KR880003334A - 스태틱형 반도체 기억장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 제1실시예의 구조를 나타낸 블록도.
제6도∼제7도는 본 발명에 따른 제2∼제4실시예중 주요 부분의 구조를 나타낸 회로도.
Claims (5)
- 데이터 저장용으로 사용되는 다수의 스태틱형 메모리셀(10)과, 상기 메모리셀(10)에 대한 데이터 전송용으로 상기 메모리셀910)에 접속되는 비트선(11A,11B)및, 입력단자를 갖추고 있으면서 상기 메모리셀(10)로 부터 데이터가 전송될 때 비트선(11A,11B)의 전위를 증폭시켜 주는 감지증폭기(17)를 구비하고 있는 스태틱형 반도체 기억장치에 있어서, 상기 감지증폭기(17)의 입력단자의 전위를 감지증폭기의 최적감도에 대응되는 전위로 저하시키도록 상기 입력단자에 접속되는 전위저하 수단을 구비하여, 반도체 장치내에서의 데이터 전송 속도를 높이게 되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력 단자와 기준전위(Vss)간에 접속되어지는 n챈널 MOS트랜지스터(31)로 구성되고, 상기 n챈털 MOS트랜지스터(31)의 게이트와 드레인이 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력 단자와 기준전위(Vss)간에 접속되어지는 n챈널 MOS트랜지스터(31)로 구성되고, 상기 n챈널 MOS트랜지스터(31)의 게이트가 전원전위(VDD)에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력 단자와 기준전위(Vss)간에 접속되어지는 P챈널 MOS트랜지스터(32)로 구성되고, 상기 P챈널 MOS트랜지스터(32)의 게이트와 드레인이 공통으로 접속되어서 상기 기준전위(Vss)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
- 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력단자와 기준전위(Vss)간에 접속되는 저항(33)으로 구성된 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61203366A JPS6358698A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | スタテイツク型半導体記憶装置 |
JP203366 | 1986-08-29 | ||
JP61203337A JPS6358697A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | スタテイツク型半導体記憶装置 |
JP203337 | 1986-08-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880003334A true KR880003334A (ko) | 1988-05-16 |
Family
ID=26513874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR870009528A KR880003334A (ko) | 1986-08-29 | 1987-08-29 | 스태틱형 반도체 기억장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
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KR (1) | KR880003334A (ko) |
Families Citing this family (3)
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JP2812097B2 (ja) * | 1992-09-30 | 1998-10-15 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
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Family Cites Families (3)
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JPS57127989A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-09 | Hitachi Ltd | Mos static type ram |
US4694429A (en) * | 1984-11-29 | 1987-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor memory device |
-
1987
- 1987-08-11 EP EP87307107A patent/EP0257912A3/en not_active Withdrawn
- 1987-08-29 KR KR870009528A patent/KR880003334A/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0257912A3 (en) | 1989-08-23 |
EP0257912A2 (en) | 1988-03-02 |
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