KR970003924A - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

프린트 기판상의 배선등의 신호 전송로에 신호를 출력시키기 위한 출력회로를 구비하여 이루어지는 반도체 장치에 관한 것으로, 하이레벨값의 정확하면서, 또한 CMOS 레벨의 신호보다도 작은 진폭의 출력신호를 출력시킬 수 있고, 또 고정밀도 저항을 필요로 하지 않으며, 제조 공정의 증가를 초래하지 않는 출력회로를 구비한 반도체 장치의 제공을 목적으로 한다.
데이타 DATA=로우레벨, pMOS 트랜지스터(29)=도통이 되는 경우, 차동 증폭기(31)에 의해 pMOS 트랜지스터(28)의 게이트 전압을 제어하고, 노드(32)의 전압이 전원전압 VT1이 되도록 하며, 출력신호 OUT1의 하이레벨값을 전원전압 VDD 보다도 저전압인 전원전압 VT1이 되도록 제어한다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 주요부를 도시하는 회로도.

Claims (17)

  1. 소스에 제1전압이 인가되는 제1전계효과 트랜지스터와, 소스가 상기 제1전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 게이트가 신호 입력단이 되며, 드레인이 신호 출력단으로 된 제2전계효과 트랜지스터와, 이 제2전계효과 트랜지스터가 도통 상태로 된 경우에, 상기 제2전계효과 트랜지스터의 드레인 전압이 제2전압이 되도록 상기 제1전계효과 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제어회로를 가지고 구성된 출력회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어회로는 비반전 입력 포트가 상기 제2전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 반전 입력 포트에 상기 제2전압이 공급되며, 출력 포트가 상기 제1전계효과 트랜지스터의 게이트에 접속된 차동증폭기를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2전압을 외부로부터 인가하기 위한 입력 단자를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2전계효과 트랜지스터는 p채널 전계효과 트랜지스터이며, 상기 제2전압은 상기 제1전압보다도 저전압인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2전계효과 트랜지스터는 p채널 전계효과 트랜지스터이며, 상기 제2전압은 상기 제1전압보다도 저전압인 것을 특징으로 하는 반도체 장치
  6. 제4항에 있어서, 일단이 상기 제2전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 타단에 상기 제2전압보다도 저전압인 제3전압이 공급되는 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 일단이 상기 제2전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 타단에 상기 제2전압보다도 저전압인 제3전압이 공급되는 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2전계효과 트랜지스터는 n채널 전계효과 트랜지스터이며, 상기 제2전압은 상기 제1전압보다도 고전압인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2전계효과 트랜지스터는 n채널 전계효과 트랜지스터이며, 상기 제2전압은 상기 제1전압보다도 고전압인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제8항에 있어서, 일단이 상기 제2전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 타단에 상기 제2전압보다도 고전압인 제3전압이 인가되는 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제9항에 있어서, 일단이 상기 제2전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 타단에 상기 제2전압보다도 고전압인 제3전압이 인가되는 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 소스에 제1전압이 공급되는 제1 p채널 전계효과 트랜지스터와, 소스가 상기 제1 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 동작시, 도통 상태가 되는 제2 p채널 전계효과 트랜지스터와, 이 제2 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인 전압이 상기 제1전압보다도 저전압인 제2전압으로 유지되도록 상기 제1전계효과 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제1제어회로와, 소스에 상기 제2전압보다도 저전압인 제3전압이 공급되는 제1 n채널 전계효과 트랜지스터와, 소스가 상기 제1 n채널 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 동작시, 도통 상태가 되는 제2 n채널 전계효과 트랜지스터와, 이 제2 n채널 전계효과 트랜지스터의 드레인 전압이 상기 제3전압보다도 고전압이면서, 또한, 상기 제2전압보다도 저전압인 제4전압으로 유지되도록 상기 제1 n채널 전계효과 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 제2제어회로와, 상기 제1, 제2제어회로에 제어되고, 하이레벨값을 상기 제2 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인 전압과 동일 전압으로 하며, 로우레벨값을 상기 제2 n채널 전계효과 트랜지스터의 드레인 전압과 동일 전압으로 하는 출력신호를 출력하는 출력신호 생성회로를 가지고 이루어지는 출력회로를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1제어회로는 비반전 입력 포트와 상기 제2 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 반전 입력 포트에 상기 제2전압이 공급되고, 출력 포트가 상기 제1 p채널 전계효과 트랜지스터의 게이트에 접속된 제1차동증폭기를 가지며, 상기 제2제어회로는 비반전 입력 포트가 상기 제2 n채널 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되고, 반전 입력 포트에 상기 제 4전압이공급되며, 출력 포트가 상기 제1 n채널 전계효과 트랜지스터의 게이트에 접속된 제2차동증폭기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 출력신호 생성회로는 소스에 상기 제1전압이 공급되고, 게이트가 상기 제1차동증폭기의 출력 포트에 접속된 제3 p채널 전계효과 트랜지스터와, 소스가 상기 제3 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 드레인이 제1출력 단자에 접속되고, 제1신호에 의해 도통 및 비도통이 제어되는 제4 p채널전계효과 트랜지스터와, 드레인이 상기 제1출력 단자에 접속되며, 상기 제1신호에 의해 도통 및 비도통이 제어되는 제3 n채널 전계효과 트랜지스터와, 드레인에 상기 제3 n채널 전계효과 트랜지스터의 소스에 접속되며, 소스에 상기 제3전압이 공급되고, 게이트가 상기 제2차동증폭기의 출력 포트에 접속된 제4 n채널 전계효과 트랜지스터로 이루어지는 인버터를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 출력신호 생성회로는 소스에 상기 제1전압이 공급되고, 게이트가 상기 제1차동증폭기의 출력 포트에 접속된 제5 p채널 전계효과 트랜지스터와, 소스가 상기 제5 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인에 접속되며, 드레인에 제2출력 단자에 접속되고, 상기 제1신호와 반전 관계에 있는 제2신호에 의해 도통 및 비도통이 제어되는 제6 p채널 전계효과 트랜지스터와, 드레인이 상기 제2출력 단자에 접속되고, 상기 제2신호에 의해 도통 및 비도통이 제어되는 제5 n채널 전계효과 트랜지스터와, 드레인이 상기 제5 n채널 전계효과 트랜지스터의 소스에 접속되며, 소스에 상기 제3전압이 공급되며, 게이트가 상기 제2차동증폭기의 출력 포트에 접속된 제6 n채널 전계호과 트랜지스터로 이루어지는 제2인버터를 가지고, 상기 출력신호외에, 상기 출력신호와 반전 관계에 있는 출력신호를 출력하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 p채널 전계효과 트랜지스터의 드레인과, 상기 제2 n채널 전계효과 트랜지스터의 드레인과의 사이에 저항이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 저항은 제1저항과 제2저항을 직렬 접속하여 구성되고, 상기 제1저항과 상기 제2저항의 접속점에, 상기 제2전압과 상기 제4전압의 중간 전압을 인가할 수 있도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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