KR960035645A - 전력 감소형 메모리 차동 전압 감지 증폭기 및 전력 감소 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 메모리 어레이용 반도체 감지 증폭기에 있어서, 이 감지 증폭기는 2개의 차동 증폭기를 갖고 있고, 반도체 소자는 각각의 차동 증폭기의 공통 회로 내에 배치되며, 이 공통 회로는 각각의 차동 증폭기의 차동 부품들을 구동시키는 전류원을 포함한다. 반도체 소자의 제어 단자는 감지 증폭기의 2개의 출력신호 단자에 결합된다. 이 구성에서, 감지 증폭기가 인에이블되는 동안 전형적으로 도통되는 한 차동 증폭기는 한 비트라인 상의 입력 신호들 중 하나가 소멸되었을 때 스위치 오프된다. 이러한 자동 전류 도통 종료는 전력을 절약할 수 있으며, 신호 발생기를 인에이블링시키는 감지 증폭기의 요구 조건을 제거할 수 있다.

Description

전력 감소형 메모리 차동 전압 감지 증폭기 및 전력 감소 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명에 의한 반도체 메모리용 감지 증폭기의 개략도.

Claims (20)

1. 감지 증폭기에 있어서, 각각은 공통 단자를 갖고 있고, 각각은 피드백 소자 및 전류원을 갖고 있는 제1 및 제2 자동 증폭기를 포함하고; 상기 피드백 소자는 상기 공통 단자에 결합되고, 상기 전류원은 상기 관련 차동 증폭기의 트랜지스터에 결합되며; 상기 전류원들의 제어 단자들은 함께 결합되고, 상기 각각의 피드백 소자의 제어 단자는 비관련 차동 증폭기의 출력 신호에 결합되는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
2. 제1항에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기에서, 상기 피드백 소자는 제1 트랜지스터이고, 상기 전류원은 제2 트랜지스터이며, 상기 각각의 차동 증폭기는 병렬로 접속된 제3 및 제4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
3. 제2항에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기로부터의 출력 신호는 제5 트랜지스터에 의해 인에이블되고, 상기 각각의 제5 트랜지스터는 인에이블링 신호에 의해 활성화되는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
4. 제2항에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기는 제3 트랜지스터와 직렬 관계에 있는 제5 트랜지스터, 및 상기 제4 트랜지스터와 직렬로 결합된 제6 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 트랜지스터들은 n-채널 전계 효과 트랜지스터이고, 상기 제5 및 제6 트랜지스터들은 p-채널 전체 효과 트랜지스터들인 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
6. 제5항에 있어서, 상기 차동 증폭기는 상기 제6 트랜지스터와 병렬고 결합된 제7 p-채널 전계 효과 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제7 p-채널 전계 효과 트랜지스터는 관련 차동 증폭기의 출력 단자를 인에리블시키기 위한 제어 신호에 응답하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
7. 제1항에 있어서, 선정된 차동 증폭기는 입력 신호의 소멸 중에 전체적으로 전류의 도통을 정지시키는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
8. 다른 차동 증폭기의 제어 단자에 결합된 제어 단자를 갖는 전류원을 각자 구비한 2개의 차동 증폭기를 포함하는 감지 증폭기에서 전력을 감소시키는 방법에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기 내의 공통 단자와 전류원 사이에 제1 트랜지스터를 결합하는 단계; 및 상기 각각의 제1 트랜지스터의 제어 단자를 상기 다른 차동 증폭기의 출력 단자에 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기에서의 전력 감소 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기의 입력 단자로부터 상기 각각의 차동증폭기의 출력 단자까지의 이득이 1 이하가 되는 구성 부품을 선택하는 단게를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 중폭기에서의 전력 감소 방법.
10. 제9항에 있어서, 상기 결합 단계는 상기 감지 증폭기가 인에이블될 때 정상적으로 도통되는 선정된 자동 증폭기를 통하는 전류 흐름을, 입력 신호가 소멸되었을 때 정지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기에서의 전력 감소 방법.
11. 제어 소자에 인가된 입력 신호를 수신하기 위한 제1 및 제2 트랜지스터를 각자 갖는 제1 및 제2 차동 증폭기를 포함하며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 공통 단자에 결합되고, 상기 각각의 공통 단자에는 전류원 트랜지스터가 결합되어 있고, 상기 전류원 트랜지스터들 각각의 제어 단자가 함께 결합되어 있는 형태의 감지 증폭기에 있어서, 상기 공통 단자와 상기 전류원 트랜지스터 사이에 결합되며, 각각은 다른 차동 증폭기의 출력 단자에 결합되는 피드백 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
12. 제11항에 있어서, 트랜지스터 파라메터는 상기 감지 증폭기의 래치-업을 방지하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
13. 제11항에 있어서, 상기 감지 증폭기가 인에이블될 때 정상적으로 도통되는 선정된 차동 증폭기는 입력 신호가 소멸될 때 전류 도통을 정지시키는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
14. 감지 증폭기에 있어서, 제1 및 제2 차동 증폭기를 포함하고 상기 각각의 차동 증폭기는 공통 단자에 병렬로 결합되어, 각각에 입력 신호가 인가되는 제1 및 제2 입력 트랜지스터; 상기 공통 단자에 결합되어, 다른 차동 증폭기의 출력 단자에 결합된 제어 소자를 갖고 있는 피드백 트랜지스터; 및 전류원 트랜지스터 둘 다의 제어 단자들이 결합되는, 상기 피드백 트랜지스터에 결합된 전류원 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
15. 제14항에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기는 입력 트랜지스터와 직렬로 결합된 제어 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
16. 제14항에 있어서, 상기 입력 트랜지스터, 상기 피드백 트랜지스터 및 상기 전류원 트랜지스터는 n-채널 전계 효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
17. 제16항에 있어서, 상기 각각의 차동 증폭기는 상기 각각의 입력 트랜지스터와 직렬로 결합된 p-채널 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 각각의 차동 증폭기 내의 상기 p-채널 트랜지스터들의 제어 소자들이 함께 결합되는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
18. 제17항에 있어서, 선택된 p-채널 트랜지스터와 병렬로 결합된 p-채널 인에이블링 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 인에입르링 트랜지스터는 상기 감지 증폭기를 활성화시키기 위한 인에이블링 신호에 응답하는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
19. 제14항에 있어서, 상기 차동 증폭기들 중 선정된 차동 증폭기는 입력 신호의 소멸 중에 전류 도통을 정지시키는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.
20. 제16항에 있어서, 트랜지스터 파라메터는 입력 단자로부터 출력단자까지의 이득이 1 이하가 되도록 선택되는 것을 특징으로 하는 감지 증폭기.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.