KR880003334A - 스태틱형 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR880003334A
KR880003334A KR870009528A KR870009528A KR880003334A KR 880003334 A KR880003334 A KR 880003334A KR 870009528 A KR870009528 A KR 870009528A KR 870009528 A KR870009528 A KR 870009528A KR 880003334 A KR880003334 A KR 880003334A
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KR
South Korea
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potential
input terminal
sense amplifier
semiconductor memory
mos transistor
Prior art date
Application number
KR870009528A
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English (en)
Inventor
미츠오 이소베
데츠야 이즈카
아키라 아오노
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
다케다이 마사다카
도시바 마이콤 엔지니어링 가부시키가이샤
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

스태틱형 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 제1실시예의 구조를 나타낸 블록도.
제6도∼제7도는 본 발명에 따른 제2∼제4실시예중 주요 부분의 구조를 나타낸 회로도.

Claims (5)

  1. 데이터 저장용으로 사용되는 다수의 스태틱형 메모리셀(10)과, 상기 메모리셀(10)에 대한 데이터 전송용으로 상기 메모리셀910)에 접속되는 비트선(11A,11B)및, 입력단자를 갖추고 있으면서 상기 메모리셀(10)로 부터 데이터가 전송될 때 비트선(11A,11B)의 전위를 증폭시켜 주는 감지증폭기(17)를 구비하고 있는 스태틱형 반도체 기억장치에 있어서, 상기 감지증폭기(17)의 입력단자의 전위를 감지증폭기의 최적감도에 대응되는 전위로 저하시키도록 상기 입력단자에 접속되는 전위저하 수단을 구비하여, 반도체 장치내에서의 데이터 전송 속도를 높이게 되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력 단자와 기준전위(Vss)간에 접속되어지는 n챈널 MOS트랜지스터(31)로 구성되고, 상기 n챈털 MOS트랜지스터(31)의 게이트와 드레인이 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력 단자와 기준전위(Vss)간에 접속되어지는 n챈널 MOS트랜지스터(31)로 구성되고, 상기 n챈널 MOS트랜지스터(31)의 게이트가 전원전위(VDD)에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력 단자와 기준전위(Vss)간에 접속되어지는 P챈널 MOS트랜지스터(32)로 구성되고, 상기 P챈널 MOS트랜지스터(32)의 게이트와 드레인이 공통으로 접속되어서 상기 기준전위(Vss)에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 전위저하수단이 감지증폭기(17)의 입력단자와 기준전위(Vss)간에 접속되는 저항(33)으로 구성된 것을 특징으로 하는 스태틱형 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870009528A 1986-08-29 1987-08-29 스태틱형 반도체 기억장치 KR880003334A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61203366A JPS6358698A (ja) 1986-08-29 1986-08-29 スタテイツク型半導体記憶装置
JP203366 1986-08-29
JP61203337A JPS6358697A (ja) 1986-08-29 1986-08-29 スタテイツク型半導体記憶装置
JP203337 1986-08-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR880003334A true KR880003334A (ko) 1988-05-16

Family

ID=26513874

Family Applications (1)

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KR870009528A KR880003334A (ko) 1986-08-29 1987-08-29 스태틱형 반도체 기억장치

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EP (1) EP0257912A3 (ko)
KR (1) KR880003334A (ko)

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Publication number Publication date
EP0257912A3 (en) 1989-08-23
EP0257912A2 (en) 1988-03-02

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