KR970055264A - 차동 증폭기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치의 차동 증폭기에 관한 것으로, 특히 SDRAM에서 입력버퍼로 사용되는 차동증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 NMOS 및 PMOS 타입의 차동 증폭기는 입력 신호에 의해 동작이 제어되는 스위치 소자를 차동 증폭기의 풀-업 또는 풀-다운 드라이버단에 구현되어 입력 신호가 입력되지 않을 경우에는 상기 차동 증폭기의 동작을 제어함으로써, 대기시 전류 소모를 줄일 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 차동 증폭기의 회로도이다.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 차동 증폭기의 회로도이다.
Claims (17)
- 제1전원전압원 및 제1, 제2노드 사이에 접속되어 상기 제1, 제2노드로 일정한 전류를 공급하기 위한 커런트 미러 수단과, 상기 제1, 제2노드 및 제3노드 사이에 접속되며 게이트로 각각 입력되는 제1전위와 제2전위를 비교하여 증폭하는 비교 수단과, 상기 제3노드 및 제2전원전압원 사이에 접속되며 게이트로 인에이블 신호가 인가되는 제1스위치 수단과, 상기 제3노드 및 제1스위치 수단 사이에 접속되며 게이트로 상기 제2전위가 인가되는 제2스위치 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전원전압원은 전원전위(Vcc)이고, 상기 제2전원전압원은 접지전위(Vss)인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전위는 기준전위(Vref)이고, 상기 제2전위는 입력전위인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 커런트 미러 수단은 PMOS트랜지스터로 각각 구성된 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 비교 수단은 NMOS트랜지스터로 각각 구성된 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2스위치 수단은 NMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항에 있어서, 상기 제2스위치 수단 및 제1스위치 수단 사이에 접속되며 게이트로 상기 제1전위가 인가되는 제3스위치 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1전위 및 제2전위는 둘다 입력전위인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제7항에 있어서, 상기 제3스위치 수단은 NMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제1전원전압원 및 제1노드 사이에 접속되며 게이트로 인에이블신호가 인가되는 제1스위치 수단과, 상기 제1노드 및 제2, 제3노드 사이에 접속되며 게이트로 각각 입력되는 제1전위와 제2전위를 비교하여 증폭하는 비교 수단과, 상기 제2, 제3노드 및 제2전원전압원 사이에 접속되며 게이트가 공통으로 상기 제2노드에 연결된 커런트 미러 수단과, 상기 제1스위치 수단 및 제1노드 사이에 접속되며 게이트로 상기 제2전위가 인가되는 제2스위치 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 제1전위는 기준전위(Vref)이고, 상기 제2전위는 압력전위인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 비교 수단은 PMOS트랜지스터로 각각 구성된 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 커런트 미러 수단은 NMOS트랜지스터로 각각 구성된 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 제1, 제2스위치 수단은 PMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제10항에 있어서, 상기 제1스위치 수단 및 제2스위치 수단 사이에 접속되며 게이트로 상기 제1전위가 인가되는 제3스위치 수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제10항 또는 제15항에 있어서, 상기 제1전위 및 제2전위는 둘다 입력전위인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.
- 제15항에 있어서, 상기 제3스위치 수단은 PMOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 차동 증폭기.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990088543A (ko) * | 1998-05-25 | 1999-12-27 | 핫토리 쥰이치 | 온/오프기능을갖는비교회로 |
KR100821470B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2008-04-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형성을 향상시킨 상호 컨덕턴스 연산 증폭 장치 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3076258B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2000-08-14 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 入力初段回路 |
US6281714B1 (en) | 1997-06-25 | 2001-08-28 | Sun Microsystems, Inc. | Differential receiver |
KR100293446B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2001-07-12 | 김영환 | 메인증폭기 |
JP2000134085A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-05-12 | Microchip Technol Inc | 低電力デジタル入力回路 |
KR100370233B1 (ko) * | 1999-05-19 | 2003-01-29 | 삼성전자 주식회사 | 입력버퍼 회로 |
US20020149400A1 (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-17 | Namik Kocaman | Low voltage differential to single-ended converter |
EP1351391A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-08 | Dialog Semiconductor GmbH | Dynamic biasing cuicuit for continuous time comparators |
JP2005182494A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 電流増幅回路およびそれを備える液晶表示装置 |
US7327620B2 (en) * | 2004-06-10 | 2008-02-05 | Mircon Technology, Inc. | Differential input buffer for receiving signals relevant to low power |
US7199657B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-04-03 | Intel Corporation | Amplification gain stages having replica stages for DC bias control |
DE102005054216B4 (de) * | 2004-11-25 | 2017-10-12 | Infineon Technologies Ag | Ausgangsstufe, Verstärkerregelschleife und Verwendung der Ausgangsstufe |
JP4261507B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2009-04-30 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | クロックネットワークの消費電力低減回路 |
WO2009013814A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Fujitsu Limited | 半導体装置 |
KR100930406B1 (ko) * | 2008-01-18 | 2009-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 입력회로를 가지는 반도체 집적회로 |
US8766696B2 (en) * | 2010-01-27 | 2014-07-01 | Solaredge Technologies Ltd. | Fast voltage level shifter circuit |
KR101096269B1 (ko) * | 2010-04-06 | 2011-12-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 입력버퍼 |
US9473163B1 (en) * | 2015-07-29 | 2016-10-18 | Mediatek Inc. | Preamplifier circuit and SAR ADC using the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2665754B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1997-10-22 | セイコー電子工業株式会社 | 増幅回路 |
US5039881A (en) * | 1989-06-23 | 1991-08-13 | Motorola, Inc. | High speed, low power input buffer |
EP0575124B1 (en) * | 1992-06-15 | 2001-05-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor integrated circuit with input/output interface adapted for small-amplitude operation |
US5309039A (en) * | 1992-09-29 | 1994-05-03 | Motorola, Inc. | Power supply dependent input buffer |
-
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-
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- 1996-12-30 GB GB9627060A patent/GB2308704B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990088543A (ko) * | 1998-05-25 | 1999-12-27 | 핫토리 쥰이치 | 온/오프기능을갖는비교회로 |
KR100821470B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2008-04-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 선형성을 향상시킨 상호 컨덕턴스 연산 증폭 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19654544A1 (de) | 1997-07-03 |
DE19654544C2 (de) | 2001-10-31 |
GB9627060D0 (en) | 1997-02-19 |
JP3474068B2 (ja) | 2003-12-08 |
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GB2308704B (en) | 2000-03-22 |
GB2308704A (en) | 1997-07-02 |
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US5834974A (en) | 1998-11-10 |
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