KR920022678A - 반도체 메모리 장치의 데이타 입력버퍼 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 메모리 장치의 데이타 입력버퍼
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 데이타 입력버퍼의 회로도,
제3도는 제2도의 기준전압 발생회로의 내부 구성도,
제4도는 본 발명에 따른 전압 및 전류 특성을 보여주는 그래프들,
제5도의(A)도는 입력트립마진에 본 발명과 종래의 시험결과를 대비한 도표.

Claims (6)

  1. 전원전압에 연결된 데이타입력버퍼에 있어서, 상기 전원전압과 소정의 레벨감지노드 사이에 연결되고 입력전압의 레벨에 따라 전류의 양이 조절되는 도전성통로와, 상기 도전성통로에 채널의 일단이 접속되고 채널의 타단이 접지전압단에 접속되고 게이트가 상기 전원전압의 레벨에 따르는 전압을 인가받는 절연게이트전계 효과 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타입력버퍼.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도전성통로가 상지 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 채널의 일단과 상기 레벨 감지 노드 사이에 채널이 연결되고 상기 입력전압에 게이트가 접속된 피채널 모오스트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타입력버퍼.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레벨감지노드와 접지전압단 사이에 채널이 연결되고 상기 입력전압에 게이트가 접속된 엔채널 모오스트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타입력버퍼.
  4. 제1항에 있어서, 상기 절연게이트 전계효과트랜지스터의 게이트가 각기 서로 다른 클램핑 전압을 발생하는 복수개의 클램프회로들을 가지는 전압발생회로의 출력단에 접속되어 있음을 특징으로 하는 데이타입력버퍼.
  5. 전원전압단에 연결되고 씨모오스인버터 회로를 가지는 데이타 입력버퍼에 있어서, 피모오스 트랜지스터의 소오스와 상기 전원전압단 사이의 노드에 채널의 일단이 접속되고 접지전압단에 채널의 타단이 접속되고 상기 전원전압의 레벨에 따르는 전압에 의하여 전도성이 제어되는 절연게이트 전계효과 트랜지스터와, 상기 전원전압에 연결되고 각기 서로 다른 크램핑전압을 발생하는 복수개의 클램프 회로들을 가지며 상기 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 게이트에 출력단이 접속된 전압발생회로를 구비함을 특징으로 하는 데이타입력버퍼.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전원전압이 제1상태에서 있는 경우에는 상기 노드가 충전되고, 상기 전원전압이 제2 상태에 있는 경우에는 상기 노드가 상기 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 채널을 통하여 접지전압단으로 방전됨을 특징으로 하는 데이타입력버퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910008453A 1991-05-24 1991-05-24 반도체메모리장치의 데이타입력버퍼 KR930008661B1 (ko)

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