WO2010029597A1 - 試験装置および回路システム - Google Patents

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WO2010029597A1
WO2010029597A1 PCT/JP2008/002509 JP2008002509W WO2010029597A1 WO 2010029597 A1 WO2010029597 A1 WO 2010029597A1 JP 2008002509 W JP2008002509 W JP 2008002509W WO 2010029597 A1 WO2010029597 A1 WO 2010029597A1
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power supply
control pattern
current
device under
test
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PCT/JP2008/002509
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山本和弘
岡安俊幸
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株式会社アドバンテスト
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    • G11C29/12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/12005Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising voltage or current generators
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    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C2029/5602Interface to device under test

Definitions

  • the present invention relates to a power supply stabilization technique.
  • DUT semiconductor integrated circuits
  • CPU Central Processing Unit
  • DSP Digital Signal Processor
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • the power supply circuit that supplies the power supply voltage to the DUT is configured using a regulator, and ideally, a constant power supply voltage can be supplied regardless of the load current.
  • an actual power supply circuit has an output impedance that cannot be ignored, and an impedance component that cannot be ignored exists between the power supply circuit and the DUT, so that the power supply voltage fluctuates due to load fluctuations.
  • Power supply voltage fluctuation has a serious impact on the DUT test margin.
  • fluctuations in the power supply voltage affect the operation of other circuit blocks in the test apparatus, such as a pattern generator that generates a pattern to be supplied to the DUT, and a timing generator that controls the pattern transition timing. Deteriorating accuracy.
  • Patent Document 1 JP 2007-205813 A
  • the present invention has been made in view of these problems, and one of its purposes is to provide a test apparatus capable of compensating for power supply voltage fluctuations.
  • the circuit system includes a semiconductor device, a main power supply that supplies a power supply voltage to a power supply terminal of the semiconductor device, a control pattern generation unit that generates a control pattern including a pulse train, and a main power supply intermittently according to the control pattern.
  • Still another embodiment of the present invention is also a circuit system.
  • This circuit system includes a semiconductor device, a main power supply that supplies a power supply voltage to a power supply terminal of the semiconductor device, a control pattern generation unit that generates a control pattern including a pulse train, and intermittently from the main power supply according to the control pattern.
  • a compensation circuit that draws a part of the power supply current of the semiconductor device as a compensation current to a path different from that of the semiconductor device.
  • the control pattern generation unit is built in the semiconductor device, and the duty ratio of the pulse train may be changed according to the operation state of the semiconductor device.
  • the test apparatus includes a main power source that supplies a power source voltage to a power source terminal of a device under test, a control pattern generation unit that generates a control pattern including a pulse train, and intermittently different from the main power source according to the control pattern.
  • a compensation circuit for injecting a compensation current (compensation charge) from the path to the power supply terminal of the device under test.
  • Duty ratio means a time ratio between a high level and a low level of a pulse, and is a concept including not only a time ratio within one period but also an average time ratio of a plurality of periods.
  • the control pattern generation unit may output a control pattern for changing the compensation current to the compensation circuit a predetermined time before the timing when the current flowing into the power supply terminal of the device under test changes. There may be a delay from when the compensation current starts to flow after the control pattern is applied until the power supply voltage is affected. In this case, the fluctuation of the power supply voltage can be further suppressed by giving the control pattern in consideration of the delay.
  • the predetermined time may be determined as follows. 1. In a state where the device under test performs an operation in which the power supply voltage does not change, a control pattern for changing the compensation current is output to the compensation circuit at the first timing. 2. Subsequently, a second timing at which the electrical characteristics of the device under test change as a result of giving the control pattern is detected. 3. A predetermined time is set according to the time difference between the first timing and the second timing.
  • the change in electrical characteristics that occurs in the device under test may be the timing of data output from the device under test (output timing). Alternatively, it may be the frequency of a ring oscillator built in the device under test.
  • the wiring length between the compensation circuit and the device under test may be shorter than the wiring length between the main power supply and the device under test. In this case, since the compensation circuit is not affected by the impedance between the main power supply and the device under test, the compensation circuit can compensate even for a high frequency power supply fluctuation.
  • the compensation circuit is provided between the voltage source that generates a voltage higher than the power supply voltage generated by the main power supply, and between the output terminal of the voltage source and the power supply terminal of the device under test, and is switched on and off according to the control pattern.
  • the compensation circuit may include a current source that generates a predetermined constant current, and a switch that is provided between the current source and the power supply terminal of the device under test and that is switched on and off according to the control pattern.
  • the test apparatus includes a main power source that supplies a power source voltage to a power source terminal of a device under test, a control pattern generation unit that generates a control pattern including a pulse train, and a power source current from the main power source intermittently according to the control pattern. And a compensation circuit that pulls in a path different from that of the device under test.
  • the compensation circuit is provided between the voltage source that generates a voltage higher than the power supply voltage generated by the main power supply, and between the output terminal of the voltage source and the power supply terminal of the device under test, and is switched on and off according to the control pattern.
  • the compensation circuit may include a current source that generates a predetermined constant current, and a switch that is provided between the current source and the power supply terminal of the device under test and that is switched on and off according to the control pattern.
  • the test apparatus includes a main power source that supplies a power source voltage to a power source terminal of a device under test, a control pattern generation unit that generates a control pattern including a pulse train, and a power source current from the main power source intermittently according to the control pattern. And a compensation circuit that draws a part of the signal to a path different from that of the device under test as a compensation current.
  • the compensation circuit may include a switch provided between both terminals of the main power supply and switched on and off according to the control pattern.
  • control pattern may be generated as follows.
  • the control pattern generation unit may change the duty ratio of the pulse train according to the operating state of the device under test.
  • the control pattern may be generated as follows. 1. A computer calculates a current flowing in a state where a predetermined test pattern is given to the device under test. 2. The continuous component of the power supply current is subtracted from the current for each cycle, and the amount of compensation current for each cycle is calculated according to the result. 3. The control pattern is defined by pattern modulation so that the calculated amount of compensation current for each cycle can be obtained. The control pattern thus defined is stored in the memory. When a predetermined test pattern is supplied to the device under test, it is possible to compensate for fluctuations in the power supply voltage by reading out a control pattern defined correspondingly.
  • the control pattern generation unit may change the duty ratio of the pulse train so that the difference between the current flowing into the power supply terminal of the device under test and the compensation current injected by the compensation circuit is continuous in time.
  • the control pattern generation unit may change the duty ratio of the pulse train so that the difference between the current flowing into the power supply terminal of the device under test and the compensation current injected by the compensation circuit is constant over time.
  • the control pattern generation unit may change the duty ratio of the pulse train so that the sum of the current flowing into the power supply terminal of the device under test and the compensation current drawn by the compensation circuit is continuous in time.
  • the control pattern generation unit causes the pulse train so that the compensation current drawn by the compensation circuit increases gradually in time prior to the certain timing.
  • the duty ratio may be changed.
  • the compensation current drawn by the compensation circuit is a wasteful current. However, if this control is performed, the wasteful current can be reduced.
  • control pattern generation unit determines the duty of the pulse train so that the compensation current drawn by the compensation circuit gradually decreases after a certain timing.
  • the ratio may be varied.
  • the control pattern generation unit determines that the compensation current drawn by the compensation circuit is temporally from the first value to the second value prior to the certain period.
  • the pulse train gradually increases to take a third value smaller than the second value for a certain period, and gradually decreases from the second value to the fourth value after a certain period.
  • the duty ratio may be changed.
  • the control pattern generation unit may superimpose noise on the power supply voltage supplied to the power supply terminal of the device under test. In this case, the tolerance of the device under test against noise can be inspected.
  • the control pattern generation unit may change the impedance when the power supply terminal is viewed from the power supply terminal by changing the duty ratio of the pulse train.
  • the power supply installed in the test equipment and the power supply that supplies the voltage to the device under test during actual use may differ in performance such as output impedance, and the performance of the power supply during actual use is usually that of the test equipment. It is inferior compared. By changing the duty ratio of the pulse train, the performance of the power supply during actual use can be emulated.
  • the test apparatus may further include a pattern generator that generates a test pattern to be output to the device under test.
  • the control pattern may be defined in advance for each test pattern.
  • the test apparatus may further include a pattern generator that generates a test pattern to be output to the device under test.
  • the control pattern generation unit may generate the control pattern in synchronization with the test pattern.
  • the control pattern generation unit may generate the pulse train using any of ⁇ modulation, pulse width modulation, and pulse density modulation.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a test apparatus according to a first embodiment. It is a flowchart which shows the production
  • the state in which the member A is connected to the member B means that the member A and the member B are physically directly connected, or the member A and the member B are in an electrically connected state. Including the case of being indirectly connected through other members that do not affect the above.
  • the state in which the member C is provided between the member A and the member B refers to the case where the member A and the member C or the member B and the member C are directly connected, as well as an electrical condition. It includes the case of being indirectly connected through another member that does not affect the connection state.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a test apparatus 200 according to the first embodiment.
  • FIG. 1 shows a semiconductor device (hereinafter referred to as a DUT) 100 to be tested.
  • a DUT semiconductor device
  • the DUT 100 includes a plurality of pins, one of which is a power supply terminal 102 for receiving the power supply voltage Vdd, and one of which is a ground terminal 104.
  • the plurality of I / O terminals 106 are provided for receiving data from the outside or for outputting data to the outside, and at the time of testing, receive a test pattern output from the test apparatus 200 or test patterns. Is output to the test apparatus 200.
  • the test apparatus 200 includes a compensation circuit 20 and a control pattern generation unit 22 in addition to the main power source 10, the pattern generator 12, the timing generator TG and the waveform shaper FC (hereinafter referred to as 14), and the driver 16. Prepare.
  • the configurations and functions of the main power supply 10, the pattern generator 12, the timing generator 14, and the driver 16 are the same as those of a general test apparatus, and will be described briefly. Hereinafter, a case where the DUT 100 is a memory will be described.
  • the main power supply 10 generates a power supply voltage Vdd to be supplied to the power supply terminal 102 of the DUT 100.
  • the main power supply 10 is configured by a linear regulator, a switching regulator, or the like, and feedback-controls the power supply voltage Vdd supplied to the power supply terminal 102 so as to match the target value.
  • Capacitor Cs is provided to smooth power supply voltage Vdd.
  • the main power supply 10 generates a power supply voltage for the other blocks inside the test apparatus 200 in addition to the power supply voltage for the DUT 100.
  • the test apparatus 200 includes a plurality of n channels CH1 to CHn, some of which are assigned to the plurality of I / O terminals 106 of the DUT 100. Each of the timing generator 14 and the driver 16 is provided for each channel.
  • the pattern generator 12 generates a timing set signal (hereinafter referred to as “TS signal”) and supplies it to the timing generator 14.
  • the timing generator 14 generates a periodic clock and a delay clock (not shown) based on the timing data specified by the TS signal, supplies the periodic clock to the pattern generator 12, and supplies the delayed clock to the waveform shaper 14. Supply.
  • the pattern generator 12 generates an address indicating the storage area of the DUT 100 and a test pattern to be written, and supplies it to the waveform shaper 14.
  • the waveform shaper 14 adjusts the timing of the test pattern generated by the pattern generator 12 based on the delay clock supplied from the timing generator 14 and performs waveform shaping.
  • the driver 16 receives the address and test pattern output from the waveform shaper 14 and supplies them to the I / O terminal 106 of the DUT 100.
  • the data read from the DUT 100 is compared with an expected value in a comparison / determination unit (not shown), and the quality of the DUT 100 is determined and a defective part is specified.
  • the above is the outline of the test apparatus 200.
  • the DUT 100 is configured using CMOS (Complementary Metal Metal Oxide Semiconductor) technology, and current consumption varies depending on the operation state. If the current flowing through the DUT 100 fluctuates rapidly, the feedback from the main power supply 10 cannot follow, causing a problem that the power supply voltage Vdd fluctuates. Compensation circuit 20 and control pattern generation unit 22 described below are provided to suppress fluctuations in power supply voltage Vdd.
  • CMOS Complementary Metal Metal Oxide Semiconductor
  • the control pattern generation unit 22 generates a control pattern CNT including a pulse train. A part of the pattern generator 12 and the timing generator 14 is used to generate the control pattern CNT. In the test apparatus 200 of FIG. 1, the control pattern generator 22 generates the timing of the pattern generator 12 and the nth channel CHn. configured to include a vessel 14 n.
  • the compensation circuit 20 intermittently injects the compensation current Icmp into the power supply terminal 102 of the DUT 100 from a path different from the main power supply 10 according to the pulse train of the control pattern CNT.
  • the compensation circuit 20 includes a voltage source 20a and a switch 20b.
  • the voltage source 20 a generates a voltage Vcmp that is higher than the power supply voltage Vdd generated by the main power supply 10.
  • the switch 20b is provided between the output terminal of the voltage source 20a and the power supply terminal 102 of the DUT 100, and is configured using a bipolar transistor or a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
  • the switch 20b is switched on and off according to the pulse train of the control pattern CNT.
  • the switch 20b is disposed in the vicinity of the DUT 100.
  • the wiring length between the switch 20 b and the power supply terminal 102 of the DUT 100 is shorter than the wiring length of the main power supply 10 and the power supply terminal of the DUT 100.
  • An element for adjusting the amount of the compensation current Icmp such as a resistor or a current source, may be provided in series with the switch 20b or inside the switch 20b.
  • a current source that generates a predetermined current may be used instead of the voltage source 20a.
  • the control pattern generation unit 22 changes the duty ratio of the pulse train of the control pattern CNT according to the operation state of the DUT 100. Since the operation state of the DUT 100 is controlled according to the test pattern supplied to the I / O terminal 106, the control pattern generation unit 22 generates a pulse train control pattern CNT according to the test pattern, and sends this to the switch 20b. And may be supplied.
  • the difference between the operating current (also referred to as current consumption) Idis flowing into the power supply terminal 102 of the DUT 100 and the compensation current Icmp according to the charge injected by the compensation circuit 20 (Idis ⁇ Icmp) is continuous.
  • the duty ratio of the pulse train is changed so that the power supply current Idd output from the main power supply 10 is continuous in time. More preferably, the duty ratio of the pulse train is changed so that the difference in current (Idis ⁇ Icmp) is constant over time.
  • the control pattern generation unit 22 generates a pulse train of the control pattern CNT using any of pulse modulation including ⁇ modulation, pulse width modulation, and pulse density modulation.
  • the timing generator 14 mounted on the test apparatus 200 can adjust the timing of the positive edge and the pulse width for each test cycle, that is, for each individual pulse. There is an advantage that the pulse train can be easily generated without adding an additional circuit.
  • the duty ratio of the pulse train may be adjusted by another modulation method such as pulse frequency modulation (PFM).
  • PFM pulse frequency modulation
  • FIG. 2 is a flowchart showing a method for generating the control pattern CNT.
  • the DUT is modeled using a circuit simulator, and the operating current Idis and the operating rate for each test cycle when a predetermined test pattern is given are calculated (S100).
  • the operating rate and the operating current Idis can also be calculated from the number of operating transistors and the current amount of each transistor.
  • a current compensation amount (or voltage compensation amount) necessary for each cycle is calculated (S104).
  • the compensation amount obtained in this way is converted into a pattern train (pulse train) of 1 and 0 by ⁇ modulation, pulse width modulation, pulse density modulation, etc. (S106).
  • the pattern sequence thus obtained is held together with the test pattern as a control pattern CNT for a predetermined test pattern (S108).
  • FIG. 3 is a time chart showing an operation state of the test apparatus 200 of FIG.
  • the timing and amount of fluctuation of the consumption current Idis can be predicted by the above-described circuit simulation or the like, and the control pattern CNT modulated so as to cancel the fluctuation amount of the consumption current Idis is output from the pattern generator 12 together with the test pattern. Is output.
  • an intermittent compensation current Icmp is injected.
  • FIG. 3 shows an intermittent compensation current envelope (or average value).
  • the compensation current Icmp cancels the fluctuation of the consumption current Idis, and the power supply current Idd flowing from the main power supply 10 to the power supply terminal 102 is kept constant. As a result, the fluctuation of the power supply voltage Vdd can be suppressed.
  • the fluctuation of the consumption current Idis of the DUT 100 can be canceled and the fluctuation of the power supply voltage Vdd can be suppressed.
  • the test accuracy can be increased.
  • Patent Document 1 This technology has the following advantages over the conventional technology represented by Patent Document 1.
  • a capacitor Cs is connected to the power supply terminal 102 of the DUT 100. Therefore, in the method of changing the target value of the power supply voltage according to the test pattern as in the prior art, the fluctuation compensation of the consumption current is delayed by the time constant of the capacitor Cs. Also in the embodiment, there is a delay between the timing at which the control pattern CNT in the switch 20b is applied and the timing at which the compensation current Icmp corresponding to the timing cancels the fluctuation of the consumption current Idis.
  • the compensation control pattern since a compensation control pattern is generated separately from the test pattern given to the DUT, the compensation control pattern can be preceded with respect to the test pattern in consideration of the delay. . As a result, it is possible to improve the followability with respect to load fluctuations as compared with the prior art, and to suppress fluctuations in the power supply voltage Vdd.
  • the temporal advance amount for the test pattern of the compensation control pattern can be determined according to the following flow.
  • Step 1 A test pattern that does not change the power supply voltage is supplied to the DUT 100, and in this state, the compensation control pattern is switched at a certain timing to intentionally change the power supply voltage.
  • the compensation control pattern a pattern generated according to the flow of FIG. 2 based on the test pattern for changing the power supply voltage can be used.
  • Step 2 When the power supply voltage fluctuates in the state of step 1, the state of the DUT circuit changes accordingly.
  • the time difference between the change timing of the circuit state and the timing of switching the control pattern according to the change of the power supply voltage is set as the preceding amount.
  • a change in the state of the circuit can be detected by the following method.
  • the output timing sweeps the timing of the strobe signal that latches each bit of the output data at a predetermined time interval, and determines whether or not the latched data string for each strobe signal timing matches the expected value. Can be detected. This can be realized by using a general function installed in the test apparatus.
  • the multi-strobe function is a function that generates a multi-phase strobe signal sequence per data cycle and latches data at the timing of each strobe signal to determine a logical state.
  • the multi-strobe function there is an advantage that it is not necessary to repeatedly give the same control pattern.
  • the DUT may incorporate an oscillator such as a ring oscillator in order to detect temperature and power supply voltage. In this case, instead of detecting a change in output timing, a timing at which the frequency of the oscillator changes may be detected.
  • an oscillator such as a ring oscillator
  • the conventional technique is disadvantageous from the viewpoint of circuit area and circuit design because a D / A converter corresponding to the amount of power supply voltage fluctuation to be compensated and the resolution is required.
  • fluctuations in the power supply voltage are compensated by intermittently injecting a compensation current according to a 1-bit pulse train.
  • this configuration can be understood that the capacitor Cs connected to the power supply terminal 102 of the DUT 100 functions as a low-pass filter with respect to a current that switches at high speed.
  • a sufficiently high compensation amount and resolution can be obtained even with a 1-bit compensation control pattern.
  • the generation of a 1-bit pulse train suffices to use the function inherent to the test apparatus, there is an advantage that the design is easy and the number of circuits to be newly added is small.
  • FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a compensation circuit of the test apparatus 200a according to the second embodiment. Since the configuration other than the compensation circuit is the same, the description thereof is omitted.
  • the compensation circuit of FIG. 4 intermittently draws a part of the power supply current Idd from the main power supply 10 as a compensation current Icmp in a path different from the DUT 100 according to the pulse train.
  • the compensation circuit of FIG. 4 includes a switch 20c that is provided between the two terminals of the main power supply 10 and that is switched on and off according to the control pattern CNT.
  • the control pattern generation unit (not shown) changes the duty ratio of the pulse train of the control pattern CNT according to the operating state of the DUT 100. Since the operation state of the DUT 100 is controlled according to the test pattern supplied to the I / O terminal 106, the control pattern generation unit 22 generates a pulse train control pattern CNT corresponding to the test pattern, and sends this to the switch 20c. And supply.
  • control pattern generation unit (not shown) generates the control pattern CNT as follows.
  • the control pattern generation unit is configured so that the sum of the consumption current Idis flowing into the power supply terminal 102 of the DUT 100 and the compensation current Icmp drawn by the switch 20c of the compensation circuit is continuous in time, in other words, the power supply flowing from the main power supply 10
  • the duty ratio of the pulse train of the control pattern CNT is changed so that the current Idd is continuous.
  • FIGS. 5A and 5B are time charts showing the relationship between the compensation current Icmp and the consumption current Idis in the compensation circuit 20c of FIG.
  • FIG. 5A shows a case where the duty ratio of the control pattern CNT is set so that Idis + Icmp takes a constant value.
  • Such a control pattern CNT can also be generated according to the flowchart of FIG.
  • the waveform of the compensation current Icmp in FIG. 5A shows an envelope (average value) of an intermittent waveform.
  • the main power supply 10 can generate a constant power supply voltage Vdd without being affected by the internal impedance and the impedance of the wiring with the DUT 100.
  • the compensation current Icmp flowing through the switch 20c is a useless current that does not contribute to the operation of the DUT 100.
  • the time chart of FIG. 5A since a large amount of compensation current Icmp flows while the consumption current Idis of the DUT 100 is small, there is a problem that the power consumption of the entire test system increases. When this problem becomes significant, the control shown in FIG. 5B is effective.
  • the compensation current Icmp is controlled as follows.
  • the control pattern generation unit changes the duty ratio of the control pattern so that the compensation current Icmp gradually increases in time prior to the timing t1 when the consumption current Idis increases. Further, after the timing t2 when the consumption current Idis decreases, the duty ratio of the control pattern is changed so that the compensation current Icmp gradually decreases with time.
  • the compensation current Icmp gradually increases in time from the first value I1 to the second value I2 prior to the period T. During the period T, the compensation current Icmp takes a third value I3 that is smaller than the second value I2. After a certain period T elapses, the compensation current Icmp gradually decreases in time from the second value I2 to the fourth value I4.
  • the compensation current Icmp can be reduced as compared with FIG.
  • the reduced current is indicated by a broken line.
  • the sum of Idis and Icmp that is, the power supply current Idd changes in a mountain shape instead of a constant value, and the speed of the change is made gentle considering the frequency band of the main power supply 10.
  • the fluctuation of the power supply voltage Vdd can be suppressed by feedback control of the main power supply 10 itself.
  • the performance of the power source mounted on the test apparatus 200 is higher than that of the power source of the set on which the DUT is mounted. Therefore, the device does not always exhibit the same performance in a state in which the test apparatus is connected and a state in which the test apparatus is mounted. Therefore, there is a case where it is desired to simulate the performance of the power supply mounted on the set during the test.
  • the control pattern generator 22 changes the impedance of the main power supply 10 viewed from the power supply terminal 102 by changing the duty ratio of the pulse train of the control pattern. Also good. In this case, characteristics during actual use of the DUT can be evaluated.
  • the first and second embodiments relate to a test apparatus.
  • the third embodiment relates to a circuit system.
  • FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of a circuit system 300 according to the third embodiment.
  • the circuit system 300 includes a first device 400, a second device 410, a main power supply 10, and a compensation circuit 20.
  • the main power supply 10 and the compensation circuit 20 are the same as those in the first embodiment.
  • the first device 400 receives the data PD from the second device 410 at its I / O terminal 406, and the internal processing circuit 24 performs some signal processing.
  • the power supply terminal 402 of the first device 400 is supplied with the power supply voltage Vdd from the main power supply 10, and the ground terminal 404 is grounded.
  • a compensation circuit 20 similar to that shown in FIG.
  • the first device 400 includes the control pattern generation unit 22 therein, and outputs the control pattern CNT from the control terminal 408.
  • the control pattern CNT is set according to data output from the second device 410.
  • the switch 20b intermittently injects the compensation current Icmp into the power supply terminal 402 of the first device 400 from a path different from the main power supply 10 according to the pulse train of the control pattern CNT.
  • the control pattern generation unit 22 may store a control pattern CNT including a modulated pulse train for each data pattern or each signal processing content corresponding thereto.
  • a part of the compensation circuit 20, for example, the switch 20b may be incorporated in the first device 400. In this case, since the control terminal 408 is not necessary, the circuit area can be reduced.
  • the control pattern generation unit 22 may be built in the second device 410 instead of the first device 400. In this case, since the second device 410 can cause the control pattern to precede the data pattern, fluctuations in the power supply voltage can be further suppressed.
  • the compensation circuit 20 may be configured similarly to that of FIG. In this case, even in a general circuit system, the advantages described in the second embodiment can be enjoyed.
  • Certain aspects of the present invention can be used in electronic circuit technology.

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Abstract

 メイン電源10は、DUT100の電源端子102に電源電圧Vddを供給する。制御パターン生成部22は、パルス列を含む制御パターンCNTを生成する。補償回路20は、制御パターンCNTに応じて間欠的に、メイン電源10とは別の経路からDUT100の電源端子102に補償電流Icmpを注入する。スイッチ20bは電圧源20aの出力端子とDUT100の電源端子102の間に設けられ、制御パターンCNTに応じてオン、オフが切り換えられる。

Description

試験装置および回路システム
 本発明は、電源の安定化技術に関する。
 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)テクノロジを用いたCPU(Central Processing Unit)、DSP(Digital Signal Processor)、メモリなどの半導体集積回路(以下、DUTという)を試験する際、DUT内のフリップフロップやラッチは、クロックが供給される動作中は電流が流れ、クロックが停止すると回路が静的な状態となって電流が減少する。したがって、DUTに流れる消費電流(負荷電流)の合計は、試験の内容などに応じて時々刻々と変動する。
 DUTに電源電圧を供給する電源回路はレギュレータを用いて構成され、理想的には負荷電流にかかわらず一定の電源電圧を供給可能である。しかしながら実際の電源回路は、無視できない出力インピーダンスを有し、また電源回路とDUTの間にも無視できないインピーダンス成分が存在するため、負荷変動によって電源電圧が変動してしまう。
 電源電圧の変動は、DUTの試験マージンに深刻な影響を及ぼす。また電源電圧の変動は、試験装置内のその他の回路ブロック、たとえばDUTに供給するパターンを生成するパターン発生器や、パターンの遷移タイミングを制御するためのタイミング発生器の動作に影響を及ぼし、試験精度を悪化させる。
 この問題を解決するために、DUTに供給されるテストパターンに応じて、電源電圧を補正し、DUT端での電源電圧を安定化させる技術が提案されている(特許文献1)。
特開2007-205813号公報
 特許文献1に開示される技術では、DUTに印加するテストパターンを読み取ってから電源電圧を補償するため、急峻な電源電圧に追従できず、試験パターンに対して電源電圧補償の遅れが生ずる可能性がある。また補償回路が電源回路の一部として構成されるため、電源回路とDUTの間のインピーダンスにより制限された周波数帯域でしか補償することができない。また、補償する電源変動の可変量、分解能に応じた多ビットのD/Aコンバータが必要となる。
 本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的のひとつは、電源電圧変動を補償可能な試験装置の提供にある。
 本発明のある態様は、回路システムである。この回路システムは、半導体デバイスと、半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、制御パターンに応じて間欠的に、メイン電源とは別の経路から半導体デバイスの電源端子に補償電流を注入する補償回路と、を備える。
 本発明のさらに別の態様もまた、回路システムである。この回路システムは、半導体デバイスと、半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、制御パターンに応じて間欠的に、メイン電源からの電源電流の一部を補償電流として半導体デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、を備える。
 制御パターン生成部は、半導体デバイスに内蔵されており、半導体デバイスの動作状態に応じてパルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 本発明の別の態様は、被試験デバイスを試験する試験装置に関する。この試験装置は、被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、制御パターンに応じて間欠的に、メイン電源とは別の経路から被試験デバイスの電源端子に補償電流(補償電荷)を注入する補償回路と、を備える。
 この態様によると、パルス列のデューティ比を制御することにより、電源電圧の変動を抑制し、もしくは意図的に電源電圧を変動させることができる。「デューティ比」とは、パルスのハイレベルとローレベルの時間比率を意味し、1周期内の時間比率のみでなく、複数の周期の平均的な時間比率をも含む概念である。
 制御パターン生成部は、被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が変化するタイミングに所定時間先行して、補償電流を変化させる制御パターンを前記補償回路に出力してもよい。
 制御パターンを印加して補償電流が流れ始めてから、電源電圧に影響が現れるまでには遅延が発生する場合がある。この場合に、遅延を考慮して制御パターンを与えることにより、さらに電源電圧の変動を抑制できる。
 所定時間は以下のように決定してもよい。
 1. 被試験デバイスに電源電圧が変化しない動作を実行させた状態で、第1のタイミングで補償電流を変化させる制御パターンを補償回路に出力する。
 2. 続いて、制御パターンを与えた結果、被試験デバイスの電気的特性が変化する第2のタイミングを検出する。
 3. 第1のタイミングと第2のタイミングの時間差に応じて所定時間を設定する。
 被試験デバイスに生ずる電気的特性の変化は、被試験デバイスから出力されるデータのタイミング(出力タイミング)であってもよい。あるいは、被試験デバイスに内蔵されるリングオシレータの周波数であってもよい。
 補償回路と被試験デバイスの間の配線長は、メイン電源と被試験デバイスの間の配線長よりも短くてもよい。
 この場合、補償回路が、メイン電源と被試験デバイスの間のインピーダンスの影響を受けないため、高い周波数の電源変動まで補償できる。
 補償回路は、メイン電源により生成される電源電圧より高い電圧を生成する電圧源と、電圧源の出力端子と被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチと、を含んでもよい。
 補償回路は、所定の定電流を生成する電流源と、電流源と被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチと、を含んでもよい。
 本発明の別の態様もまた、被試験デバイスを試験する試験装置に関する。この試験装置は、被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、制御パターンに応じて間欠的に、メイン電源からの電源電流を被試験デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、を備える。
 この態様によると、パルス列のデューティ比を制御することにより、電源電圧の変動を抑制し、もしくは意図的に電源電圧を変動させることができる。
 補償回路は、メイン電源により生成される電源電圧より高い電圧を生成する電圧源と、電圧源の出力端子と被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチと、を含んでもよい。
 補償回路は、所定の定電流を生成する電流源と、電流源と被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチと、を含んでもよい。
 本発明の別の態様もまた、試験装置に関する。この試験装置は、被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、制御パターンに応じて間欠的に、メイン電源からの電源電流の一部を補償電流として被試験デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、を備える。
 この態様によると、パルス列のデューティ比を制御することにより、電源電圧の変動を抑制し、もしくは意図的に電源電圧を変動させることができる。
 補償回路は、メイン電源の両極端子の間に設けられ、制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチを含んでもよい。
 上述のいくつかの態様の試験装置において、制御パターンは以下のように生成されてもよい。
 制御パターン生成部は、被試験デバイスの動作状態に応じてパルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 制御パターンは、以下のように生成されてもよい。
 1. 被試験デバイスに、所定のテストパターンを与えた状態において流れる電流を計算機により算出する。
 2. 各サイクルごとの電流から電源電流の連続成分を減算し、その結果に応じてサイクルごとの補償電流の量を算出する。
 3. 算出されたサイクルごとの補償電流の量が得られるように、パターン変調によって制御パターンを規定する。
 こうして規定された制御パターンをメモリに保存する。被試験デバイスに所定のテストパターンを供給する際、それに対応して規定された制御パターンを読み出すことにより電源電圧の変動を補償できる。
 制御パターン生成部は、被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、補償回路が注入する補償電流の差が時間的に連続となるように、パルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 制御パターン生成部は、被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、補償回路が注入する補償電流の差が時間的に一定となるように、パルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 制御パターン生成部は、被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、補償回路が引きこむ補償電流の和が時間的に連続となるように、パルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、あるタイミングで増加するとき、制御パターン生成部は、補償回路が引きこむ補償電流が、あるタイミングに先立って、時間的に緩やかに増加するように、パルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 補償回路が引き込む補償電流は、無駄な電流であるところ、この制御を行えば、無駄な電流を減らすことができる。
 被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、あるタイミングで減少するとき、制御パターン生成部は、補償回路が引きこむ補償電流が、あるタイミング以降、時間的に緩やかに減少するように、パルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、ある期間増加するとき、制御パターン生成部は、補償回路が引きこむ補償電流が、ある期間に先立って、第1の値から第2の値まで時間的に緩やかに増加し、ある期間、第2の値より小さな第3の値をとり、ある期間が経過した後、第2の値から第4の値まで時間的に緩やかに減少するように、パルス列のデューティ比を変化させてもよい。
 補償電流を被試験デバイスとは別経路に引きこむ場合、補償電流は無駄な電流となるところ、この処理を行うことにより、無駄な電流を抑制できる。
 制御パターン生成部は、被試験デバイスの電源端子に供給される電源電圧にノイズを重畳させてもよい。
 この場合、被試験デバイスのノイズに対する耐性を検査することができる。
 制御パターン生成部は、パルス列のデューティ比を変化させて、電源端子から電源側を見たインピーダンスを変化させてもよい。
 試験装置に搭載される電源と、実使用時に被試験デバイスに電圧を供給する電源とは、出力インピーダンスなどの性能が異なる場合があり、通常、実使用時の電源の性能は、試験装置のそれに比べて劣る。パルス列のデューティ比を変化させることにより、実使用時の電源の性能をエミュレートすることができる。
 ある態様の試験装置は、被試験デバイスに出力すべきテストパターンを生成するパターン発生器をさらに備えてもよい。制御パターンは、テストパターンごとに予め規定されてもよい。
 ある態様の試験装置は、被試験デバイスに出力すべきテストパターンを生成するパターン発生器をさらに備えてもよい。制御パターン生成部は、制御パターンを、テストパターンと同期して生成してもよい。
 制御パターン生成部は、パルス列を、ΔΣ変調、パルス幅変調、パルス密度変調のいずれかを用いて生成してもよい。
 なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置などの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
 本発明のある態様によれば、電源電圧の変動を抑制できる。
第1の実施の形態に係る試験装置の構成を示す回路図である。 制御パターンの生成方法を示すフローチャートである。 図1の試験装置の動作状態を示すタイムチャートである。 第2の実施の形態に係る試験装置の補償回路の構成を示す回路図である。 図5(a)、(b)は、図4の補償回路における補償電流と消費電流の関係を示すタイムチャートである。 第3の実施の形態に係る回路システムの構成を示す回路図である。
符号の説明
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
100…DUT、102…電源端子、104…接地端子、106…I/O端子、200…試験装置、300…回路システム、400…第1デバイス、402…電源端子、404…接地端子、406…I/Oピン、408…制御端子、410…第2デバイス、10…メイン電源、12…パターン発生器、14…タイミング発生器、波形整形器、16…ドライバ、20…補償回路、22…制御パターン生成部、20a…電圧源、20b…スイッチ、20c…スイッチ。
 以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。
 本明細書において、「部材Aが部材Bに接続された状態」とは、部材Aと部材Bが物理的に直接的に接続される場合や、部材Aと部材Bが、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。同様に、「部材Cが、部材Aと部材Bの間に設けられた状態」とは、部材Aと部材C、あるいは部材Bと部材Cが直接的に接続される場合のほか、電気的な接続状態に影響を及ぼさない他の部材を介して間接的に接続される場合も含む。
(第1の実施の形態)
 図1は、第1の実施の形態に係る試験装置200の構成を示す回路図である。図1には試験装置200に加えて、試験対象の半導体デバイス(以下、DUTと称す)100が示される。
 DUT100は、複数のピンを備え、その中のひとつが電源電圧Vddを受けるための電源端子102であり、ひとつが接地端子104である。複数のI/O端子106は、外部からのデータを受け、あるいは外部にデータを出力するために設けられており、試験時においては、試験装置200から出力されるテストパターンを受け、あるいはテストパターンに応じたデータを試験装置200に対して出力する。
 試験装置200は、メイン電源10、パターン発生器12、タイミング発生器TGおよび波形整形器FC(以下、これらに符号14を付す)、ドライバ16に加えて、補償回路20および制御パターン生成部22を備える。
 メイン電源10、パターン発生器12、タイミング発生器14、ドライバ16の構成および機能は、一般的な試験装置のそれらと変わるところが無いため、簡単に説明する。以下ではDUT100がメモリの場合について説明する。
 メイン電源10は、DUT100の電源端子102に供給すべき電源電圧Vddを生成する。たとえばメイン電源10は、リニアレギュレータやスイッチングレギュレータなどで構成され、電源端子102に供給される電源電圧Vddを、目標値と一致するようにフィードバック制御する。キャパシタCsは、電源電圧Vddを平滑化するために設けられる。メイン電源10は、DUT100に対する電源電圧の他、試験装置200内部のその他のブロックに対する電源電圧も生成する。
 試験装置200は複数n個のチャンネルCH1~CHnを備えており、その中のいくつかがDUT100の複数のI/O端子106に割り当てられる。タイミング発生器14およびドライバ16はそれぞれ、各チャンネルごとに設けられる。
 パターン発生器12は、タイミングセット信号(以下、「TS信号」という。)を生成して、タイミング発生器14に供給する。タイミング発生器14は、TS信号により指定されたタイミングデータにもとづいて周期クロック及び遅延クロック(不図示)を発生して、周期クロックをパターン発生器12に供給し、遅延クロックを波形整形器14に供給する。そして、パターン発生器12は、DUT100の記憶領域を示すアドレス及び書き込むべきテストパターンを発生して、波形整形器14に供給する。
 波形整形器14は、タイミング発生器14から供給された遅延クロックにもとづいて、パターン発生器12が発生したテストパターンのタイミングを調整し、波形整形を行う。ドライバ16は、波形整形器14から出力されるアドレス及びテストパターンを受け、DUT100のI/O端子106に供給する。
 DUT100から読み出されたデータは、図示しない比較判定部において期待値と比較され、DUT100の良否判定や不良箇所の特定がなされる。
 以上が試験装置200と概要である。DUT100は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)テクノロジを用いて構成され、その動作状態に応じて、消費電流が変動する。DUT100に流れる電流が急激に変動すると、メイン電源10によるフィードバックが追従できず、電源電圧Vddが変動するという問題が生ずる。以下で説明する補償回路20および制御パターン生成部22は、電源電圧Vddの変動を抑制するために設けられる。
 制御パターン生成部22は、パルス列を含む制御パターンCNTを生成する。制御パターンCNTの生成には、パターン発生器12、タイミング発生器14の一部が利用され、図1の試験装置200では制御パターン生成部22は、パターン発生器12および第nチャンネルCHnのタイミング発生器14を含んで構成される。
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
 補償回路20は、制御パターンCNTのパルス列に応じて間欠的に、メイン電源10とは別の経路からDUT100の電源端子102に補償電流Icmpを注入する。図1において、補償回路20は電圧源20aおよびスイッチ20bを備える。電圧源20aは、メイン電源10により生成される電源電圧Vddより高い電圧Vcmpを生成する。スイッチ20bは、電圧源20aの出力端子とDUT100の電源端子102の間に設けられ、バイポーラトランジスタあるいはMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)を利用して構成される。スイッチ20bは、制御パターンCNTのパルス列に応じてオン、オフが切り換えられる。スイッチ20bはDUT100の近傍に配置される。言い換えれば、スイッチ20bとDUT100の電源端子102の配線長は、メイン電源10とDUT100の電源端子の配線長よりも短い。スイッチ20bと直列に、あるいはスイッチ20bの内部に、補償電流Icmpの量を調節するための素子、たとえば抵抗や電流源が設けられてもよい。
 電圧源20aに代えて、所定の電流を生成する電流源を用いてもよい。
 制御パターン生成部22は、DUT100の動作状態に応じて、制御パターンCNTのパルス列のデューティ比を変化させる。DUT100の動作状態は、I/O端子106に供給されるテストパターンに応じて制御されるから、制御パターン生成部22はテストパターンに応じたパルス列の制御パターンCNTを生成し、これをスイッチ20bへと供給してもよい。
 制御パターン生成部22は、DUT100の電源端子102に流れ込む動作電流(消費電流ともいう)Idisと、補償回路20が注入する電荷に応じた補償電流Icmpの差(Idis-Icmp)が連続となるように、言い換えればメイン電源10から出力される電源電流Iddが時間的に連続となるように、パルス列のデューティ比を変化させる。より好ましくは、電流の差(Idis-Icmp)が時間的に一定となるようにパルス列のデューティ比を変化させる。
 制御パターン生成部22は、制御パターンCNTのパルス列を、ΔΣ変調、パルス幅変調、パルス密度変調をはじめとするパルス変調のいずれかを用いて生成する。試験装置200に搭載されるタイミング発生器14は、テストサイクルごとに、つまり個々のパルスごとに、そのポジティブエッジのタイミングやパルスの幅を調節可能であるため、上述の変調方式は、試験装置200との親和性が非常に高く、特に追加的な回路を付加しなくても、簡易にパルス列を生成できるという利点がある。なお、制御パターン生成部22をパターン発生器12、タイミング発生器14を利用せずに構成する場合、パルス周波数変調(PFM)などの別の変調方式によってパルス列のデューティ比を調節してもよい。
 図2は、制御パターンCNTの生成方法を示すフローチャートである。まず、回路シミュレータを用いてDUTをモデリングし、所定のテストパターンを与えたときの、テストサイクルごとの動作電流Idisおよび動作率を計算する(S100)。動作率および動作電流Idisは、動作するトランジスタの個数と、各トランジスタの電流量から算出することもできる。
 DUT100に流れる動作電流Idisは、電源電流の時間的に連続する成分Iddと、テストサイクルごとに時間的に変動する成分との合計で与えられる。そこで連続成分Iddを算出して、各テストサイクルごとの差ΔIiを算出する(S102)。
 ΔIi=Idisi-Idd
 添え字のiは、テストサイクルの番号を示す。
 算出した差分電流ΔIiにもとづいて、各サイクルごとに必要な電流補償量(もしくは電圧補償量)を算出する(S104)。
 こうして得られた補償量を、ΔΣ変調やパルス幅変調、パルス密度変調等によって、1、0のパターン列(パルス列)に変換する(S106)。こうして得られたパターン列を、所定のテストパターンに対する制御パターンCNTとして、テストパターンとともに保持しておく(S108)。
 以上が試験装置200の構成である。続いて試験装置200の動作を説明する。図3は、図1の試験装置200の動作状態を示すタイムチャートである。あるDUT100にテストパターンを供給すると、DUT100はそのテストパターンに応じた処理を実行するため、処理内容に応じて動作率が変化し、消費電流Idisが変化する。
 消費電流Idisの変動のタイミングおよび変動量は、上述の回路シミュレーション等によって予期可能であり、消費電流Idisの変動量をキャンセルするように変調された制御パターンCNTが、テストパターンとともにパターン発生器12から出力される。この制御パターンCNTによってスイッチ20bのオン、オフが制御されることにより、間欠的な補償電流Icmpが注入される。図3には、間欠的な補償電流の包絡線(もしくは平均値)が示されている。この補償電流Icmpによって、消費電流Idisの変動がキャンセルされ、メイン電源10から電源端子102に流れ込む電源電流Iddは一定に保たれ、その結果、電源電圧Vddの変動を抑制することができる。
 なお、パルス列のデューティ比は、必ずしも差分電流Idd=(Idis-Icmp)が厳密に一定となるように生成される必要はない。なぜならメイン電源10自体のフィードバックによって、有る程度の消費電流Idisの変動には追従することができるからである。つまり補償電流Icmpは、消費電流Idisの変動のうち、メイン電源10によって追従不可能な高周波成分をキャンセルすれば足りるのである。
 このように、実施の形態に係る試験装置200によれば、DUT100の消費電流Idisの変動をキャンセルすることができ、電源電圧Vddの変動を抑制できる。電源電圧Vddの変動を抑制することにより、試験精度を高めることができる。
 この技術は、特許文献1に代表される従来の技術に比べて以下の利点を備える。
 利点1.
 従来の技術では、テストパターンを読み取り、これを信号処理して電源電圧の変動を補償する。したがって急峻な電源変動に対する追従性には限界があった。これに対して、実施の形態では、テストパターンとは別に、予め補償用の制御パターンを用意しておくことで、急峻な変動にも追従できる。
 利点2.
 DUT100の電源端子102には、キャパシタCsが接続される。したがって、従来技術のようにテストパターンに応じて電源電圧の目標値を変化させる手法では、キャパシタCsの時定数の分だけ、消費電流の変動補償が遅れることになる。
 実施の形態においても、スイッチ20bにある制御パターンCNTを与えるタイミングと、そのタイミングに応じた補償電流Icmpが消費電流Idisの変動をキャンセルするまでのタイミングには遅延が発生する。しかしながら実施の形態に係る技術では、DUTに与えるテストパターンとは別に、補償用の制御パターンを発生させるため、遅延を考慮して、補償用の制御パターンをテストパターンに対して先行させることができる。その結果、従来よりも負荷変動に対する追従性を高めることができ、電源電圧Vddの変動を抑制できる。
 補償用の制御パターンのテストパターンに対する時間的な先行量は、以下のフローに従って決定できる。
 ステップ1.
 DUT100に対して、電源電圧を変動させないテストパターンを供給し、この状態で、あるタイミングで補償用の制御パターンを切り換え、電源電圧を意図的に変化させる。補償用の制御パターンは、電源電圧を変動させるテストパターンにもとづいて、図2のフローに従って生成されたものを用いることができる。
 ステップ2.
 ステップ1の状態で、電源電圧が変動すると、それに応じてDUTの回路の状態が変化する。電源電圧の変化に応じて回路の状態の変化タイミングと、制御パターンを切り換えたタイミングの時間差を、先行量として設定する。回路の状態の変化は、以下の手法で検出できる。
 DUTからの出力データの位相(出力タイミング)の変化量を検出する。DUTからの出力データの位相は、電源電圧の変動に伴って変化する。そこで電源電圧の変化の前後それぞれの出力タイミングの時間差を測定すれば、その時間差を先行量として利用できる。
 出力タイミングは、出力データの各ビットをラッチするストローブ信号のタイミングを、所定の時間間隔でスイープさせ、ストローブ信号のタイミングごとのラッチされたデータ列が、期待値と一致するか否かを判定することにより検出できる。これは試験装置に搭載される一般的な機能を利用して実現できる。
 1回の測定だけでは特定の1タイミングにおける論理状態しか検出できないが、電源変動を含むテストパターンを何回か印加し、ストローブ信号のタイミングをスイープさせる
ことで、論理状態の検出結果の変化から出力タイミングの位相が検出される。
 試験装置にマルチストローブ機能が実装される場合、マルチストローブ機能を利用してもよい。マルチストローブ機能とは、データ1サイクル当たりに、多相のストローブ信号列を発生し、各ストローブ信号のタイミングで、データをラッチして論理状態を判定する機能である。マルチストローブ機能を用いる場合、同じ制御パターンを繰り返し与える必要がないという利点がある。
 DUTは、温度検出や電源電圧を検出するために、リングオシレータなどの発振器が内蔵される場合がある。この場合、出力タイミングの変化を検出する代わりに、発振器の周波数が変化するタイミングを検出してもよい。
 これらいずれかの手法によって、制御パターンを切り換えたタイミングと、回路の状態が変化するまでのタイミングの差(遅延)を求め、この遅延だけ、制御パターンをテストパターンよりも先行させることにより、より正確な補償が実現できる。
 利点3.
 従来の技術では、電源から出力される電源電圧Vddを変化させるため、やはり、電源とDUT間の配線のインピーダンスの影響を受け、制限された周波数帯域でしか補償できない。これに対して実施の形態では、補償回路20のスイッチ20bを、DUT100の直近に配置することができるため、配線のインピーダンスの影響を十分に小さくすることができ、応答性を高めることができる。
 利点4.
 従来の技術では、補償すべき電源電圧の変動の量、分解能に応じたD/Aコンバータが必要であったため、回路面積や回路設計の観点から不利であった。これに対して実施の形態では、1ビットのパルス列に応じて補償電流を間欠的に注入することで、電源電圧の変動を補償する。この構成は、別の観点からみれば、高速スイッチングする電流に対して、DUT100の電源端子102に接続されたキャパシタCsがローパスフィルタとして機能するとも把握することができ、ローパスフィルタのカットオフ周波数と、スイッチングの周波数を最適化することにより、1ビットの補償用の制御パターンによっても、十分に高い補償量と、分解能を得ることができる。さらに1ビットのパルス列の生成は、試験装置が本来具備する機能を利用すれば足りるため、設計が容易であり、また新たに追加すべき回路が少ないという利点がある。
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
(第2の実施の形態)
 図4は、第2の実施の形態に係る試験装置200aの補償回路の構成を示す回路図である。補償回路以外の構成は同様であるため説明を省略する。図4の補償回路は、パルス列に応じて間欠的に、メイン電源10からの電源電流Iddの一部を、補償電流IcmpとしてDUT100とは別の経路に引き込む。
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
 図4の補償回路は、メイン電源10の両極端子の間に設けられ、制御パターンCNTに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチ20cを含む。
 制御パターン生成部(不図示)は、DUT100の動作状態に応じて、制御パターンCNTのパルス列のデューティ比を変化させる。DUT100の動作状態は、I/O端子106に供給されるテストパターンに応じて制御されるから、制御パターン生成部22はテストパターンに応じたパルス列の制御パターンCNTを生成し、これをスイッチ20cへと供給する。
 第2の実施の形態において、制御パターン生成部(不図示)は、制御パターンCNTを以下のように生成する。
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
 制御パターン生成部は、DUT100の電源端子102に流れ込む消費電流Idisと、補償回路のスイッチ20cが引きこむ補償電流Icmpの和が時間的に連続となるように、言い換えれば、メイン電源10から流れ出す電源電流Iddが連続となるように、制御パターンCNTのパルス列のデューティ比を変化させる。
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
 以上が第2の実施の形態の補償回路の構成である。続いてその動作を説明する。図5(a)、(b)は、図4の補償回路20cにおける補償電流Icmpと消費電流Idisの関係を示すタイムチャートである。
 図5(a)では、Idis+Icmpが一定値をとるように、制御パターンCNTのデューティ比が設定される場合を示す。このような制御パターンCNTも、図2のフローチャートに従って生成できる。図5(a)の補償電流Icmpの波形は、間欠的な波形の包絡線(平均値)を示している。
 図5(a)の制御によれば、DUT100の動作率が変化して消費電流Idisが変化しても、消費電流Idisの減少分が、スイッチ20c側に流れるため、メイン電源10から流れ出る電源電流Iddが一定値に保たれる。したがってメイン電源10は、その内部のインピーダンスおよびDUT100との間の配線のインピーダンスの影響を受けずに、一定の電源電圧Vddを生成することができる。
 第2の実施の形態では、スイッチ20cに流れる補償電流Icmpは、DUT100の動作には寄与しない無駄な電流である。図5(a)のタイムチャートでは、DUT100の消費電流Idisが小さい期間、多くの補償電流Icmpが流れるため、試験システム全体としての消費電力が増大するという問題も生じる。この問題が顕著となる場合、図5(b)に示す制御が有効である。
 図5(b)では、DUT100の電源端子102に流れ込む消費電流Idisが、時刻t1~t2のある期間T増加するとき、補償電流Icmpは以下のように制御される。
 制御パターン生成部は、消費電流Idisが増加するタイミングt1に先立ち、補償電流Icmpが時間的に緩やかに増加するように、制御パターンのデューティ比を変化させる。また、消費電流Idisが減少するタイミングt2以降、補償電流Icmpが時間的に緩やかに減少するように、制御パターンのデューティ比を変化させる。
 具体的には、補償電流Icmpは、期間Tに先立って、第1の値I1から第2の値I2まで時間的に緩やかに増加する。期間Tの間、補償電流Icmpは第2の値I2より小さな第3の値I3をとる。ある期間Tが経過した後、補償電流Icmpは第2の値I2から第4の値I4まで時間的に緩やかに減少する。
 図5(b)の制御を行うことにより、図5(a)に比べて補償電流Icmpを低減することができる。低減される電流は破線で示される。図5(b)の場合、IdisとIcmpの和、つまり電源電流Iddは一定値ではなく山型に変化するところ、変化の速度を、メイン電源10の周波数帯域を考慮して緩やかにすることで、メイン電源10自身のフィードバック制御によって電源電圧Vddの変動を抑えることができる。
[規則91に基づく訂正 04.11.2008]
 以上が第2の実施の形態に係る補償回路である。続いて、第1、第2の実施の形態の変形例を説明する。
(第1の変形例)
 第1、第2の実施の形態では、制御パターンのパルス列のデューティ比を変化させて、電源電圧の変動を抑制する技術を説明した。これとは反対に、パルス列のデューティ比を変化させて、DUT100の電源端子102に供給される電源電圧Vddにノイズを重畳してもよい。パルス列の周波数をメイン電源10のフィードバック帯域よりも高く設定すれば、それに伴う電源電圧Vddの変動はノイズ成分としてDUT100に印加される。この場合、テストパターンと同期して電源電圧にノイズを与えることができ、ノイズに対する耐性を測定することができる。
(第2の変形例)
 一般に試験装置200に搭載される電源の性能は、DUTが搭載されるセットの電源よりも高性能である。したがって、試験装置を接続した状態とセットに搭載された状態では、デバイスが同じ性能を発揮するとは限らない。そこで試験時に、セットに搭載される電源の性能をシミュレーションしたい場合がある。この場合、第1、第2の実施の形態において、制御パターン生成部22は、制御パターンのパルス列のデューティ比を変化させることにより、電源端子102からメイン電源10側を見たインピーダンスを変化させてもよい。この場合、DUTの実使用時の特性を評価できる。
(第3の実施の形態)
 第1、第2の実施の形態は、試験装置に関するものであった。第3の実施の形態は、回路システムに関する。
 図6は、第3の実施の形態に係る回路システム300の構成を示す回路図である。回路システム300は、第1デバイス400、第2デバイス410、メイン電源10、補償回路20を備える。メイン電源10および補償回路20については、第1の実施の形態と同様である。
 第1デバイス400は、そのI/O端子406に第2デバイス410からのデータPDを受け、内部の処理回路24がなんらかの信号処理を実行する。第1デバイス400の電源端子402には、メイン電源10からの電源電圧Vddが供給され、接地端子404は接地される。電源端子402には図1と同様の補償回路20が接続されている。
 第1デバイス400はその内部に、制御パターン生成部22を内蔵しており、制御パターンCNTを制御端子408から出力する。制御パターンCNTは、第2デバイス410から出力されるデータに応じて設定される。スイッチ20bは、制御パターンCNTのパルス列に応じて間欠的に、メイン電源10とは別の経路から第1デバイス400の電源端子402に補償電流Icmpを注入する。制御パターン生成部22には、データのパターンごとに、あるいはそれに応じた信号処理の内容ごとに応じて、変調されたパルス列を含む制御パターンCNTが格納されてもよい。
 第3の実施の形態によれば、一般的な回路システムにおいても、第1の実施の形態で説明した利点を享受できる。続いて第3の実施の形態の変形例を説明する。
 補償回路20の一部、たとえばスイッチ20bは、第1デバイス400に内蔵されてもよい。この場合、制御端子408が不要となるため、回路面積が削減できる。
 制御パターン生成部22は、第1デバイス400ではなく、第2デバイス410に内蔵されてもよい。この場合、第2デバイス410は制御パターンをデータパターンに対して先行させることができるため、電源電圧の変動をさらに抑制できる。
 図6の回路システム300およびその変形例において、補償回路20を図4のそれと同様に構成してもよい。この場合、一般的な回路システムにおいても、第2の実施の形態で説明した利点を享受できる。
 実施の形態にもとづき本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が可能である。
 本発明のある態様は、電子回路技術に利用できる。

Claims (23)

  1.  半導体デバイスと、
     前記半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
     パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
     前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源とは別の経路から前記半導体デバイスの電源端子に補償電流を注入する補償回路と、
     を備えることを特徴とする回路システム。
  2.  半導体デバイスと、
     前記半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
     パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
     前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源からの電源電流の一部を、補償電流として前記半導体デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、
     を備えることを特徴とする回路システム。
  3.  前記制御パターン生成部は、前記半導体デバイスに内蔵されており、前記半導体デバイスの動作状態に応じて前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項1または2に記載の回路システム。
  4.  被試験デバイスを試験する試験装置であって、
     前記被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
     パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
     前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源とは別の経路から前記被試験デバイスの電源端子に補償電流を注入する補償回路と、
     を備えることを特徴とする試験装置。
  5.  被試験デバイスを試験する試験装置であって、
     前記被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
     パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
     前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源からの電源電流の一部を補償電流として前記被試験デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、
     を備えることを特徴とする試験装置。
  6.  前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が変化するタイミングに所定時間先行して、前記補償電流を変化させる前記制御パターンを前記補償回路に出力することを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  7.  前記被試験デバイスに電源電圧が変化しない動作を実行させた状態で、第1のタイミングで前記補償電流を変化させる前記制御パターンを前記補償回路に出力するステップと、
     前記制御パターンを与えた結果、前記被試験デバイスの電気的特性が変化する第2のタイミングを検出するステップと、
     を実行し、
     前記所定時間は、前記第1のタイミングと前記第2のタイミングの時間差に応じて定められることを特徴とする請求項6に記載の試験装置。
  8.  前記補償回路と前記被試験デバイスの間の配線長は、前記メイン電源と前記被試験デバイスの間の配線長よりも短いことを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  9.  前記補償回路は、
     前記メイン電源により生成される前記電源電圧より高い電圧を生成する電圧源と、
     前記電圧源の出力端子と前記被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、前記制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチと、
     を含むことを特徴とする請求項4に記載の試験装置。
  10.  前記補償回路は、
     所定の定電流を生成する電流源と、
     前記電流源と前記被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、前記制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチと、
     を含むことを特徴とする請求項4に記載の試験装置。
  11.  前記補償回路は、前記メイン電源の両極端子の間に設けられ、前記制御パターンに応じてオン、オフが切り換えられるスイッチを含むことを特徴とする請求項5に記載の試験装置。
  12.  前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの動作状態に応じて前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項4から11のいずれかに記載の試験装置。
  13.  前記制御パターンは、
     前記被試験デバイスに、所定のテストパターンを与えた状態において流れる電流を計算機により算出するステップと、
     各サイクルごとの電流から電源電流の連続成分を減算し、その結果に応じてサイクルごとの補償電流の量を算出するステップと、
     算出された前記サイクルごとの補償電流の量が得られるように、パターン変調によって前記制御パターンを規定するステップと、
     を実行して得られることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  14.  前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、前記補償回路が注入する補償電流の差が時間的に連続となるように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項4に記載の試験装置。
  15.  前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、前記補償回路が注入する補償電流の差が時間的に一定となるように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項4に記載の試験装置。
  16.  前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、前記補償回路が引きこむ補償電流の和が時間的に連続となるように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項5に記載の試験装置。
  17.  前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、あるタイミングで増加するとき、
     前記制御パターン生成部は、前記補償回路が引きこむ補償電流が、前記あるタイミングに先立って、時間的に緩やかに増加するように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項5に記載の試験装置。
  18.  前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、あるタイミングで減少するとき、
     前記制御パターン生成部は、前記補償回路が引きこむ補償電流が、前記あるタイミング以降、時間的に緩やかに減少するように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項5に記載の試験装置。
  19.  前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に供給される電源電圧にノイズを重畳させることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  20.  前記制御パターン生成部は、前記パルス列のデューティ比を変化させて、前記電源端子から電源側を見たインピーダンスを変化させることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  21.  前記被試験デバイスに出力すべきテストパターンを生成するパターン発生器をさらに備え、
     前記制御パターンは、テストパターンごとに予め規定されることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  22.  前記被試験デバイスに出力すべきテストパターンを生成するパターン発生器をさらに備え、
     前記制御パターン生成部は、前記制御パターンを、前記テストパターンと同期して生成することを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
  23.  前記制御パターン生成部は、前記制御パターンを、ΔΣ変調、パルス幅変調、パルス密度変調のいずれかを用いて生成することを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
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