KR960035629A - 반도체 메모리장치의 감지증폭기회로 - Google Patents

반도체 메모리장치의 감지증폭기회로 Download PDF

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KR960035629A KR1019950007518A KR19950007518A KR960035629A KR 960035629 A KR960035629 A KR 960035629A KR 1019950007518 A KR1019950007518 A KR 1019950007518A KR 19950007518 A KR19950007518 A KR 19950007518A KR 960035629 A KR960035629 A KR 960035629A
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 메모리장치의 감지증폭기회로
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
미세 전류의 입력신호를 안정되게 감지 증폭함
3. 발명의 해결 방법의 요지
반도체 메모리장치의 전류 감지증폭기 회로를, 제1 및 제2입력노드로 입력되는 신호 전류들을 감지하여 두 신호의 차를 증폭하여 제1 및 제2출력노드로 출력하는 차동증폭수단과 상기 제2입력노드와 전류제어노드 사이에 연결되면 제어단이 상기 제1출력노드에 연결되는 제1궤환소자와, 상기 제1입력노드와 전류제어노드 사이에 연결되며 제어단이 상기 제2출력노드에 연결되는 제2궤환소자로 구성함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리장치에서 저전압. 작은 전류신호 및 큰 입력 부하용량에서 감지 동작을 안정되게 수행할 수 있음.

Description

반도체 메모리장치의 감지증폭기회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치에서 전류 감지증폭기 회로의 제1실시예 구성을 도시하는 도면, 제4도는 제3도의 입력 및 출력 특성을 도시하는 파형도, 제5도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치에서 전류 감지증폭기 회로의 제2실시예 구성을 도시하는 도면, 제6도는 본 발명에 따른 반도체 메모리장치에서 전류 감지증폭기 회로의 제3실실예 구성을 도시하는 도면.

Claims (5)

  1. 반도체 메모리장치의 감지증폭기회로에 있어서, 제1 및 제2입력노드로 입력되는 신호 전류들을 감지하여 두 신호의 차를 증폭하여 제1 및 제2출력노드로 출력하는 차동증폭수단과 상기 제2입력노드와 전류제어노드 사이에 연결되며 제어단이 상기 제1출력노드에 연결되는 제1궤환소자와, 상기 제1입력노드와 전류제어노드 사이에 연결되며 제어단이 상기 제2출력노드에 연결되는 제2궤환소자로 구성되는 것을 특징으로 하는 전류 감지증폭기회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1궤환소자 및 제2궤환소자가 엔모오스트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전류 감지증폭기회로.
  3. 반도체 메모리장치의 감지증폭기회로에 있어서, 제1전압과 제1 및 제2입력노드 사이에 각각 연결되는 다이오드 타입의 제1 및 제2바이어스 트랜지스터들과, 상기 제1 및 제2입력노드와 상기 제1 미 제2출력노드 사이에 각각 연결되며 게이트전극이 상기 출력노드에 교차 연결되는 제1 및 제2증폭트랜지스터들과, 상기 제1 및 제2출력노드와 전류제어노드 사이에 각각 연결되는 다이오드 타입의 제1 및 체2로드트랜지스터들과, 상기 전류제어노드와 제2전압 사이에 연결되며 게이트전극이 제어신호에 연결되는 전류제어 트랜지스터와, 상기 제2입력노드와 전류제어노드 사이에 연결되며 게이트전극이 상기 제1출력노드에 연결되는 제1궤환트랜지스터와, 상기 제1입력노드와 전류제어노드 사이에 연결되며 게이트전극이 상기 제2출력노드에 연결되는 제2궤환트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 전류 감지증폭기회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 트랜지스터들의 드레시홀드 전압이 0.5V 이하인 것을 특징으로 하는 전류 감지증포기회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1전압이 전원전압이고 제2전압이 접지전압인 것을 특징으로 하는 전류 감지증폭기회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950007518A 1995-03-31 1995-03-31 반도체 메모리장치의 감지증폭기 회로 KR0142952B1 (ko)

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