KR880008337A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR880008337A
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아오이 죠이치
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체 기억장치의 구성를 도시해 놓은 회로도,
제2도, 제3도는 상기 실시예회로의 각부를 구체적으로 도시해 놓은 회로도.

Claims (13)

  1. 복수개의 메모리셀(12)과, 이 메모리셀(12)에 접속되는 비드선(BL1)을 구비하여서 된 반도체 기억장치에 있어서, 상기 비트선(BLI)에 형성되는 복수개의 부분 비트선(BL1a∼BL1c)과, 이 부분비트선(BL1a∼BL1c)을 접속 및 절단시켜 주는 스위칭 수단(11), 기준전위를 기억시겨 주는 기준전위 구단(13) 및, 기준전위와 더불어 어드레스된 메모리셀(12)의 줄력을 비교해 주는 감지증폭기 수단(SA1∼SA3)을 구비해서 n개 다른 기억전위를 사용한 n개 값의 데이터로 기억시켜 줄 수 있도록 된 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, n값이 2m이고, 각 메모리셀(12)이 각각 m비트의 정보를 기억시켜 주는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 각 메모리셀이 정보기억용 캐패시터(31)와 선택용 트랜지스터(32)로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 스위칭 수단(11)이 부분비트선(BL1a∼BL1c)을 상호 연결해 주도록 각각 스위칭 소자로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 기준전위 수단(13)이 복수개의 모의 메모리셀로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기억장치.
  6. 제5항에 있어서, 각 모의 메모리셀이 정보기억용 캐패시터(31)와 선택용 트랜지스터(32)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  7. 제1항에 있어서, 감지증폭기 수단(SA1∼SA3)의 출력이 공급되는 데이터 검출 수단(41∼50)이 설치되고, 메모리셀(12)로부터 데이터를 독출한 때(n-1)개의 각 부분비트선전위중 l개가 각각의 기준전위보다도 더 높은 레벨인 것과, 상기 감지증폭기 수단(SA1-SA3)으로 판정될 때 데이터 거물 수단(41∼50)이 이를 n개 값의 정보 중(l+1)번째의 정보레벨로서 출력해 주는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  8. 제1항에 있어서, 메모리셀(12)에 대해 데이터의 기록을 행하는 데이터 기록수단(61∼67)이 설치되고 이 데이터 기록수단(61∼68)은(n-1)개의 각 부분비트선전위중 l를 높은 레벨로, 나머지 전부를 낮은 레벨로 설정한 후(n-1)개의 각 부분비트선을 단락시켜 줌에 의해 데이터 기록이 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  9. 제4항에 있어서,(n-1)개의 부분비트선을 접속해 주는 스위칭 소자(11)가 도통시 그 게이트에 각 부분지트선(BL1a∼BL1c) 전위의 높은 레벨보다 더 높은 전위가 인가되는 N챈널 MOS트랜지스터로 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  10. 제4항에 있어서, (n-1)개의 부분비트선을 접속해 주는 스위칭 소자(11)가 도통시 고 게이트에 각 부분비트선(BL1a∼BL1c) 전위의 낮은 레벨보다 더 낮은 전위가 인가되는 P채널 MOS트랜지스터로 구성되고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  11. 제4항에 있어서,(n-1)개의 부분비트선을 점슥해 주는 스위칭 소자(11)가 CMOS전달게이트로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  12. 제6항에 있어서, 모의 메모리셀(13)의 캐패시터(31) 값이 메모리셀(120의 캐패시터(31) 값의정도로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  13. 제5항에 있어서, 모의 메머리셀(13)은 메모리셀(12)의 최고 기억전위인 거의배(단,) 정도의 전위를 발생해 주는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870014302A 1986-12-15 1987-12-15 다수값 정보기억방식의 반도체기억장치 KR910006112B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984147B2 (en) 2019-04-26 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including sense amplifier and operation method of semiconductor device

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2622179B2 (ja) * 1988-12-29 1997-06-18 シャープ株式会社 ダイナミック型半導体記憶装置
JPH02260298A (ja) * 1989-03-31 1990-10-23 Oki Electric Ind Co Ltd 不揮発性多値メモリ装置
JPH0834257B2 (ja) * 1990-04-20 1996-03-29 株式会社東芝 半導体メモリセル
JPH07122989B2 (ja) * 1990-06-27 1995-12-25 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP2528737B2 (ja) * 1990-11-01 1996-08-28 三菱電機株式会社 半導体記憶装置およびその製造方法
JP2573416B2 (ja) * 1990-11-28 1997-01-22 株式会社東芝 半導体記憶装置
US5218569A (en) * 1991-02-08 1993-06-08 Banks Gerald J Electrically alterable non-volatile memory with n-bits per memory cell
JP2564046B2 (ja) * 1991-02-13 1996-12-18 株式会社東芝 半導体記憶装置
DE69222793T2 (de) * 1991-03-14 1998-03-12 Toshiba Kawasaki Kk Halbleiterspeicheranordnung
JP3181311B2 (ja) * 1991-05-29 2001-07-03 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP3464803B2 (ja) * 1991-11-27 2003-11-10 株式会社東芝 半導体メモリセル
US5291437A (en) * 1992-06-25 1994-03-01 Texas Instruments Incorporated Shared dummy cell
JPH08180688A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Nec Corp 半導体記憶装置
US6353554B1 (en) 1995-02-27 2002-03-05 Btg International Inc. Memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell
JP3006510B2 (ja) * 1996-10-24 2000-02-07 日本電気株式会社 半導体メモリ
US5915167A (en) * 1997-04-04 1999-06-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure memory
US6551857B2 (en) 1997-04-04 2003-04-22 Elm Technology Corporation Three dimensional structure integrated circuits
CA2217359C (en) * 1997-09-30 2005-04-12 Mosaid Technologies Incorporated Method for multilevel dram sensing
CA2273122A1 (en) * 1999-05-26 2000-11-26 Gershom Birk Multilevel dram with local reference generation
US7402897B2 (en) * 2002-08-08 2008-07-22 Elm Technology Corporation Vertical system integration
WO2007114319A1 (ja) 2006-03-31 2007-10-11 Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha 抗体の血中動態を制御する方法
CN101500608A (zh) 2006-06-08 2009-08-05 中外制药株式会社 炎性疾病的预防或治疗药
DE102007023653A1 (de) * 2007-05-22 2008-11-27 Qimonda Ag Halbleiterspeicher und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiterspeichers
JP2009009641A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置及びその読み出し方法
CN101874042B9 (zh) 2007-09-26 2019-01-01 中外制药株式会社 利用cdr的氨基酸取代来改变抗体等电点的方法
LT2708559T (lt) 2008-04-11 2018-06-11 Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha Antigeną surišanti molekulė, galinti pakartotinai prisijungti prie dviejų ar daugiau antigeno molekulių
TWI667346B (zh) 2010-03-30 2019-08-01 中外製藥股份有限公司 促進抗原消失之具有經修飾的FcRn親和力之抗體
WO2012053374A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving semiconductor device
US8933715B2 (en) * 2012-04-08 2015-01-13 Elm Technology Corporation Configurable vertical integration
BR112016014824A2 (pt) 2013-12-27 2017-09-19 Chugai Pharmaceutical Co Ltd Método para purificar anticorpo que tem ponto isoelétrico baixo

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144232A (en) * 1977-04-28 1978-12-15 Toshiba Corp Sensor circuit for multi-value signal charge transfer device
JPS5514588A (en) * 1978-07-19 1980-02-01 Toshiba Corp Semiconductor dynamic memory unit
JPS60239994A (ja) * 1984-05-15 1985-11-28 Seiko Epson Corp 多値ダイナミツクランダムアクセスメモリ
US4730280A (en) * 1984-11-20 1988-03-08 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having sense amplifiers with different driving abilities

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984147B2 (en) 2019-04-26 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including sense amplifier and operation method of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0273639B1 (en) 1993-08-25
JPS63149900A (ja) 1988-06-22
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KR910006112B1 (ko) 1991-08-13
DE3787163D1 (de) 1993-09-30
US4841483A (en) 1989-06-20
DE3787163T2 (de) 1994-02-17
EP0273639A2 (en) 1988-07-06
JPH059878B2 (ko) 1993-02-08

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