KR960026883A - 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조 - Google Patents

반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조 Download PDF

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KR960026883A
KR960026883A KR1019940032373A KR19940032373A KR960026883A KR 960026883 A KR960026883 A KR 960026883A KR 1019940032373 A KR1019940032373 A KR 1019940032373A KR 19940032373 A KR19940032373 A KR 19940032373A KR 960026883 A KR960026883 A KR 960026883A
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윤연종
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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 마스크롬의 센스 앰프의 동작을 안정화하는데 적당하도록한 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조에 관한 것이다.
상기와 같은 본 발명의 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조는 각각의 소스단자가 더미 비트라인에 연결되고 제1셀렉트라인에 게이트 단자가 공통으로 연결되는 제1디플리션 트랜지스터, 제1인핸스먼트 트랜지스터와, 제2셀렉트 라인에 게이트 단자가 공통으로 연결되고 상기 제1디플리션 트랜지스터에 소스 단자가 접속되는 제2인핸스먼트 트랜지스터, 상기 제1인핸스먼트 트랜지스터에 소스 단자가 접속되는 제2디플리션 트랜지스터를 포함하여 구성되는 리퍼런스 셀이 더미 비트라인에 형성되는 것으로 이루어진다.

Description

반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 마스크롬의 레이아웃도, 제4도는 본 발명의 마스크롬의 리퍼런스 셀 구조를 나타낸 회로도.

Claims (3)

  1. 복수개의 메모리셀과 더미 비트 신호를 출력하는 더미 비트 라인과 상기 메모리셀과 더미 비트 라인의 출력 신호를 입력으로 신호를 센싱하는 센스 앰프를 구비하여 형성된 마스크 ROM 반도체 소자에 있어서, 각각의 소스단자가 더미 비트라인에 연결되고 제1셀렉트라인에 게이트 단자가 공통으로 연결되는 제1디플리션 트랜지스터, 제1인핸스먼트 트랜지스터와, 제2셀렉트 라인에 게이트 단자가 공통으로 연결되고 상기 제1디플리션 트랜지스터에 소스 단자가 접속되는 제2인핸스먼트 트랜지스터와, 상기 제1인핸스먼트 트랜지스터에 소스 단자가 접속되는 제2디플리션 트랜지스터를 포함하여 구성되는 리퍼런스 셀이 더미 비트라인에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조.
  2. 제1항에 있어서, 제2인핸스먼트 트랜지스터와 제2디플리션 트랜지스터에는 각각의 워드 라인에 공통으로 게이트 단자가 접속되는 복수개의 디플리션 트랜지스터가 각각 직력 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조.
  3. 제1항에 있어서, 리퍼런스 셀의 마지막 단에는 리퍼런스 셀에 흐르는 전류의 양을 조절하기 위한 전류제한용 디플리션 트랜지스터가 접지단에 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940032373A 1994-12-01 1994-12-01 반도체 소자의 리퍼런스 셀 구조 KR0156127B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100501583B1 (ko) * 1998-10-27 2005-09-30 주식회사 하이닉스반도체 센스앰프 회로
KR100548587B1 (ko) * 1998-09-10 2006-04-07 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리의 기준셀 모니터링 회로
KR101017046B1 (ko) * 2004-09-03 2011-02-23 매그나칩 반도체 유한회사 센스앰프 레퍼런스 셀 제어 회로

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