannung, welche im Schritt (5) eingestellt ist, überlagert wird; und wiederholtes Ausführen der Schritte (5) und (6), bis die DUT als Bestanden bestimmt ist. Gemäß der zuvor genannten Verarbeitung zeigt die Einheitszeit, bei welcher die Amplitude von der Rauschspannung als die Bestanden-Spannung eingestellt ist, die Adresse an, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, zu dem Zeitpunkt, bei welchem die DUT als Bestanden bestimmt ist. Demgemäß kann ein Schaltungsblock oder ein Schaltungspfad, welcher im Vergleich zum Rauschen schwach ist, basierend auf der Adresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, spezifiziert oder abgeschätzt werden.
  • Es ist zu erwähnen, dass jegliche Kombination der zuvor genannten Bauteile oder jegliche Manifestation der vorliegenden Erfindung, ausgetauscht zwischen Verfahren, Vorrichtungen usw., als eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gleichwertig ist.
  • Vorteil der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung können die Widerstandseigenschaften im Vergleich zu einem Spannungsrauschen überprüft werden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
  • 1 ist ein Blockdiagramm, welches den Aufbau von einem Halbleiter-Testgerät gemäß einer Ausführungsform darstellt;
  • 2 ist ein Zeitablaufdiagramm, welches eine Leistungsversorgungsspannung Vddn, auf welcher eine Rauschspannung Vn überlagert ist, ein Taktsignal CK und eine Musteradresse eines Testmusters darstellt;
  • 3 ist ein Ablaufdiagramm eines Tests unter Verwendung des Halbleiter-Testgeräts in 1;
  • 4A und 4B sind Zeitablaufdiagramme, welche jenem in 3 entsprechen;
  • 5 ist ein Ablaufdiagramm, welches einen Suchalgorithmus darstellt, durch welchen nach einer Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, gesucht wird; und
  • 6A und 6B sind Tabellen, welche Übergänge von einer Amplitude ΔVn in dem Suchalgorithmus in 5 darstellen.
  • 10
    SPANNUNGSQUELLE
    20
    RAUSCHGENERATOR
    22
    PULSGENERATOR
    24
    PULS-ÜBERLAGERUNGSEINHEIT
    26
    RAUSCHSTEUEREINHEIT
    28
    NICHT-BESTANDEN-ADRESSE-ERLANGUNGSEINHEIT
    30
    ENTSCHEIDUNGSPROZESSOR
    40
    OSZILLATOR
    100
    HALBLEITER-TESTGERÄT
    200
    DUT
  • BESTER MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung mit Bezug auf die Zeichnung basierend auf den bevorzugten Ausführungsformen beschrieben. Die gleichen oder die äquivalenten Bauteilelemente, Elemente und die Verarbeitung, wie in jeder Zeichnung dargestellt, sind durch die gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet, und die wiederholte Erläuterung wird geeigneterweise ausgelassen. Die Ausführungsformen dienen nicht dazu, den Umfang der vorliegenden Erfindung zu beschränken, sondern sind ein Beispiel der Erfindung. Alle Merkmale und Kombinationen davon, wie in den Ausführungsformen beschrieben, sind nicht notwendigerweise hinsichtlich der Erfindung wesentlich. Hier enthält „der Zustand, bei welchem ein Element A mit einem Element B verbunden ist” nicht lediglich jenen Zustand, bei welchem das Element A physisch und direkt mit dem Element B verbunden ist, sondern ebenfalls jenen Zustand, bei wel chem das Element A indirekt über ein anderes Element, welches elektrisch den Verbindungszustand zwischen ihnen nicht beeinflusst, mit dem Element B verbunden ist.
  • 1 ist ein Blockdiagramm, welches den Aufbau eines Halbleiter-Testgeräts 100 gemäß einer Ausführungsform darstellt. Das Halbleiter-Testgerät 100 führt einer DUT 200 eine Leistungsversorgungsspannung Vdd zu, und veranlasst, dass die DUT 200 eine vorbestimmte Testsequenz ausführt, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden von der DUT zu bestimmen. Die DUT 200 kann eine jegliche aus einer digitalen Schaltung, einer analogen Schaltung oder einer Speicherschaltung sein, jedoch wird die folgende Beschreibung unter der Annahme gegeben, dass die DUT 200 einen Schaltungsblock enthält, welcher eine Signalverarbeitung basierend auf einem Taktsignal CK durchführt. Die DUT 200 ist in einem Vorrichtungsbefestigungsabschnitt (nicht dargestellt) befestigt, um die Leistungsversorgungsspannung Vdd, eine Massespannung GND und das Taktsignal CN von dem Halbleiter-Testgerät 100 zu empfangen.
  • Das Halbleiter-Testgerät 100 enthält eine Spannungsquelle 10, einen Rauschgenerator 20, eine Rauschsteuereinheit 26, eine Bestanden-Adresse-Erlangungseinheit 28, einen Entscheidungsprozessor 30 und einen Oszillator 40. Die Spannungsquelle 10 erzeugt eine Leistungsversorgungsspannung Vdd, welche der DUT 200 zuzuführen ist. Der Entscheidungsprozessor 30 veranlasst, dass die DUT 200 eine vorbestimmte Testsequenz ausführt, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT 200 zu bestimmen. In der vorliegenden Ausführungsform gibt der Entscheidungsprozessor 30 ein Testmuster über einen Testanschluss P3 aus. Das Testmuster ist virtuell auf der Zeitachse unterteilt, so dass das Testmuster zu jeder vorbestimmten Einheitszeit durch eine Adresse erkannt werden kann. Im Folgenden bezieht sich eine Adresse in dem Testmuster auf eine Musteradresse ADD und bezieht sich eine Einheitszeit entsprechend der Adresse auf eine Adressperiode T. Die DUT 200 empfängt das Testmuster und führt eine vorbestimmte Signalverarbeitung in Ansprechen auf das Testmuster durch. Der Entscheidungsprozessor 30 bestimmt die DUT als Bestanden, wenn die Daten, welche resultierend aus der Signalverarbeitung erlangt sind, gleich den Daten sind, welche von dem Testmuster erwartet werden; und im Gegensatz dazu bestimmt er die DUT als Nicht-Bestanden, wenn die Daten aus dem Ergebnis der Signalverarbeitung nicht gleich jenen der erwarteten Daten sind. Der Entscheidungsprozessor 30 gibt für jede Muster adresseinheit ein Bestanden/Nicht-Bestanden aus. Wenn das Nicht-Bestanden in irgendeiner der Musteradressen auftritt, wird die DUT als Nicht-Bestanden bestimmt, wobei der Test zu dem Zeitpunkt unterbrochen wird. Wenn für alle der Musteradressen ein Bestanden ausgegeben wird, wird die DUT als Bestanden bestimmt.
  • Der Oszillator 40 erzeugt das Taktsignal CK. Das Taktsignal CK wird der DUT 200 über einen Taktanschluss P4 zugeführt. Die DUT 200 führt die Signalverarbeitung durch, welche mit dem Taktsignal CK synchronisiert ist. Der Entscheidungsprozessor 30 erzeugt das Testmuster, welches mit dem Taktsignal CK synchronisiert ist. In 1 wird das Taktsignal CK der DUT 200 über die Leitung, welche lediglich für den Takt dient, zugeführt, kann jedoch daran mit weiteren Daten unter Verwendung einer CDR (Taktdaten-Wiederherstellung), usw., zugeführt werden.
  • Der Rauschgenerator 20 überlagert eine periodische pulsähnliche Rauschspannung Vn auf die Leistungsversorgungsspannung Vdd, welche der DUT 200 zuzuführen ist, während die Testsequenz durch die DUT 200 ausgeführt wird. Der Rauschgenerator 20 enthält einen Pulsgenerator 22, welcher die Rauschspannung Vn erzeugt, und eine Puls-Überlagerungseinheit 24, welche die Rauschspannung Vn auf die Leistungsversorgungsspannung Vdd überlagert. Beispielsweise kann die Puls-Überlagerungseinheit 24 derart aufgebaut sein, dass sie einen Kopplungskondensator enthält, wobei ein Ende davon mit der positiven Elektrode der Spannungsquelle 10 und das andere Ende davon mit dem Pulsgenerator 22 verbunden ist. Ein jeglicher Aufbau der Puls-Überlagerungseinheit 24 ist zulässig.
  • In der vorliegenden Ausführungsform überlagert der Rauschgenerator 20 die Rauschspannung Vn, welche mit dem Taktsignal CK synchronisiert ist, welches der DUT 200 zuzuführen ist, auf die Leistungsversorgungsspannung Vdd. Der Pulsgenerator 22 empfängt das Taktsignal CK, welches durch den Oszillator 40 erzeugt ist, und erzeugt die Rauschspannung Vn unter Verwendung des Taktsignals CK. Der Pulsgenerator 22 kann unter Verwendung von einer PLL-Schaltung oder eines Frequenzteilers, welcher das Taktsignal CK mit einer Ganzzahl multipliziert oder dadurch teilt, oder unter Verwendung eines Zählers, welcher das Taktsignal CK zählt, konfiguriert sein. Der Aufbau des Pulsgenerators 22 ist nicht insbesondere beschränkt. Es ist bevorzugt, dass die Phasendifferenz zwischen der Rauschspannung Vn, welche durch den Pulsgenerator 22 erzeugt ist, und dem Taktsignal CK beliebig eingestellt werden kann. Es ist bevorzugt, dass die Pulsbreite der Rauschspannung Vn ebenfalls beliebig eingestellt werden kann. Die Rauschspannung Vn ist vorzugsweise eine steile pulsähnliche Spannung, wie beispielsweise ein Stoßrauschen. Weil die Rauschspannung Vn als ein Rauschen angesehen wird, welches natürlich auftritt, kann die Pulsbreite davon kürzer oder länger als ein Taktzyklus des Systems sein. Wenn die Pulsbreite auf ein gewisses Ausmaß länger ist, kann die Rauschspannung Vn als eine Rechteckwellen-Rauschspannung erkannt werden, und wenn die Pulsbreite im Gegensatz dazu sehr kurz ist, kann die Spannung Vn als ein Impulsrauschen erkannt werden.
  • In der vorliegenden Ausführungsform kann der Rauschgenerator 20 die Amplitude ΔVn der Rauschspannung Vn unabhängig für jede Adressperiode T entsprechend der Musteradresse einstellen. 2 zeigt einen Zeitablauf, welcher die Leistungsversorgungsspannung Vddn, auf welcher die Rauschspannung Vn überlagert ist, das Taktsignal CK und die Musteradresse ADD anzeigt. In dem Beispiel von 2 ist ΔVn auf 0,2 V in den Adressperioden T entsprechend aller Musteradressen ADDs eingestellt. In dem gleichen Beispiel ist die Adressperiode T gleich der Zykluszeit des Taktsignals CK.
  • Beispielsweise können bei einem bestimmten Test, wenn die Amplituden ΔVn von allen Adressperioden auf den gleichen Wert eingestellt sind, welcher abgetastet wird, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT 200 für jede Amplitude ΔVn zu bestimmen, die Rauschwiderstandseigenschaften der DUT 200 gemessen werden. Wenn es erfordert ist, die Rauschwiderstandseigenschaften davon für eine spezifische Adressperiode zu überprüfen, muss die Amplitude ΔVn der Adressperiode entsprechend der Adresse lediglich länger sein als jene von einer anderen Adressperiode.
  • Gemäß dem Halbleiter-Testgerät 100 der vorliegenden Erfindung kann die Leistungsversorgungsspannung Vddn, auf welche die pulsähnliche Rauschspannung überlagert ist, der DUT 200 zugeführt werden, während die DUT 200 eine Testsequenz ausführt. Dadurch können die Widerstandseigenschaften im Vergleich zu einer Variierung der pulsähnlichen Leistungsversorgungsspannungen überprüft werden. Genauer gesagt, kann, wenn die Amplitude ΔVn derart konfiguriert ist, dass sie einstellbar ist, gemessen werden, welche Rauschwiderstandseigenschaften die DUT 200 hat.
  • In der vorliegenden Ausführungsform kann die DUT 200 unter genauen Bedingungen überprüft werden, indem die Rauschspannung Vn mit dem Taktsignal CK synchronisiert wird. Ferner wird die Rauschspannung Vn in Synchronisation mit einem Testmuster erzeugt, und ist die Amplitude ΔVn der Rauschspannung Vn derart entworfen, dass sie unabhängig von jeder Adressperiode entsprechend der Musteradresse ADD einstellbar ist. Dadurch kann eine Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, spezifiziert werden.
  • Nachfolgend wird eine Technik, bei welcher nach einer Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, gesucht wird, beschrieben. Die Rauschsteuereinheit 26 stellt zunächst die gleiche Amplitude ΔVn für alle Adressperioden ein und ändert stufenförmig die Amplitude ΔVn. Da die Amplitude ΔVn groß ist, wird die DUT 200 stärker durch Rauschen beeinflusst, welches hervorruft, dass eine Wahrscheinlichkeit, dass die DUT 200 fehlerhaft arbeiten kann, hoch ist. Das Halbleiter-Testgerät 100 führt eine vorbestimmte Testsequenz bei jeder derart eingestellter Amplitude ΔVn durch und bestimmt ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT 200.
  • Wenn die Amplitude ΔVn einen bestimmten Pegel erreicht, tritt das Nicht-Bestanden bei jeglicher der Musteradressen auf, wobei die DUT 200 durch den Entscheidungsprozessor 30 als Nicht-Bestanden bestimmt wird. Die Rauschsteuereinheit 26 erlangt den Pegel der Amplitude ΔVn (im Folgenden als eine Nicht-Bestanden-Spannung Vf bezeichnet) zu diesem Zeitpunkt. Zusätzlich erlangt die Rauschsteuereinheit 26 ebenfalls den Pegel der Amplitude ΔVn, wenn die DUT 200 unmittelbar vor dem Nicht-Bestanden bestanden hat (im Folgenden als eine Bestanden-Spannung Vp bezeichnet). Wenn beispielsweise Vdd = 5 V ist, und wenn die DUT 200 besteht, wenn ΔVn = 0,1 V ist, und nicht besteht, wenn ΔVn = 0,2 V ist, dann werden Vf = 0,2 V und Vp = 0,1 V festgehalten.
  • Wenn die DUT 200 durch den Entscheidungsprozessor 30 als Nicht-Bestanden bestimmt ist, erlangt die Nicht-Bestanden-Adresse-Erlangungseinheit 28 jene Musterad resse, bei welcher das Nicht-Bestanden auftrat (im Folgenden als eine Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F bezeichnet). Die Rauschsteuereinheit 26 stellt die Amplitude ΔVn für jede Adressperiode basierend auf der Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F ein. Der Entscheidungsprozessor 30 erzeugt ein Testmuster für die DUT 200 in einem Zustand, bei welchem die rekonfigurierte Amplitude ΔVn der Rauschspannung Vn überlagert ist, so dass ein Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT 200 neu bestimmt wird.
  • Die Rauschsteuereinheit 26 stellt zumindest eine der Musteradressen ADDs vor der Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F auf eine Testadresse ADD_T ein. Die Rauschsteuereinheit 26 stellt die Amplitude ΔVn der Rauschspannung Vn in einer Adressperiode entsprechend der Testadresse ADD_T auf klein ein. Die Rauschsteuereinheit 26 tastet die Testadresse ADD_T ab, bis die DUT 200 durch den Entscheidungsprozessor 30 als Bestanden bestimmt ist, so dass die Adresse, welche das Nicht-Bestanden bewirkt, spezifiziert wird.
  • 3 ist ein Ablaufdiagramm, bei welchem nach der Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, durch das Halbleiter-Testgerät 100 in 1 gesucht wird. 4A und 4B sind Zeitablaufdiagramme, welche jenem in 3 entsprechen.
  • Das Halbleiter-Testgerät 100 wird zum Beginnen der Überprüfung initialisiert. Wie in 4A dargestellt, werden alle Adressperioden zunächst auf die gleiche Amplitude ΔVn initialisiert, und dann wird die Amplitude ΔVn stufenförmig geändert (S10 in 3). Wenn die Amplitude ΔVn einen bestimmten Pegel erreicht, wird die DUT 200 durch den Entscheidungsprozessor 30 als Nicht-Bestanden bestimmt. Die Rauschsteuereinheit 26 erlangt den Pegel von der Amplitude ΔVn zu diesem Zeitpunkt (im Folgenden als eine Nicht-Bestanden-Spannung Vf bezeichnet) (S12). Zusätzlich hierzu erlangt die Rauschsteuereinheit 26 jenen Pegel der Amplitude ΔVn, bei welchem die DUT 200 unmittelbar vor dem Nicht-Bestanden bestanden hat (im Folgenden als eine Bestanden-Spannung Vp bezeichnet) (S12).
  • Wenn die DUT 200 als Nicht-Bestanden bestimmt ist, erlangt die Nicht-Bestanden-Adresse-Erlangungseinheit 28 die Musteradresse (Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F), bei welcher das Nicht-Bestanden auftrat (S14). 4A zeigt einen Zustand an, bei welchem das Nicht-Bestanden in der Musteradresse ADD = 5 auftrat, wenn die Amplitude ΔVn auf eine bestimmte Nicht-Bestanden-Spannung Vf eingestellt ist. In diesem Fall wird die Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F auf 5 eingestellt.
  • Nachfolgend stellt die Rauschsteuereinheit 26 zumindest eine der Musteradressen ADDs vor die Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F auf die Testadresse ADD_T ein (S16). Die Testadresse ADD_T kann eine einzelne Musteradresse ADD sein oder aufeinanderfolgende mehrfache Musteradressen ADDs enthalten. Alternativ kann die Testadresse ADD_T mehrere Musteradressen ADDs enthalten, welche nicht aufeinanderfolgend sind.
  • Die Rauschsteuereinheit 26 stellt die Amplitude ΔVn in der Adressperiode entsprechend der Testadresse ADD_T auf die Bestanden-Spannung Vp ein. Die Rauschsteuereinheit 26 stellt die Amplitude ΔVn in der Adressperiode entsprechend der Musteradresse, welche sich von der Testadresse ADD_T unterscheidet, auf die Nicht-Bestanden-Spannung Vf ein (S18). Durch diese Verarbeitung wird die Amplitude ΔVn der Rauschspannung Vn in der Adressperiode entsprechend der Testadresse ADD_T auf klein eingestellt. 4B stellt beispielhaft die Leistungsversorgungsspannung Vddn dar, wenn ADD_T = 3 ist. Die Amplitude ΔVn in der Adressperiode entsprechend der Musteradresse ADD = 3 wird auf die Bestanden-Spannung Vp eingestellt, und der Rest wird auf die Nicht-Bestanden-Spannung Vf eingestellt.
  • Der Entscheidungsprozessor 30 gibt ein Testmuster an die DUT 200 aus, um zu veranlassen, dass die DUT 200 abermals die Testsequenz ausführt (S20). In diesem Fall wird der Leistungsversorgungsspannung Vdd, welche der DUT 200 zuzuführen ist, ein Rauschen überlagert, welches in Schritt S18 eingestellt ist. Nach dem Neubestimmen des Bestanden/Nicht-Bestanden der DUT 200 (S22) wird, wenn die DUT 200 als Bestanden bestimmt ist (S22/JA), der Test abgeschlossen, nachdem die Testadresse ADD_T zu diesem Zeitpunkt gespeichert ist. Der Entwerfer von der DUT 200 kann einen Schaltungsblock, welcher geringe Rauschwiderstandseigenschaften in der DUT 200 hat, anhand der schließlich gespeicherten Testadresse ADD_T spezifizieren.
  • Wenn die DUT 200 beispielsweise mit einem Abtast-Flip-Flop bereitgestellt ist, kann ein Logik-Gate, welches eine Verarbeitung entsprechend der Testadresse ADD_T ausführt, spezifiziert werden. Andererseits, sogar wenn die DUT 200 nicht mit einem Abtast-Flip-Flop bereitgestellt ist, kann ein Logik-Gate, welches in einer bestimmten Musteradresse aktiv wird, durch eine Simulation spezifiziert werden.
  • Resultierend aus der Bestimmung eines Bestanden/Nicht-Bestanden S22, wird, wenn die DUT 200 als Nicht-Bestanden bestimmt wird (S22/JA), eine weitere Musteradresse als die Testadresse ADD_T rekonfiguriert, wobei auf Schritt S16 zurückgekehrt wird. Die Schritte S18 bis S22 werden in dem Zustand ausgeführt, wodurch ein Bestanden/Nicht-Bestanden von der DUT 200 neu bestimmt wird (S22).
  • Gemäß dem Ablaufdiagramm in 3 kann ein Adressmuster, welches im Vergleich zu Rauschen schwach ist, spezifiziert werden, indem die Testadresse ADD_T geändert wird, bis das Nicht-Bestanden nicht in der Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F, welche im Schritt S14 erlangt ist, auftritt.
  • Nachfolgend wird ein spezifisches Beispiel des Suchalgorithmus (Schritte S16 bis S22), bei welchem nach einer Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, gesucht wird, beschrieben. Der Algorithmus wird durch die Rauschsteuereinheit 26, die Nicht-Bestanden-Adresse-Erlangungseinheit 28 und den Entscheidungsprozessor 30 ausgeführt. 5 ist ein Ablaufdiagramm, welches den Suchalgorithmus darstellt, durch welchen nach der Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, gesucht wird. Das Ablaufdiagramm in 5 stellt die Verarbeitung nach dem Schritt S16 in 3 dar. 6A und 6B sind Tabellen, welche Übergänge von der Amplitude ΔVn in dem Suchalgorithmus in 5 darstellen.
  • In der folgenden Beschreibung wird die Amplitude der Rauschspannung Vn in der i-ten Adressperiode als ΔVn [i] beschrieben. Zunächst werden die Amplituden ΔVns [1: ADD_F] in den Adressperioden der Musteradressen 1 bis ADD_F auf die Nicht-Bestanden-Spannung Vf eingestellt (S30).
  • Danach wird die Schleife 1 (S32 bis S38) ausgeführt. In der Schleife 1 wird die Variable i, unter der Annahme, dass der Anfangswert gleich ADD_F ist, verringert, beträgt der Zielwert gleich 1 und beträgt die Differenz gleich 1. In der Schleife wird ΔVn [i] in der Adressperiode der i-ten Musteradresse auf die Bestanden-Spannung Vp eingestellt (S34). Danach wird veranlasst, dass die DUT 200 die Testsequenz ausführt (S36). Daraus folgend, wenn die DUT 200 als Bestanden bestimmt ist (S38/JA), durchläuft die Verarbeitung durch die Schleife 1 um zum Schritt 42 zu gelangen, welches im Folgenden beschrieben wird. Wenn die DUT 200 als Nicht-Bestanden bestimmt ist (S38/NEIN), kehrt die Verarbeitung zum Schritt S32 zurück, so dass die Variable i verringert wird. Wenn die Verarbeitung nicht durch die Schleife 1 durchläuft, sogar wenn die Variable i den Zielwert 1 erreicht, gelangt die Suche zu einem Nicht-Bestanden (S40), wodurch die Verarbeitung beendet wird.
  • Die Amplitude ΔVn macht Übergänge, wie in 6A gezeigt, indem die Schleife 1 wiederholt wird. 6A stellt den Fall dar, bei welchem ADD_F = 5 gilt. Es wird angenommen, dass, resultierend aus der Wiederholung der Schleife 1, die Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F auf Bestanden geändert wird (BESTANDEN), wenn i = 2 ist, und dass die DUT 200 als Bestanden bestimmt wird.
  • Wenn die DUT 200 als Bestanden bestimmt ist (S38/JA), wird die aktuelle Variable i auf eine Startadresse ADD_S eingestellt (S42). Nachfolgend werden die Amplituden ΔVns [1: ADD_F] in den Adressperioden der Musteradressen 1 bis ADD_F auf die Nicht-Bestanden-Spannung Vf eingestellt (S44). Danach wird die Schleife 2 ausgeführt. In der Schleife 2 wird die Variable i verringert, unter der Annahme, dass der Anfangswert gleich ADD_S ist, beträgt der Zielwert gleich ADD_F und beträgt die Differenz gleich 1. In der Schleife wird ΔVn [i] in der Adressperiode der i-ten Musteradresse auf die Bestanden-Spannung Vp eingestellt (S48). Danach wird veranlasst, dass die DUT die Testsequenz ausführt (S50). Daraus folgend, wenn die DUT 200 als Bestanden bestimmt ist (S52/JA), durchläuft die Verarbeitung durch die Schleife 2, um zum Schritt S56 zu gelangen. Wenn die DUT 200 als Nicht-Bestanden bestimmt ist (S52/NEIN), kehrt die Verarbeitung zum Schritt S46 zurück, so dass die Variable i erhöht wird.
  • Die Amplitude ΔVn macht Übergänge, wie in 6B gezeigt, indem die Schleife 2 wiederholt wird. 6B stellt den Fall dar, bei welchem ADD_F = 5 gilt und ADD_S = 2 gilt. Resultierend aus der Wiederholung der Schleife 2 wird angenommen, dass die DUT 200 als Bestanden bestimmt wird, wenn i = 4 gilt (S52/JA). Nachfolgend wird die aktuelle Variable i auf eine Endadresse ADD_E eingestellt (S56). Wenn die Verarbeitung nicht durch die Schleife 2 durchläuft, sogar wenn die Variable i den Zielwert ADD_E erreicht, wird die Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F auf die Endadresse ADD_E eingestellt, wobei die Suchverarbeitung beendet wird.
  • Resultierend aus dem zuvor genannten Suchalgorithmus können die Startadresse ADD_S und die Endadresse ADD_E spezifiziert werden. Die Startadresse ADD_S zeigt den Startpunkt von der Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, an, während die Endadresse ADD_E den Endpunkt davon anzeigt. Der Entwerfer von der DUT 200 kann einen Schaltungsblock, welcher in der DUT 200 geringe Rauschwiderstandseigenschaften hat, anhand der Startadresse ADD_S und der Endadresse ADD_E abschätzen. Gemäß dem zuvor genannten Algorithmus kann eine Mehrzahl von Schaltungsblöcken, welche im Vergleich zum Rauschen schwach sind, wenn überhaupt welche vorliegen, mit Bestimmtheit spezifiziert werden.
  • Zu dem zuvor genannten Suchalgorithmus können folgende Variationen vorgenommen werden:
    • (1) Als einfachste Variation kann nach einem Zustand, bei welchem die DUT 200 als Bestanden bestimmt ist, gesucht werden, indem eine oder aufeinanderfolgende mehrfache Testadressen ADD_T Stück für Stück nach vorne verschoben werden, wobei die Nicht-Bestanden-Adresse ADD_F der Startpunkt ist; und
    • (2) es kann eine Binär-Suche durchgeführt werden, bei welcher die Musteradressen 1 bis ADD_F zunächst auf zwei unterteilt werden, und eine von den zweien auf die Testadresse ADD_T eingestellt wird, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden davon zu bestimmen. Die Testadresse ADD_T, bei welcher resultierend aus der ersten Bestimmung bestimmt ist, dass sie bestanden ist, wird ferner auf zwei unterteilt, um ein Bestanden/Nicht-Bestanden davon zu bestimmen. Durch eine wiederholte Ausführung dieser Verarbeitung kann der Bereich von einer Musteradresse, welche im Vergleich zum Rauschen schwach ist, spezifiziert werden. Der Algorithmus in 6, jene wie in den zuvor genannten Punkten (1) und (2) beschrieben, und ein jeglicher weiterer Algorithmus können unabhängig voneinander oder in Kombination verwendet werden.
  • Bei den zuvor genannten Ausführungsformen wird angenommen, dass sie lediglich darstellhaft sind. Der Fachmann wird anerkennen, dass verschiedene Modifikationen auf die Bauteilelemente und Verarbeitungen entwickelt werden können, und dass solche Modifikationen innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung sind. Im Folgenden werden solche Modifikationen beschrieben.
  • In der Ausführungsform wird dem Rauschgenerator 20 die Rauschspannung Vn auf der positiven Elektrodenseite der Spannung, welche durch die Spannungsquelle 10 erzeugt ist, überlagert, wobei sie nicht hierauf beschränkt ist. Beispielsweise kann die Puls-Überlagerungseinheit 24 an der negativen Elektrodenseite angeordnet sein. In diesem Fall kann der Test hinsichtlich eines Masserauschens durchgeführt werden, welcher bei den herkömmlichen Halbleiter-Testgeräten nicht durchgeführt wird. Ebenfalls wurde in der Ausführungsform beschrieben, dass die Rauschspannung Vn die Leistungsversorgungsspannung Vdd an die negative Seite versetzt, wie in 2 dargestellt; jedoch kann das Rauschen, welches die Leistungsversorgungsspannung Vdd an die positive Seite versetzt, indem die Spannung Vdd erhöht wird, überlagert werden.
  • In der Ausführungsform wurde der Fall beschrieben, bei welchem die Frequenz der Rauschspannung Vn, welche durch den Pulsgenerator 22 erzeugt wird, gleich jener des Taktsignals CK ist, welches der DUT 200 zuzuführen ist. Wenn der interne Takt von der DUT 200 auf einen Wert eingestellt wird, welcher erlangt wird, indem das Taktsignal CK mit einer Ganzzahl n multipliziert wird, kann der Pulsgenerator 22 die Rauschspannung Vn erzeugen, welche durch Multiplizieren des Taktsignals CK mit n erlangt wird.
  • Die vorliegende Erfindung wurde basierend auf den Ausführungsformen beschrieben, welche lediglich dazu dienen, das Prinzip und die Anwendungen von der Erfindung darzustellen, und eine Vielzahl von Modifikationen und Variationen in der Anordnung können auf die Ausführungsformen innerhalb des Bereiches, welcher nicht vom Umfang der Erfindung, wie in den anliegenden Ansprüchen spezifiziert, abweicht, vorgenommen werden.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Die vorliegende Erfindung kann für eine Halbleiter-Testtechnik verwendet werden.
  • Zusammenfassung
  • In einem Halbleiter-Testgerät 100 erzeugt eine Spannungsquelle 10 eine Leistungsversorgungsspannung, welche einer DUT 200 zuzuführen ist. Ein Entscheidungsprozessor 30 veranlasst, dass die DUT 200 eine vorbestimmte Testsequenz ausführt. Ein Rauschgenerator 20 überlagert eine periodische, pulsähnliche Rauschspannung Vn auf die Leistungsversorgungsspannung Vdd, welche der DUT 200 zuzuführen ist, während die Testsequenz ausgeführt wird. Der Rauschgenerator 20 überlagert eine Rauschspannung Vn, welche mit einem Taktsignal CK synchronisiert ist, welches der DUT 200 zuzuführen ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 6-308197 [0003]

Claims (13)

  1. Halbleiter-Testgerät, welches enthält: eine Spannungsquelle, welche eine Leistungsversorgungsspannung erzeugt, welche einer zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist; einen Entscheidungsprozessor, welcher bei der zu testenden Vorrichtung veranlasst, eine vorbestimmte Testsequenz auszuführen; und einen Rauschgenerator, welcher eine impulsähnliche Rauschspannung auf die Leistungsversorgungsspannung, welche der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, überlagert, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  2. Halbleiter-Testgerät, welches enthält: eine Spannungsquelle, welche eine Leistungsversorgungsspannung erzeugt, welche einer zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist; einen Entscheidungsprozessor, welcher bei der zu testenden Vorrichtung veranlasst, eine vorbestimmte Testsequenz auszuführen; und einen Rauschgenerator, welcher eine periodische, pulsähnliche Rauschspannung auf die Leistungsversorgungsspannung, welche der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, überlagert, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  3. Halbleiter-Testgerät nach Anspruch 1 oder 2, bei welchem der Rauschgenerator eine Rauschspannung, welche mit einem Taktsignal synchronisiert ist, welches der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, überlagert.
  4. Halbleiter-Testgerät nach Anspruch 3, welches ferner einen Oszillator enthält, welcher ein Taktsignal erzeugt, welches der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, wobei der Rauschgenerator eine Rauschspannung in Synchronisation mit dem Taktsignal von dem Oszillator erzeugt.
  5. Halbleiter-Testgerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei welchem der Entscheidungsprozessor ein Testmuster erzeugt, welches durch eine Adresse zu jeder vorbestimmten Einheitszeit erkannt werden kann, so dass das Testmuster der zu testenden Vorrichtung zugeführt wird, und wobei der Rauschgenerator derart konfiguriert ist, dazu in der Lage zu sein, die Amplitude von der Rauschspannung unabhängig zu jeder Einheitszeit des Testmusters einzustellen.
  6. Halbleiter-Testgerät nach Anspruch 5, welches ferner enthält: eine Nicht-Bestanden-Adresse-Erlangungseinheit, welche, wenn die zu testende Vorrichtung als Nicht-Bestanden bestimmt ist, eine Adresse von einem Testmuster erlangt, bei welchem das Nicht-Bestanden auftrat; und eine Rauschsteuereinheit, welche die Amplitude von der Rauschspannung zu jeder Einheitszeit basierend auf einer Nicht-Bestanden-Adresse, welche die Adresse bestimmt, bei welcher das Nicht-Bestanden auftrat, rekonfiguriert, wobei der Entscheidungsprozessor ein Bestanden oder Nicht-Bestanden von der zu testenden Vorrichtung in einem Zustand neu bestimmt, bei welchem die Amplitude von der derart rekonfigurierten Rauschspannung überlagert ist.
  7. Halbleiter-Testgerät nach Anspruch 6, bei welchem die Rauschsteuereinheit zumindest eine Adresse vor der Nicht-Bestanden-Adresse als eine Testadresse einstellt, so dass die Amplitude von der Rauschspannung in einer Adressperiode, welche der Testadresse entspricht, klein eingestellt wird.
  8. Halbleiter-Testgerät nach Anspruch 7, bei welchem die Rauschsteuereinheit die Testadresse abtastet, bis die zu testende Vorrichtung, resultierend aus der Neubestimmung durch den Entscheidungsprozessor, als Bestanden bestimmt ist.
  9. Halbleiter-Testverfahren, welches enthält: Veranlassen, dass eine zu testende Vorrichtung eine vorbestimmte Testsequenz ausführt, um ein Bestanden oder Nicht-Bestanden von der zu testenden Vorrichtung zu bestimmen; und Überlagern von einer impulsähnlichen Rauschspannung auf eine Leistungsversorgungsspannung, welche der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  10. Halbleiter-Testverfahren, welches enthält: Veranlassen, dass eine zu testende Vorrichtung eine vorbestimmte Testsequenz ausführt, um ein Bestanden oder Nicht-Bestanden von der zu testenden Vorrichtung zu bestimmen; und Überlagern von einer periodischen, pulsähnlichen Rauschspannung auf eine Leistungsversorgungsspannung, welche der zu testenden Vorrichtung zuzuführen ist, während die Testsequenz ausgeführt wird.
  11. Halbleiter-Testverfahren nach Anspruch 9 oder 10, welches ferner enthält: Erlangen, wenn die DUT als Nicht-Bestanden bestimmt ist, von einer Adresse eines Testmusters, bei welchem das Nicht-Bestanden auftrat; Einstellen von zumindest einer Adresse vor der Nicht-Bestanden-Adresse, welche die Adresse bestimmt, bei welcher das Nicht-Bestanden auftrat, als eine Testadresse, so dass die Amplitude von der Rauschspannung in einer Periode entsprechend der Testadresse klein eingestellt wird; und Veranlassen, dass die zu testende Vorrichtung die Testsequenz mit einer derart eingestellten Rauschspannung neu ausführt.
  12. Halbleiter-Testverfahren nach Anspruch 11, bei welchem das Einstellen von zumindest einer Adresse als eine Testadresse wiederholt wird, bis die zu testende Vorrichtung als Bestanden bestimmt wird.
  13. Halbleiter-Testverfahren, welches enthält: Erzeugen eines Testmusters, welches zu jeder vorbestimmten Einheitszeit durch eine Adresse erkannt wird; Bestimmen eines Bestehens oder Nicht-Bestehens einer zu testenden Vorrichtung unter Verwendung des Testmusters in einem Zustand, bei welchem eine Rauschspannung, welche mit der Einheitszeit synchronisiert ist, auf eine Leistungsversorgungsspannung überlagert wird, welche der zu testenden Vorrichtung zugeführt wird; Erlangen, wenn die zu testende Vorrichtung als Bestanden bestimmt ist, der Amplitude von der Rauschspannung als eine Bestanden-Spannung; Erlangen, wenn die zu testende Vorrichtung als Nicht-Bestanden bestimmt ist, der Amplitude von der Rauschspannung als eine Nicht-Bestanden-Spannung; Einstellen der Amplitude von der Rauschspannung als die Nicht-Bestanden-Spannung mit Bezug auf zumindest eine Einheitszeit des Testmusters, und Einstellen derer als die Bestanden-Spannung mit Bezug auf eine verbleibende Einheitszeit; und Neubestimmen eines Bestehens oder Nicht-Bestehens der zu testenden Vorrichtung in einem Zustand, bei welchem die Rauschspannung, welche beim Einstellen eingestellt ist, überlagert wird, wobei das Einstellen der Amplitude von der Rauschspannung und das Neubestimmen des Bestehens oder Nicht-Bestehens von der zu testenden Vorrichtung wiederholt ausgeführt werden.
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