JPWO2010029709A1 - 試験装置、試験方法、回路システム、ならびに電源装置、電源評価装置、電源環境のエミュレート方法 - Google Patents
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Abstract
Description
制御パターンを印加して補償電流が流れ始めてから、電源電圧に影響が現れるまでには遅延が発生する場合がある。この場合に、遅延を考慮して制御パターンを与えることにより、さらに電源電圧の変動を抑制できる。
1. 被試験デバイスに電源電圧が変化しない動作を実行させた状態で、第1のタイミングで補償電流を変化させる制御パターンを補償回路に出力する。
2. 続いて、制御パターンを与えた結果、被試験デバイスの電気的特性が変化する第2のタイミングを検出する。
3. 第1のタイミングと第2のタイミングの時間差に応じて所定時間を設定する。
この場合、補償回路が、メイン電源と被試験デバイスの間のインピーダンスの影響を受けないため、高い周波数の電源変動まで補償できる。
1. 被試験デバイスに、所定のテストパターンを与えた状態において流れる電流を計算機により算出する。
2. 各サイクルごとの電流から電源電流の連続成分を減算し、その結果に応じてサイクルごとの補償電流の量を算出する。
3. 算出されたサイクルごとの補償電流の量が得られるように、パターン変調によって制御パターンを規定する。
こうして規定された制御パターンをメモリに保存する。被試験デバイスに所定のテストパターンを供給する際、それに対応して規定された制御パターンを読み出すことにより電源電圧の変動を補償できる。
補償回路が引き込む補償電流は、無駄な電流であるところ、この制御を行えば、無駄な電流を減らすことができる。
補償電流を被試験デバイスとは別経路に引きこむ場合、補償電流は無駄な電流となるところ、この処理を行うことにより、無駄な電流を抑制できる。
この場合、被試験デバイスのノイズに対する耐性を検査することができる。
試験装置に搭載される電源と、実使用時に被試験デバイスに電圧を供給する電源とは、出力インピーダンスなどの性能が異なる場合があり、通常、実使用時の電源の性能は、試験装置のそれに比べて劣る。パルス列のデューティ比を変化させることにより、実使用時の電源の性能をエミュレートすることができる。
被試験デバイスの動作、つまり信号処理は、テストパターンに応じて定まる。したがってテストパターンが既知であれば、被試験デバイス内部のトランジスタ(ゲート)の動作率(スイッチングイベント密度)を予測することができる。つまり、デバイス構造とテストパターンにもとづいて、デバイス電流を予測することができる。
1. メイン電源に被試験デバイスが接続されない状態において、メイン電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、またはメイン電源の出力ノードにパルス電流を供給する。
2. パルス電流をメイン電源に作用させた結果生ずる電源電圧の時間変動波形を測定する。
3. 測定された電源電圧の時間変動波形から、メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出する。
この態様によって得られた出力電流の波形は、インパルス応答とみなすことができる。理想電源であれば、それにパルス電流を作用させたとき、瞬時にそれを打ち消すようにインパルス状の出力電流を発生することができる。つまり出力電流とパルス電流は一致するであろう。電源の応答性が劣るにしたがい、出力電流はパルス電流と乖離していく。つまりこの装置により測定された出力電流の波形は、電源の応答性を示す指標として使用することができる。
あるいは別の態様において、電源に任意の電流を作用させたときに、本評価装置により得られたインパルス応答と、その電流波形とを畳み込みすることにより、電源の出力電流を予測することができ、その出力電圧を予測することができる。
606…制御パターン演算部、608…第1演算部、610…第2演算部、612…第3演算部、614…エンコーダ、700…電源装置、702…デバイス電流モデリング部、704a…第1インパルス応答波形データ提供部、704b…第2インパルス応答波形データ提供部、706…制御パターン演算部、708…第1演算部、710…第2演算部、712…第3演算部、714…エンコーダ。
図1は、第1の実施の形態に係る試験装置200の構成を示す回路図である。図1には試験装置200に加えて、試験対象の半導体デバイス(以下、DUTと称す)100が示される。
ΔIi=Idisi−Idd
添え字のiは、テストサイクルの番号を示す。
従来の技術では、テストパターンを読み取り、これを信号処理して電源電圧の変動を補償する。したがって急峻な電源変動に対する追従性には限界があった。これに対して、実施の形態では、テストパターンとは別に、予め補償用の制御パターンを用意しておくことで、急峻な変動にも追従できる。
DUT100の電源端子102には、キャパシタCsが接続される。したがって、従来技術のようにテストパターンに応じて電源電圧の目標値を変化させる手法では、キャパシタCsの時定数の分だけ、消費電流の変動補償が遅れることになる。
実施の形態においても、スイッチ20bにある制御パターンCNTを与えるタイミングと、そのタイミングに応じた補償電流Icmpが消費電流Idisの変動をキャンセルするまでのタイミングには遅延が発生する。しかしながら実施の形態に係る技術では、DUTに与えるテストパターンとは別に、補償用の制御パターンを発生させるため、遅延を考慮して、補償用の制御パターンをテストパターンに対して先行させることができる。その結果、従来よりも負荷変動に対する追従性を高めることができ、電源電圧Vddの変動を抑制できる。
DUT100に対して、電源電圧を変動させないテストパターンを供給し、この状態で、あるタイミングで補償用の制御パターンを切り換え、電源電圧を意図的に変化させる。補償用の制御パターンは、電源電圧を変動させるテストパターンにもとづいて、図2のフローに従って生成されたものを用いることができる。
ステップ1の状態で、電源電圧が変動すると、それに応じてDUTの回路の状態が変化する。電源電圧の変化に応じて回路の状態の変化タイミングと、制御パターンを切り換えたタイミングの時間差を、先行量として設定する。回路の状態の変化は、以下の手法で検出できる。
ことで、論理状態の検出結果の変化から出力タイミングの位相が検出される。
従来の技術では、電源から出力される電源電圧Vddを変化させるため、やはり、電源とDUT間の配線のインピーダンスの影響を受け、制限された周波数帯域でしか補償できない。これに対して実施の形態では、補償回路20のスイッチ20bを、DUT100の直近に配置することができるため、配線のインピーダンスの影響を十分に小さくすることができ、応答性を高めることができる。
従来の技術では、補償すべき電源電圧の変動の量、分解能に応じたD/Aコンバータが必要であったため、回路面積や回路設計の観点から不利であった。これに対して実施の形態では、1ビットのパルス列に応じて補償電流を間欠的に注入することで、電源電圧の変動を補償する。この構成は、別の観点からみれば、高速スイッチングする電流に対して、DUT100の電源端子102に接続されたキャパシタCsがローパスフィルタとして機能するとも把握することができ、ローパスフィルタのカットオフ周波数と、スイッチングの周波数を最適化することにより、1ビットの補償用の制御パターンによっても、十分に高い補償量と、分解能を得ることができる。さらに1ビットのパルス列の生成は、試験装置が本来具備する機能を利用すれば足りるため、設計が容易であり、また新たに追加すべき回路が少ないという利点がある。
図4は、第2の実施の形態に係る試験装置200aの補償回路の構成を示す回路図である。補償回路以外の構成は同様であるため説明を省略する。図4の補償回路20cは、パルス列に応じて間欠的に、メイン電源10からの電源電流Iddの一部を、補償電流IcmpとしてDUT100とは別の経路に引き込む。
第1、第2の実施の形態では、制御パターンのパルス列のデューティ比を変化させて、電源電圧の変動を抑制する技術を説明した。これとは反対に、パルス列のデューティ比を変化させて、DUT100の電源端子102に供給される電源電圧Vddにノイズを重畳してもよい。パルス列の周波数をメイン電源10のフィードバック帯域よりも高く設定すれば、それに伴う電源電圧Vddの変動はノイズ成分としてDUT100に印加される。この場合、テストパターンと同期して電源電圧にノイズを与えることができ、ノイズに対する耐性を測定することができる。
一般に試験装置200に搭載される電源の性能は、DUTが搭載されるセットの電源よりも高性能である。したがって、試験装置を接続した状態とセットに搭載された状態では、デバイスが同じ性能を発揮するとは限らない。そこで試験時に、セットに搭載される電源の性能をシミュレーションしたい場合がある。この場合、第1、第2の実施の形態において、制御パターン生成部22は、制御パターンのパルス列のデューティ比を変化させることにより、電源端子102からメイン電源10側を見たインピーダンスを変化させてもよい。この場合、DUTの実使用時の特性を評価できる。
第1、第2の実施の形態は、試験装置に関するものであった。第3の実施の形態は、回路システムに関する。
第4の実施の形態は、電源の性能を評価する電源評価装置および評価方法に関する。
図7は、半導体デバイス100aと電源10aを模式的に示すブロック図である。半導体デバイス100aは、CMOSプロセスを用いて構成されており、図示のごとく複数のインバータをはじめとするゲート素子を含んでいる。インバータのPチャンネルMOSFETとNチャンネルMOSFETが同時にオンすると、貫通電流It(through current)が流れる。半導体デバイス100aの動作状態に応じて、貫通電流が流れるパスの個数(密度)が変化する。半導体デバイス100aの消費電流(以下、デバイス電流ともいう)Idisは、貫通電流と、図示しない定常的な電流成分およびリーク電流を含んでいる。
Ic(t)=−Cs×dVdd(t)/dt …(1)
が成り立つ。またノード11におけるキルヒホッフの法則から、
Ip(t)=IddIR(t)+Ic(t) …(2)
なる関係が導かれる。式(1)、(2)から、
IddIR(t)=Ip(t)+Cs×dVdd(t)/dt …(3)
を得る。パルス電流Ipのパルス幅が十分に短いとき、このようにして得られた出力電流IddIR(t)は、インパルス応答とみなすことができる。以下、出力電流IddIR(t)をインパルス応答波形とも称する。
第5の実施の形態では、図1や図4の試験装置において、制御パターンデータCNTを好適に生成する技術を説明する。図10は、第5の実施の形態に係る試験装置200bの構成を示すブロック図である。
Idis(t)=IdisPRE(t)*Ip(t) …(4)
「*」は、畳み込みを示す演算子である。
Idd(t)=IdisPRE(t)*IddIR(t)…(5)
第6の実施の形態は、任意の電源環境をエミュレートする技術に関する。図11は、第6の実施の形態に係るエミュレート機能付きの電源装置700の構成を示すブロック図である。図11では、電源装置700が試験装置に組み込まれる形態を示すが、本発明はそれに限定されず、試験装置と無関係に構成してもよい。
第1インパルス応答波形データ提供部704aは、メイン電源10から単位パルス電流Ipを引き抜いたとき、それに応答してメイン電源10が吐き出す出力電流IddIR1(t)の波形を記述する第1インパルス応答波形データDIR1を提供する。
第2インパルス応答波形データ提供部704bは、エミューレート対象の仮想電源(不図示)から単位パルス電流Ipを引き抜いたとき、それに応答して仮想電源が吐き出す出力電流IddIR2(t)の波形を記述する第2インパルス応答波形データDIR2を提供する。第1インパルス応答波形データ提供部704aおよび第2インパルス応答波形データ提供部704bは、図8の電源評価装置500であってもよい。
Idd1(t)=IdisPRE(t)*IddIR1(t) …(6)
Idd2(t)=IdisPRE(t)*IddIR2(t) …(7)
エンコーダ714は、差分電流ΔI(t)にもとづき、制御パターンCNTを生成する。
Claims (35)
- 半導体デバイスと、
前記半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
前記半導体デバイスが実行する処理に応じたパルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
前記半導体デバイスが前記処理を実行する間、前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源とは別の経路から前記半導体デバイスの電源端子に補償電流を注入する補償回路と、
を備えることを特徴とする回路システム。 - 半導体デバイスと、
前記半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
前記半導体デバイスが実行する処理に応じたパルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
前記半導体デバイスが前記処理を実行する間、前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源からの電源電流の一部を、補償電流として前記半導体デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、
を備えることを特徴とする回路システム。 - 前記制御パターン生成部は、前記半導体デバイスに内蔵されており、前記半導体デバイスの動作状態に応じて前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項1または2に記載の回路システム。
- 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
前記被試験デバイスが実行する処理に応じたパルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
前記被試験デバイスが前記処理を実行する間、前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源とは別の経路から前記被試験デバイスの電源端子に補償電流を注入する補償回路と、
を備えることを特徴とする試験装置。 - 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
前記被試験デバイスが実行する処理に応じたパルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
前記被試験デバイスが前記処理を実行する間、前記制御パターンに応じて間欠的に、前記メイン電源からの電源電流の一部を補償電流として前記被試験デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、
を備えることを特徴とする試験装置。 - 前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が変化するタイミングに所定時間先行して、前記補償電流を変化させる前記制御パターンを前記補償回路に出力することを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
- 前記被試験デバイスに電源電圧が変化しない動作を実行させた状態で、第1のタイミングで前記補償電流を変化させる前記制御パターンを前記補償回路に出力するステップと、
前記制御パターンを与えた結果、前記被試験デバイスの電気的特性が変化する第2のタイミングを検出するステップと、
を実行し、
前記所定時間は、前記第1のタイミングと前記第2のタイミングの時間差に応じて定められることを特徴とする請求項6に記載の試験装置。 - 前記補償回路と前記被試験デバイスの間の配線長は、前記メイン電源と前記被試験デバイスの間の配線長よりも短いことを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
- 前記補償回路は、
前記メイン電源により生成される前記電源電圧より高い電圧を生成する電圧源と、
前記電圧源の出力端子と前記被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、前記制御パターンに応じてオン、オフが切りかえられるスイッチと、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の試験装置。 - 前記補償回路は、
所定の定電流を生成する電流源と、
前記電流源と前記被試験デバイスの電源端子の間に設けられ、前記制御パターンに応じてオン、オフが切りかえられるスイッチと、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の試験装置。 - 前記補償回路は、前記メイン電源の両極端子の間に設けられ、前記制御パターンに応じてオン、オフが切りかえられるスイッチを含むことを特徴とする請求項5に記載の試験装置。
- 前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの動作状態に応じて前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項4から11のいずれかに記載の試験装置。
- 前記制御パターンは、
前記被試験デバイスに、所定のテストパターンを与えた状態において流れる電流を計算機により算出するステップと、
各サイクルごとの電流から電源電流の連続成分を減算し、その結果に応じてサイクルごとの補償電流の量を算出するステップと、
算出された前記サイクルごとの補償電流の量が得られるように、パターン変調によって前記制御パターンを規定するステップと、
を実行して得られることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。 - 前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、前記補償回路が注入する補償電流の差が時間的に連続となるように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項4に記載の試験装置。
- 前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、前記補償回路が注入する補償電流の差が時間的に一定となるように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項4に記載の試験装置。
- 前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流と、前記補償回路が引きこむ補償電流の和が時間的に連続となるように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項5に記載の試験装置。
- 前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、あるタイミングで増加するとき、
前記制御パターン生成部は、前記補償回路が引きこむ補償電流が、前記あるタイミングに先立って、時間的に緩やかに増加するように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項5に記載の試験装置。 - 前記被試験デバイスの電源端子に流れ込む電流が、あるタイミングで減少するとき、
前記制御パターン生成部は、前記補償回路が引きこむ補償電流が、前記あるタイミング以降、時間的に緩やかに減少するように、前記パルス列のデューティ比を変化させることを特徴とする請求項5に記載の試験装置。 - 前記制御パターン生成部は、前記被試験デバイスの電源端子に供給される電源電圧にノイズを重畳させることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
- 前記制御パターン生成部は、前記パルス列のデューティ比を変化させて、前記電源端子から電源側を見たインピーダンスを変化させることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
- 前記被試験デバイスに出力すべきテストパターンを生成するパターン発生器をさらに備え、
前記制御パターンは、テストパターンごとに予め規定されることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。 - 前記被試験デバイスに出力すべきテストパターンを生成するパターン発生器をさらに備え、
前記制御パターン生成部は、前記制御パターンを、前記テストパターンと同期して生成することを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。 - 前記制御パターン生成部は、前記制御パターンを、ΔΣ変調、パルス幅変調、パルス密度変調のいずれかを用いて生成することを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。
- 前記制御パターン生成部は、
前記被試験デバイスが前記処理を実行するときに前記被試験デバイスを流れると予測されるデバイス電流の波形を単位パルス電流の重ね合わせの形式で定義する予測デバイス電流波形データを生成するデバイス電流モデリング部と、
前記メイン電源から前記単位パルス電流を引き抜いたとき、それに応答して前記メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を記述するインパルス応答波形データを生成するインパルス応答波形データ提供部と、
前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記単位パルス電流の波形とを畳み込みするとともに、前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記インパルス応答波形データとを畳み込みし、2つの畳み込みにより得られる2つの波形の差分波形にもとづき、前記制御パターンを生成する制御パターン演算部と、
を備えることを特徴とする請求項4または5に記載の試験装置。 - 前記デバイス電流モデリング部は、前記被試験デバイスに供給されるテストパターンと前記被試験デバイスの回路構造の情報にもとづき、前記予測デバイス電流波形データを生成することを特徴とする請求項24に記載の試験装置。
- 前記インパルス応答波形データは、
前記メイン電源に前記被試験デバイスが接続されない状態において、前記メイン電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、または前記メイン電源の出力ノードにパルス電流を供給するステップと、
前記パルス電流を前記メイン電源に作用させた結果生ずる前記電源電圧の時間変動波形を測定するステップと、
測定された前記電源電圧の時間変動波形から、前記メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出するステップと、
によってあらかじめ取得されることを特徴とする請求項24または25に記載の試験装置。 - 被試験デバイスの試験方法であって、
メイン電源を用いて前記被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するステップと、
パルス列を含む制御パターンを生成するステップと、
前記被試験デバイスが所定の処理を実行する間、前記メイン電源とは別に設けられた補償回路を用いて、前記制御パターンに応じて間欠的に前記被試験デバイスの電源端子に補償電流を注入し、および/または前記電源端子から前記被試験デバイスとは別経路に補償電流を引き抜くステップと、
を備え、
前記制御パターンを生成するステップは、
前記被試験デバイスが前記所定の処理を実行するときに前記被試験デバイスを流れると予測されるデバイス電流の波形を単位パルス電流の重ね合わせの形式で定義する予測デバイス電流波形データを提供するステップと、
前記メイン電源から前記単位パルス電流を引き抜いたとき、それに応答して前記メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を記述するインパルス応答波形データを提供するステップと、
前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記単位パルス電流の波形とを畳み込みするとともに、前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記インパルス応答波形データが記述する波形とを畳み込みし、2つの畳み込みにより得られる2つの波形の差分波形にもとづき、前記制御パターンを生成するステップと、
を含むことを特徴とする試験方法。 - 前記予測デバイス電流波形データは、前記被試験デバイスに供給されるテストパターンと前記被試験デバイスの回路構造の情報にもとづき生成されることを特徴とする請求項27に記載の試験方法。
- 前記インパルス応答波形データは、
前記メイン電源に前記被試験デバイスが接続されない状態において、前記メイン電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、または前記メイン電源の出力ノードにパルス電流を供給するステップと、
前記パルス電流を前記メイン電源に作用させた結果生ずる前記電源電圧の時間変動波形を測定するステップと、
測定された前記電源電圧の時間変動波形から、前記メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出するステップと、
によってあらかじめ取得されることを特徴とする請求項27または28に記載の試験方法。 - 半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給する電源の評価装置であって、
前記電源に前記半導体デバイスが接続されない状態において、前記電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、または前記電源の出力ノードにパルス電流を供給する電流源と、
前記パルス電流を作用させた結果生ずる前記電源電圧の時間変動波形を測定する測定器と、
前記電源電圧の時間変動波形から、前記電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出するアナライザと、
を備えることを特徴とする評価装置。 - 半導体デバイスの電源端子に電源電圧を供給する電源の評価方法であって、
前記電源に前記半導体デバイスが接続されない状態において、前記電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、または前記電源の出力ノードにパルス電流を供給するステップと、
前記パルス電流を前記電源に作用させた結果生ずる前記電源電圧の時間変動波形を測定するステップと、
測定された前記電源電圧の時間変動波形から、前記電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出するステップと、
を備えることを特徴とする評価方法。 - エミュレート機能付き電源装置であって、
被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するメイン電源と、
パルス列を含む制御パターンを生成する制御パターン生成部と、
前記被試験デバイスが所定の処理を実行する間、前記被試験デバイスの電源端子に前記制御パターンに応じて間欠的に補償電流を注入し、および/または前記メイン電源からの電源電流の一部を補償電流として前記被試験デバイスとは別の経路に引き込む補償回路と、
を備え、
前記制御パターン生成部は、
前記被試験デバイスが前記所定の処理を実行するときに前記被試験デバイスを流れると予測されるデバイス電流の波形を単位パルス電流の重ね合わせの形式で定義する予測デバイス電流波形データを生成するデバイス電流モデリング部と、
前記メイン電源から前記単位パルス電流を引き抜いたとき、それに応答して前記メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を記述する第1インパルス応答波形データを提供する第1インパルス応答波形データ提供部と、
エミューレート対象の電源から前記単位パルス電流を引き抜いたとき、それに応答して前記エミュレート対象の電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を記述する第2インパルス応答波形データを提供する第2インパルス応答波形データ提供部と、
前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記第1インパルス応答波形データが記述する波形とを畳み込みするとともに、前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記第2インパルス応答波形データが記述する波形とを畳み込みし、2つの畳み込みにより得られる2つの波形の差分波形にもとづき、前記制御パターンを生成する制御パターン演算部と、
を含むことを特徴とする電源装置。 - 前記第1、第2インパルス応答波形データはそれぞれ、
電源に前記被試験デバイスが接続されない状態において、前記電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、または前記電源の出力ノードにパルス電流を供給するステップと、
前記パルス電流を前記電源に作用させた結果生ずる前記電源電圧の時間変動波形を測定するステップと、
測定された前記電源電圧の時間変動波形から、前記電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出するステップと、
によってあらかじめ取得されることを特徴とする請求項32に記載の電源装置。 - 電源環境のエミュレート方法であって、
メイン電源を用いて被試験デバイスの電源端子に電源電圧を供給するステップと、
パルス列を含む制御パターンを生成するステップと、
前記被試験デバイスが所定の処理を実行する間、前記メイン電源とは別に設けられた補償回路を用いて、前記被試験デバイスの電源端子に前記制御パターンに応じて間欠的に補償電流を注入し、および/または前記電源端子から前記被試験デバイスとは別経路に補償電流を引き抜くステップと、
を備え、
前記制御パターンを生成するステップは、
前記被試験デバイスが前記所定の処理を実行するときに前記被試験デバイスを流れると予測されるデバイス電流の波形を単位パルス電流の重ね合わせの形式で定義する予測デバイス電流波形データを提供するステップと、
前記メイン電源から前記単位パルス電流を引き抜いたとき、それに応答して前記メイン電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を記述する第1インパルス応答波形データを提供するステップと、
エミュレート対象の電源から前記単位パルス電流を引き抜いたとき、それに応答して前記エミュレート対象の電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を記述する第2インパルス応答波形データを提供するステップと、
前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記第1インパルス応答波形データが記述する波形とを畳み込みするとともに、前記予測デバイス電流波形データが記述する波形と前記第2インパルス応答波形データが記述する波形とを畳み込みし、2つの畳み込みにより得られる2つの波形の差分波形にもとづき、前記制御パターンを生成するステップと、
を含むことを特徴とするエミュレート方法。 - 前記第1、第2インパルス応答波形データはそれぞれ、
電源に前記被試験デバイスが接続されない状態において、前記電源の出力ノードからパルス電流を引き抜き、または前記電源の出力ノードにパルス電流を供給するステップと、
前記パルス電流を前記電源に作用させた結果生ずる前記電源電圧の時間変動波形を測定するステップと、
測定された前記電源電圧の時間変動波形から、前記電源が吐き出し、および/または吸い込む出力電流の波形を導出するステップと、
によりあらかじめ取得されることを特徴とする請求項34に記載のエミュレート方法。
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