KR960038997A - 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로 Download PDF

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KR960038997A
KR960038997A KR1019950010324A KR19950010324A KR960038997A KR 960038997 A KR960038997 A KR 960038997A KR 1019950010324 A KR1019950010324 A KR 1019950010324A KR 19950010324 A KR19950010324 A KR 19950010324A KR 960038997 A KR960038997 A KR 960038997A
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야 :
본 발명은 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 :
종래의 경우 전류센스앰프를 구성하는 트랜지스터들이 직렬로 연결됨에 따라 상기 직렬연결된 트랜지스터들의 드레스홀드전압의 합이상이 되는 전압에서 상기 전류센스앰프회로는 정상적인 동작이 가능하였다. 상기의 전류센스앰프회로에 있어서, 고집적화로 인한 저전원전압에서 동작하게 되면 센싱속도가 느려지고 오동작하게 되는 위험요소가 발생된다.
3. 발명의 해결방법의 요지 :
본 발명은 상기의 문제점을 해결하고자 직렬접속되는 트랜지스터중 상기 전류센스앰프회로를 구성하는 소정의 트랜지스터의 게이트단에 서브입출력라인쌍의 소정부분과 교차접속하였다.
4. 발명의 중요한 용도 :
본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회가 제공되므로써 오동작을 방지하는 동시에 센싱속도가 빨라지는 반도체 메모리장치가 구현될 뿐만 아니라 고집적화로 인하여 필연적으로 수반될 저전원전압레벨에서 안정적인 센싱동작을 수행하는 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로가 구현된다.

Description

반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 전류센스앰프회로 및 전류센스앰프회로와 접속되는 반도체 메모리장치의 코아부구성을 보여주는 회로도.

Claims (3)

  1. 서브입출력라인쌍과 입출력라인쌍을 갖는 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로에 있어서, 일단이 제1입력라인에 접속되고 타단이 제1출력라인에 접속된 제1트랜지스터와, 일단이 제2입력단에 접속되고 타단이 제2출력단 및 상기 제1트랜지스터의 게이트단자에 접속되며 게이트단이 상기 제1트랜지스터의 타단과 접속되는 제2트랜지스터와, 제1출력라인에 일단이 접속되며 게이트단이 상기 제2트랜지스터의 일단과 접속되는 제3트랜지스터와, 제2출력라인에 일단이 접속되며 게이트단이 상기 제1트랜지스터의 일단과 접속되며 타단이 상기 제3트랜지스터의 타단과 접속되는 제4트랜지스터와, 상기 제3 및 제4트랜지스터의 타단끼리 접속되는 노드와 접지전압 단자 사이에 채널이 접속되며 활성화신호 Yes1에 응답하여 상기 서브입출력라인에서 접지전압단자로 방전되는 전류의 양을 제어하는 제5트랜지스터로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터가 엔모오스 트랜지스터이고, 상기 제3 및 제4트랜지스터가 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터가 피모오스 트랜지스터이고, 상기 제3 및 제4트랜지스터가 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950010324A 1995-04-28 1995-04-28 반도체 메모리장치의 전류센스앰프회로 KR0145855B1 (ko)

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JP10555396A JP3172436B2 (ja) 1995-04-28 1996-04-25 半導体メモリ装置の電流センスアンプ回路
FR9605297A FR2733622B1 (fr) 1995-04-28 1996-04-26 Amplificateur de lecture de courant destine a etre utilise dans un dispositif de memoire a semi-conducteurs

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6058058A (en) * 1997-08-22 2000-05-02 Micron Technology, Inc. Memory device with a sense amplifier
US5815452A (en) * 1997-06-12 1998-09-29 Enable Semiconductor, Inc. High-speed asynchronous memory with current-sensing sense amplifiers
US5936432A (en) * 1997-10-20 1999-08-10 Hyundai Electronics America, Inc. High speed low power amplifier circuit
JP3609260B2 (ja) * 1998-07-17 2005-01-12 沖電気工業株式会社 半導体装置の増幅回路
US6064613A (en) * 1998-12-28 2000-05-16 Etron Technology, Inc. Pre-sense amplifier with reduced output swing
KR100322539B1 (ko) * 1999-07-10 2002-03-18 윤종용 반도체 집적회로의 감지 증폭장치
US7477076B2 (en) * 2006-12-04 2009-01-13 International Business Machines Corporation Low-voltage, low-power-consumption, and high-speed differential current-sense amplification
US7567473B2 (en) 2007-09-18 2009-07-28 International Business Machines Corporation Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition
US7764533B2 (en) * 2007-09-18 2010-07-27 International Business Machines Corporation Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition
US7602631B2 (en) 2007-09-18 2009-10-13 International Business Machines Corporation Multi-level memory cell utilizing measurement time delay as the characteristic parameter for level definition
US8289796B2 (en) 2010-01-26 2012-10-16 Micron Technology, Inc. Sense amplifier having loop gain control
US8705304B2 (en) * 2010-03-26 2014-04-22 Micron Technology, Inc. Current mode sense amplifier with passive load
US8283950B2 (en) 2010-08-11 2012-10-09 Micron Technology, Inc. Delay lines, amplifier systems, transconductance compensating systems and methods of compensating
US8810281B2 (en) 2011-07-26 2014-08-19 Micron Technology, Inc. Sense amplifiers including bias circuits

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4247791A (en) * 1978-04-03 1981-01-27 Rockwell International Corporation CMOS Memory sense amplifier
US4586166A (en) * 1983-08-31 1986-04-29 Texas Instruments Incorporated SRAM with improved sensing circuit
EP0218747B1 (en) * 1985-10-15 1991-05-08 International Business Machines Corporation Sense amplifier for amplifying signals on a biased line
US4816706A (en) * 1987-09-10 1989-03-28 International Business Machines Corporation Sense amplifier with improved bitline precharging for dynamic random access memory
US4831287A (en) * 1988-04-11 1989-05-16 Motorola, Inc. Latching sense amplifier
US5134319A (en) * 1990-01-10 1992-07-28 Fujitsu Limited Bicmos differential amplifier having improved switching speed
JP2912095B2 (ja) * 1992-09-03 1999-06-28 シャープ株式会社 メモリ装置
KR100256120B1 (ko) * 1993-09-22 2000-05-15 김영환 고속 감지 증폭기
JP3356196B2 (ja) * 1995-04-10 2002-12-09 日本電信電話株式会社 ラッチ型センス回路

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DE19615327A1 (de) 1996-11-07
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FR2733622B1 (fr) 1998-11-13
DE19615327C2 (de) 1999-06-02
GB2300289B (en) 1997-07-16
GB2300289A (en) 1996-10-30

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